KR980003822A - 반도체 소자의 감광막 형성장치 및 이를 이용한 감광막 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 감광막 형성장치 및 이를 이용한 감광막 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 감광막 형성장치 및 이를 이용한 감광막 형성방법을 제공하는 것으로, 웨이퍼상에 감광막을 도포하고, 도포된 감광막의 표면에 고압 가스를 소정시간 분사하여 표면을 평탄하게 한 후 고온건조 가스를 소정시간 분사하여 경화시키므로써 미세 리플과, 핀홀 및 들뜸현상을 방지하고 전체적으로 균일한 감광막을 형성할 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 소자의 감광막 형성장치 및 이를 이용한 감광막 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 감광막 형성장치를 도시한 구성도.

Claims (10)

  1. 반도체 소자의 감광막 형성장치에 있어서, 웨이퍼상에 감광막을 도포하기 위한 스피너와, 웨이퍼상에 형성된 감광막의 표면이 평탄하게 되도록 고압 가스를 소정시간 분사하기 위한 제 1챔버와, 감광막내에 잔류하는 솔벤트가 제거되도록 고온건조 가스를 소정시간 분사하기 위한 제 2챔버로 이루어지는 것을 특징으로 하는 감광막 형성장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제 1챔버는 고압가스를 공급하기 위하여 일측에 설치된 공급관과, 상기 공급관을 통해 공급된 고압가스의 충격을 완화시키기 위한 버퍼와, 상기 버퍼를 통하여 완화된 고압가스를 분산시키기 위한 디퓨져와, 웨이퍼의 후면을 냉각시키기 위한 냉각 플레이트와, 챔버내의 가스를 배출시키기 위한 배출구와, 상기 웨이퍼를 로딩 및 언로딩할 수 있는 입출구로 이루어지는 것을 특징으로 하는 감광막 형성장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 2챔버는 고압가스를 공급하기 위하여 일측에 설치된 공급관과, 상기 공급관을 통해 공급된 고압가스의 충격을 완화시키기 위한 버퍼와, 상기 버퍼를 통하여 완화된 고압가스를 분산시키기 위한 디퓨저와, 챔버내의 가스를 배출시키기 위한 배출구와, 진공으로 웨이퍼를 고정시키는 진공척으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 감광막 형성장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 디퓨저는 다수개의 홀을 가지는 것을 특징으로 하는 감광막 형성장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 냉각 플레이트는 입구 및 출구를 가지는 것을 특징으로 하는 감광막 형성장치.
  6. 반도체 소자의 감광막 형성장치를 이용한 감광막 형성방법에 있어서, 스피너에 의해 웨이퍼상에 감광막을 도포하는 단계와, 상기 단계로부터 제 1공정으로 감광막의 표면에 형성된 미세 리플과, 핀홀 및 들뜸현상을 없애는 단계와, 상기 단계로부터 제 2공정으로 감광막내에 잔류하는 솔벤트를 배출시켜 경화하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 감광막 형성방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제 1공정은 4 내지 20℃의 온도 및 150 내지 250PSI의 압력을 가지는 질소 가스를 웨이퍼상에 1분 내지 10분간 분사하는 것을 특징으로 하는 감광막 형성방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제 2공정은 100 내지 200℃의 온도 및 50 내지 150PSI의 압력을 가지는 질소 가스 및 공기를 교대로 웨이퍼상에 분사하는 것을 특징으로 하는 감광막 형성방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 질소 가스 및 공기는 2회 내지 10회 반복하여 공급되는 것을 특징으로 하는 감광막 형성방법.
  10. 제8항 및 제9항에 있어서, 상기 질소 가스가 공급되는 시간은 1분 내지 10분인 것을 특징으로 하는 감광막 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100401544B1 (ko) * 2001-02-06 2003-10-17 삼성전자주식회사 반도체 공정에 사용되는 가스를 제공하는 방법 및 장치그리고 이를 갖는 가공 장치
JP2003053243A (ja) * 2001-08-15 2003-02-25 Fuji Photo Film Co Ltd 塗布乾燥装置
US7659301B2 (en) * 2003-04-15 2010-02-09 The General Hospital Corporation Methods and devices for epithelial protection during photodynamic therapy
EP1632992A4 (en) * 2003-06-06 2008-02-27 Tokyo Electron Ltd METHOD FOR IMPROVING THE SURFACE WEIGHT OF PROCESSED SUBSTRATE FILM AND DEVICE FOR PROCESSING A SUBSTRATE
JP4754990B2 (ja) * 2006-02-23 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法、及び記憶媒体
JP5029486B2 (ja) * 2008-05-13 2012-09-19 東京エレクトロン株式会社 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体
US20100151118A1 (en) * 2008-12-17 2010-06-17 Eastman Chemical Company Carrier solvent compositions, coatings compositions, and methods to produce thick polymer coatings
JP5424201B2 (ja) * 2009-08-27 2014-02-26 アユミ工業株式会社 加熱溶融処理装置および加熱溶融処理方法
US10656525B2 (en) * 2017-09-01 2020-05-19 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Photoresist baking apparatus

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5120634A (en) * 1982-08-25 1992-06-09 Fujitsu Limited Method for forming patterned resist layer on semiconductor body
JP3115134B2 (ja) * 1992-11-27 2000-12-04 松下電器産業株式会社 薄膜処理装置および薄膜処理方法
JPH06248439A (ja) * 1993-02-24 1994-09-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザーアブレーション装置およびそれを用いた半導体形成法
KR0171918B1 (ko) * 1994-03-25 1999-03-30 김주용 감광수지 코팅 두께 조절방법 및 조절장치

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