KR980004963A - 반도체 메모리 장치 - Google Patents

반도체 메모리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR980004963A
KR980004963A KR1019960026458A KR19960026458A KR980004963A KR 980004963 A KR980004963 A KR 980004963A KR 1019960026458 A KR1019960026458 A KR 1019960026458A KR 19960026458 A KR19960026458 A KR 19960026458A KR 980004963 A KR980004963 A KR 980004963A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
repair
cell
path
sense amplifier
output
Prior art date
Application number
KR1019960026458A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100219066B1 (ko
Inventor
이종협
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019960026458A priority Critical patent/KR100219066B1/ko
Publication of KR980004963A publication Critical patent/KR980004963A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100219066B1 publication Critical patent/KR100219066B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/84Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved access time or stability
    • G11C29/846Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved access time or stability by choosing redundant lines at an output stage

Landscapes

  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

본 발명은 리페어 디코딩 회로를 갖는 반도체 메모리 장치에 있어서, 임의의 어드레스에서 그 입/출력 핀이 페일되면 인에이블되도록 상기 리페어 디코딩 회로로부터 제어신호를 인가받아 리페어 셀에 데이터를 라이트하기 위한 리페어 셀용 라이트드라이버와, 상기 리페어 셀로부터 데이터를 리드(read)하기 위한 리페어 셀용 센스 앰프와, 상기 리페어 디코딩 회로로부터 제어신호를 인가받아 상기 리퍼에 셀용 센스앰프의 출력과 정상 경로상의 센스앰프 출력중 어느하나를 선택하여 출력하는 선택장치를 구비하여, 페일된 정상경로 상의 디코딩 경로를 차단하지 않고 컬럼 리페어를 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 페일된 정상경로를 차단할 필요가 없기 때문에 칩 면적이 감소하고 또한 리페어 경로로 인한 속도 감소도 해소할 수 있다.

Description

반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 라이트(write) 경로상에서의 리페어 셀용 라이트드라이버이다.
제3도는 정상경로의 센스앰프 출력과 리페어셀용 센스 앰프의 출력 중 하나를 택하여 출력버퍼로 출력하는 선택장치이다.

Claims (1)

  1. 리페어 디코딩 회를 갖는 반도체 메모리 장치에 있어서, 임의의 어드레스에서 그 입/출력 핀이 페일되면 인에이블되도록 상기 리페어 디코딩 회로로부터 제어신호를 인가받아 리페어 셀에 데이터를 라이트하기 위한 리페어 셀용 라이트드라이버와, 상기 리페어 셀로부터 데이터를 리드(read)하기 위한 리페어 셀용센스 앰프와, 상기 리페어 디코딩 회로로부터 제어신호를 인가받아 상기 리퍼에 셀용 센스앰프의 출력과 정상경로상의 센스앰프 출력중 어느 하나를 선택하여 출력하는 선택수단을 구비하여, 페일된 정상경로 상의 디코딩경로를 차단하지 않고 컬럼 리페어를 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960026458A 1996-06-29 1996-06-29 반도체 메모리 장치 KR100219066B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960026458A KR100219066B1 (ko) 1996-06-29 1996-06-29 반도체 메모리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960026458A KR100219066B1 (ko) 1996-06-29 1996-06-29 반도체 메모리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR980004963A true KR980004963A (ko) 1998-03-30
KR100219066B1 KR100219066B1 (ko) 1999-09-01

Family

ID=19465161

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960026458A KR100219066B1 (ko) 1996-06-29 1996-06-29 반도체 메모리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100219066B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR100219066B1 (ko) 1999-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960043187A (ko) 반도체장치
KR850003610A (ko) 반도체 메모리 장치
KR970067365A (ko) 반도체 기억장치
KR940007884A (ko) 반도체 장치
KR910001771A (ko) 반도체 메모리 장치
KR910020733A (ko) 스태틱형 메모리
KR960025791A (ko) 센스 앰프회로
KR880014564A (ko) 메모리 장치용 출력 버퍼 제어회로
KR900013621A (ko) 반도체장치
KR910006994A (ko) 센스 앰프회로
KR950006858A (ko) 반도체 기억회로
KR920003314A (ko) 반도체 메모리장치
KR970017658A (ko) 싸이클시간을 감소시키기 위한 반도체 메모리 장치
KR850004856A (ko) 프로그래머블 반도체 메모리장치
KR940001412A (ko) 반도체 기억장치
KR970003259A (ko) 2 스테이지 래치회로를 이용한 페이지 모드 마스크롬 및 그 제어방법
KR950004283A (ko) 반도체 메모리 장치
KR980004963A (ko) 반도체 메모리 장치
KR950015368A (ko) 반도체 메모리 소자의 데이타 출력장치
KR100543916B1 (ko) 애디티브레이턴시를 갖는 반도체 메모리 소자
KR950019006A (ko) 옵션 처리를 이용한 리페어 효율 증가 회로
KR900010778A (ko) 반도체 메모리장치
KR960008856A (ko) 용장회로를 갖는 반도체 기억장치
KR960038975A (ko) 확장 데이타 출력모드를 가진 반도체 메모리장치
KR960018899A (ko) 읽기변환쓰기기능을 가지는 메모리 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090526

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee