KR970702579A - 테이프 적용 플랫포옴 및 적용 방법(tape application platform and processes therefor) - Google Patents
테이프 적용 플랫포옴 및 적용 방법(tape application platform and processes therefor)Info
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- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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Abstract
플랫포옴은 취급 및 정렬을 위해 와이어 결합 또는 TAB 공정을 통해 집적회로(IC. 20)를 지탱하고 상호 연결을 시키고 균일하고 제어된 접착제 두께로 차폐된 IC를 지탱한다. 플랫포옴 베이스(10)는 와이어 결합 패드(140)와 칩의 길이를 연장하는 슬롯(30)을 가질 수 있는 평탄한 부위를 가진다. IC는 적어도 하나의 접착면을 주조 또는 포함된 접착제인 에폭시 또는 테이프(50)를 써서 플랫포옴 베이스에 장착된다. 몇 개의 와이어 결합 패드행에 대해서 몇 개의 슬롯이 있을 수 있다. 만약, 플랫포옴이 하나 이상의 칩을 지탱하면 플랫포옴 베이스는 칩 하나당 하나 이상의 슬롯(30, 40)을 가질 수 있다. 플랫포옴은 다른 소자(110, 120)를 지탱할 수 있다. 잡음 신호의 감쇠를 위해 적절한 비저항을 가진 회로(90)가 플랫포옴 베이스의 한면 또는 양면에 인쇄될 수 있다. 와이어 결합은 슬롯(30)을 통해 이루어져 IC패드를 회로와 연결시킨다. 와이어 결합에 의해 연결된 버스 또는 차폐를 위해서 플랫포음 베이스의 한면 또는 양면에 전도영역을 가질 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 테이프 적용 플랫포옴의 구체예의 분해사시도이다.
Claims (63)
- a) 제1 및 제2베이스면, 상기 제1 및 제2베이스면과 연결되는 하나 이상의 슬롯을 가진 베이스, b) 제1 및 제2테이프면, 칩과 상기 베이스중 최소한 하나에 부착되는 상기 제1 및 제2테이프면중 최소한 하나에 접착제를 가지는 테이프, 그리고 c) 상기 슬롯을 관통하여 집적회로칩에 연결되어 상기 집적회로 칩을 회로에 연결시키는 최소한 하나의 와이어를 포함하는 최소한 하나의 집적회로칩을 회로에 상호 연결시키고 고정시키는 테이프 적용 플랫포옴.
- 제1항에 있어서, 상기 테이프가 전기적 절연재로 이루어짐을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제1항에 있어서, 상기 슬롯이 최소한 제1방향을 따라 상기 칩과 함께 연장됨을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제1항에 있어서, 상기 베이스가 상기 제1 및 제2베이스면중 최소한 하나의 면상에 칩을 수용하기에 충분한 크기의 최소한 하나의 리세스를 가지며 상기 리세스는 내부에 상기 슬롯을 포함함을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제1항에 있어서, 상기 베이스가 각 칩이 고정될 하나 이상의 슬롯을 가짐을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제5항에 있어서, 상기 베이스가 각 칩이 고정될 2개의 슬롯을 가짐을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제5항에 있어서, 상기 베이스가 각 칩이 고정될 3개의 슬롯을 가짐을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제1항에 있어서, 상기 베이스가 상기 제1 및 제2베이스면중 최소한 한면상에 최소한 하나의 전기적 전도표면을 가짐을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제8항에 있어서, 상기 전기적 전도 표면이 10 오옴-센티미터 이상의 비저항을 가지는 표면층임을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제8항에 있어서, 상기 전기적 전도 표면이 75 오옴-센티미터 이상의 비저항을 가지는 표면층임을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제8항에 있어서, 상기 전기적 전도 표면이 10,000 오옴/스퀘어 미만의 판 비저항을 가짐을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제8항에 있어서, 상기 전기적 전도 표면이 10,000 오옴/스퀘어와 100,000 오옴/스퀘어 사이의 판 비저항을 가짐을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제8항에 있어서, 상기 전기적 전도 표면이 15,000 오옴/스퀘어와 50,000 오옴/스퀘어 사이의 판 비저항을 가짐을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제8항에 있어서, 상기 전기적 전도 표면이 0.003 내지 0.3 밀리미터 두께의 층임을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제8항에 있어서, 상기 전기적 전도 표면이 0.015 내지 0.065 밀리미터 두께의 층임을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제8항에 있어서, 상기 전기적 전도 표면이 2개 이상의 금속층임을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제16항에 있어서, 상기 전기적 전도 표면이 3개의 금속층임을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제16항에 있어서, 상기 금속층이 이들의 복합 열팽창 계수가 그위에 고정될 집적 회로칩의 열팽창계수와 양립할 수 있는 비율로 조합된 금속을 포함함을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제16항에 있어서, 상기 금속층이 이들의 복합 열팽창 계수가 실리콘, 게르마늄 또는 갈륨 비소의 열팽창 계수와 양립할 수 있는 비율로 조합된 금속을 포함함을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제16항에 있어서, 상기 금속층이 이들의 복합열 팽창 계수가 1℃당 5ppm과 1℃당 15ppm사이가 되도록 하는 비율로 조합된 금속을 포함함을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제16항에 있어서, 상기 금속층이 구리와 인바르합금을 포함함을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제17항에 있어서, 상기 3개의 금속층중 최소한 두층이 구리와 인바르합금을 포함함을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제17항에 있어서, 상기 3개의 금속층이 제1구리층, 인바르층과 제2구리층을 포함함을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제17항에 있어서, 상기 제1구리층 1 내지 25%이고, 상기 인바르층이 50 내지 98%이고 상기 제2구리층이 상기 전도 표면층의 1 내지 25%임을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제23항에 있어서, 상기 제1구리층이 5 내지 12.5%이고 상기 인바르층이 75 내지 90%이고 상기 제2구리층이 상기 전도 표면층의 5 내지 12.5%임을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제1항에 있어서, 상기 베이스가 금속재료로 이루어짐을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제26항에 있어서, 상기 베이스가 인바르 합금 또는 스텐레스강으로 이루어짐을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제26항에 있어서, 상기 베이스가 구리, 은, 구리합금, 또는 은합금으로 이루어짐을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제8항에 있어서, 상기 베이스가 인바르 합금, 몰리브덴, 구리-텅스텐, 구리-철합금 또는 스텐레스강으로 이루어지고 상기 전도 표면은 구리, 은, 또는 희귀 금속으로 이루어짐을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제8항에 있어서, 상기 슬롯이 더 길고 더 짧은 차원을 가지며 상기 전도 표면이 상기 더 긴 차원을 따라 상기 슬롯과 함께 연장됨을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제8항에 있어서, 상기 전기 전도 표면이 두 개 이상의 탈연결 전도 표면을 포함함을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제31항에 있어서, 상기 탈연결 전도 표면중 하나가 접지 전압에 연결됨을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제31항에 있어서, 상기 탈연결 전도 표면중 하나가 접지 전압외의 전압에 연결됨을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제1항에 있어서, 상기 베이스가 상기 제1 및 제2베이스면중 최소한 한면상에 인쇄회로를 지지함을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제1항에 있어서, 상기 베이스가 유리-에폭시 또는 폴리이미드로 이루어짐을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제8항에 있어서, 상기 베이스가 유리-에폭시 또는 폴리이미드로 이루어짐을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제1항에 있어서, 상기 베이스가 전도층으로 분리된 다중 절연층으로 이루어짐을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제8항에 있어서, 상기 베이스가 전도층으로 분리된 다중 절연층으로 이루어짐을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제1항에 있어서, 상기 베이스가 0.25 내지 1.5 밀리미터의 두께를 가짐을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제35항에 있어서, 상기 유리-에폭시 또는 폴리이미드가 인쇄회로 형태를 가진 구리층에 의해 분리된 다중 유리-에폭시 또는 폴리이미드층임을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제22항에 있어서, 상기 베이스가 인쇄회로 형태를 가진 구리층에 의해 분리된 다중 유리-에폭시층을 포함함을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제22항에 있어서, 상기 베이스가 인쇄회로 형태를 가진 전도층에 의해 분리된 다중 유리-에폭시층을 포함하여 상기 전도층은 2개 이상의 하부층을 포함함을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제23항에 있어서, 상기 베이스가 인쇄회로 형태를 가진 전도층에 의해 분리된 다중 유리-에폭시층을 포함하며 상기 전도층은 구리, 인바르 및 구리 하부층을 더욱 포함함을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제34항에 있어서, 상기 인쇄 회로는 분리된 소자를 지탱하고 상호 연결시킴을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- 제44항에 있어서, 상기 분리된 소자는 콘덴서와 저항기를 포함함을 특징으로 하는 테이프 적용 필름.
- a) 제1 및 제2베이스면을 가지며 상기 제1면상에 전기전도 표면을 가지며 제1방향을 따라 칩과 함께 연장하는 최소한 하나의 슬롯을 가지며 상기 슬롯은 상기 제1 및 제2베이스면 둘다와 연결되는 베이스를 제공하고, b) 제1 및 제2테이프면과 제1 및 제2테이프면상에 접착제를 가지는 테이프를 제공하고, c) 상기 테이프를 상기 베이스의 상기 제2면에 적용하고, d) 상기 슬롯을 집적회로칩 결합 패드와 정렬하고, e) 상기 테이프에 대해 상기 칩을 고정하고, 그리고 f) 상기 칩 와이어 결합 패드, 상기 전도 표면, 카드, 보오드, 또는 도선핑거를 상기 슬롯을 통해 와이어 결합하는 단계를 포함하는 결합 패드를 활용하는 집적회로칩을 회로 카드 또는 보오드 또는 도선 핑거에 상호 연결시키는 방법.
- a) 제1 및 제2면을 가지며 상기 제1 및 제2면중 최소한 한면상에 최소한 하나의 전도 표면을 가지며 상기 제1 및 제2면 사이에 연결하는 최소한 하나의 슬롯을 가지는 베이스, b) 상기 베이스의 제1면에 적층되고 상기 베이스에서 상기 슬롯과 함께 연장되어 상기 베이스에 대해 상기 집접 회로를 고정시키는 최소한 하나의 접착제층을 포함하는 전자 장치 조립중 집적회로를 지지하기 위한 집적회로칩 플랫포옴.
- 제1면 및 제2면을 가지며 상기 제1면 및 제2면중 최소한 한면상에 전기적 전도표면을 가지며 스트립을 따라 균일하게 간격을 둔 동등한 세그멘트들을 가지는 베이스 배료로된 스트립을 포함하는 집적회로 칩 플랫포옴 베이스 연속 스트립에 있어서, 각 세그멘트가 a) 상기 스트립을 움직이고 색인하기 위한 한쌍의 평행한 스프로켓 레일, b) 상기 레일에 연결되고 상기 스프로켓 레일 사이에 연장되는 최소한 하나의 바아, c) 상기 바아에 연결되어 지탱되는 상기 스프로켓 레일 사이의 플랫포옴 베이스를 더욱 포함하는 집적회로 칩 플랫포옴 베이스 연속 스트립.
- 제48항에 있어서, 상기 플랫포옴 베이스(c)가 상기 집적회로칩과 함께 연장되는 하나 이상의 슬롯을 집적회로 플렛포옴베이스 연속 스트립.
- 제48항에 있어서, 상기 플랫포옴베이스(c)가 상기 집적회로칩보다 긴 한쌍의 베이스임을 특징으로 하는 집적회로 플렛포옴베이스 연속 스트립.
- 제48항에 있어서, 상기 스트립이 제1구리층, 인바르층, 및 제2구리층을 상기 집적회로칩의 열팽창과 양립할 수 있는 열팽창계수를 갖게 하는 비율로 포함하는 3개의 층으로 이루어짐을 특징으로 하는 집적회로 플렛포옴베이스 연속 스트립.
- a) 접착제 테이프가 적층된 최소한 하나의 주표면을 가지는 집적회로 플랫포옴 연속 스트립 제공; b) 상기 스트립을 길이를 따라 추진; c) 예정된 위치에 상기 플랫포옴중 하나를 위치시킴; d) 상기 집적회로칩중 하나를 상기 플랫포옴중 하나에 정렬; e) 상기 집적회로 칩을 상기 하나의 플랫포옴에서 상기 접착제 테이프에 적층시킴; f) 상기 접착제 테이프를 경화; g) 상기 집적회로칩과 상기 플랫포옴을 상호 연결시켜 결합된 플랫포옴을 형성하는 단계로 이루어진 고급회로 제조중 집적회로칩을 다루는 방법.
- 제52항에 있어서, h) 결합된 폴랫포옴을 상기 고급회로에 정렬시키고; i) 상기 플랫포옴을 상기 고급회로에 연결시키는 동안 상기 플랫포옴을 상기 스트립에서 절단하고; 그리고 j) 상기 집적 회로칩을 캡슐화하는 단계를 더욱 포함함을 특징으로 하는 집적회로 칩 처리 방법.
- 제53항에 있어서, 상기 캡슐화 단계(j)가 k) 예정된 양의 캡슐화제 적용 또는 전달 성형, 그리고 l) 상기 캡슐화제 경화하는 단계를 더욱 포함함을 특징으로 하는 집적회로 칩 처리 방법.
- a) 인쇄 진도체를 지지하는 인쇄회로카드, b) 상기 인쇄전도체에 연결된 다중전도체, 그리고 c) 상기 전도체와 졀합하는 다중 집적회로 칩 플랫포옴을 포함하며, 상기 풀랫포옴이 i) 제1면 및 제2명, 상기 제1 및 제2면 둘다에 연결되는 최소한 하나의 슬롯을 가지는 베이스; ii) 상기 제1 및 제2베이스면중 최소한 한면상의 전기전도 표면; iii) 제1 및 제2테이프면, 상기 칩과 상기 베이스중 적어도 하나에 부착하는 제1 및 제2테이프면 중의 최소한 한면상의 접착제를 가지는 테이프, 그리고 iv) 상기 슬롯을 통과하여 상기 집적회로칩에 결합되는 최소한 하나의 와이어를 포함하는 메모리카드.
- a) 전기 전도 표면을 포함하는 제1 및 제2주 베이스 표면과 상기 주 베이스 표면간을 연결하는 베이스 슬롯을 가지는 배이스, b) 상기 제1주 베이스 표면에 부착하여 상기 베이스를 상기 집적회로칩에 부착시키는 제1주 베이스 표면상의 접착제를 가지는 제1테이프, 그리고 c) 상기 슬롯에 인접한 부위를 제외하고 상기 제2주 베이스 표면의 일부에 부착하여 상기 회로 카드에 부착시키는 제2주 베이스 표면상의 접착제를 가지는 제2테이프, 와이어 결합을 상기 회로카드, 전도표면, 및 상기 집적회로칩을 상호 연결시키기 위해 상기 베이스 슬롯을 관통하여 이루어지는 집적회로칩을 와이어 결합을 사용하는 회로 카드에 부착 및 연결시키는 차단 예비 성형물.
- a) 집적회로칩의 뒷면에 부착되며 상기 칩의 엣지를 넘어선 베이스 부위를 가지며 상기 부위는 이중면을 가진 제1테이프를 지지하는 플랫포옴 베이스, b) 상기 이중면을 가진 제1데이프와 함께 상기 베이스 부위에 부착되며 결합 패드에 인접하여 위치된 다중 도선 핑거를 가지는 도선 프레임, 그리고 c) 상기 칩에 부착하지 않으며 상기 도서 프레임 핑거를 상기 와이어 결합 패드에 연결시키는데 사용되는 와이어 상기 도선 프레임으로 부터 절연되는 상기 칩의 활성면과 상기 도선 핑거 사이의 제2데이프 절연 부위를 포함하는 엣지, 뒷면 및 활성면을 가지는 집적회로칩을 결합 패드로 고정하고 처리하기 위한 집적회로 도선 패들 어셈블리.
- 제57항에 있어서, 상기 제2테이프 절연 부위가 접착제층 또는 이중면을 가진 접착 테이프임을 특징으로 하는 어셈블리.
- 제57항에 있어서, 상기 제2테이프 절연 부위에 부착하여 상기 칩과 상기 도선 프레임으로 부터 절연됨으로써 상기 칩에 와이어 결합될 때 버스 상호 연결을 제공하는 하나 이상의 전도성 부재를 더욱 포함함을 특징으로 하는 어셈블리.
- 제58항에 있어서, 상기 제2테이프 절연 부위가 접착제층 또는 이중면을 가진 접착 테이프임을 특징으로 하는 어셈블리.
- a) 칩의 뒷면이 기준 평면에 부착되며 상기 플랫포옴 부위가 상기 기준 평면으로 부터 변형되는 제26항의 테이프 적용 플랫포옴, b) 상기 결합 패드에 인접한 상기 칩과 정렬되는 다중 도선 핑거, c) 상기 기준 평면으로 부터 변형된 상기 부위에서 상기 다중 도선 핑거를 상기 테이프 적용 플랫포옴에 부착시키기 의해 배치된 제2테이프, d) 상기 도선 핑거에는 부착하나 상기 칩에는 부착하지 않고 상기 도선 핑거로 부터 상기 칩의 활성면을 절연시키도록 배치되어 상기 도선 핑거중 선택된 핑거로 상기 결합 패드중 선택된 패드를 연결시키게 와이어 결합을 시키는 엣지, 뒷면 및 활성면을 가진 집적회로를 결합 패드로 고정 및 처리하기 위한 집적회로 패들 어셈블리.
- 제61항에 있어서, e) 상기 도선 핑거와 상기 칩의 활성면 사이에 배치되어서 전도성 소자의 일부가 노출되게 하는 하나 이상의 전도성 소자, 그리고 f) 전도 소자에는 부착하나 상기 칩에는 부착하지 않아 상기 칩으로부터 상기 전도소자를 절연시키고 상기 칩의 상기 결합 패드중 선택된 패드와 도선 핑거중 선택된 핑거에 와이어 결합시키는 노출된 부위를 제공함을 더욱 포함하는 어셈블리.
- a) 플랫포옴 베이스, 제1 및 제2양면 접착제 테이프, 및 다중 도선 핑거를 제공하고; b) 하나 이상의 전도성 버스 소자, 제3양면 접착제 테이프, 및 단일면 접착제를 가지는 제4테이프를 제공하고; c) 상기 제1 및 제2접착제 테이프를 상기 플랫포옴 베이스에 적용하고 상기 집적 회로칩을 상기 플랫포옴 베이스에 정렬하고; d) 상기 플랫포옴 베이스상의 상기 제1양면 접착제 테이프에 대해 상기 집적회로 칩을 놓아서 상기 칩을 부착하여 베이스 어셈블리를 형성하고; e) 추가적 버스소자 어셈블리를 형성할려면 상기 전도성 버스소자에 상기 제3 및 제4테이프를 적용하고; f) 상기 추가 버스 소자 어셈블리를 상기 다중 도선 핑거에 정렬 및 적용하고; g) 상기 플랫포옴 베이스 어셈블리상의 상기 칩에 상기 다중 도선 핑거를 정렬하고; h) 상기 제2양면 접착제 테이프에 대해 누름으로써 상기 다중 도선 핑거를 상기 베이스 어셈블리에 부착하여 도선 패들 어셈블리를 형성하고 i) 상기 테이프를 경화하고; j) 상기 집적된 칩과 상기 도전 프레임을 상호연결하고; k) 상기 버스소자, 상기 집적회로 칩, 및 상기 도선 핑거를 상호 연결시키고; 그리고 l) 상기 집적회로 칩을 캡슐화하여 상호 연결 공정을 완료하는 제조 공정중 집적회로 칩을 처리 및 상호 연결하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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---|---|---|---|---|
US5661336A (en) * | 1994-05-03 | 1997-08-26 | Phelps, Jr.; Douglas Wallace | Tape application platform and processes therefor |
JP3513333B2 (ja) * | 1995-09-29 | 2004-03-31 | キヤノン株式会社 | 多層プリント配線板およびそれを実装する電子機器 |
US6551845B1 (en) * | 1996-01-02 | 2003-04-22 | Micron Technology, Inc. | Method of temporarily securing a die to a burn-in carrier |
US5789271A (en) * | 1996-03-18 | 1998-08-04 | Micron Technology, Inc. | Method for fabricating microbump interconnect for bare semiconductor dice |
US5729049A (en) * | 1996-03-19 | 1998-03-17 | Micron Technology, Inc. | Tape under frame for conventional-type IC package assembly |
US5892270A (en) * | 1997-05-23 | 1999-04-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chip on board assembly without wire bonding |
US5918112A (en) * | 1997-07-24 | 1999-06-29 | Motorola, Inc. | Semiconductor component and method of fabrication |
TW362342B (en) * | 1997-10-27 | 1999-06-21 | Sony Video Taiwan Co Ltd | Method for combining e-mail network with pager |
DE19752195A1 (de) * | 1997-11-25 | 1999-06-17 | Siemens Ag | Halbleiterelement mit einer Tragevorrichtung und einem Zuleitungsrahmen und einem damit verbundenen Halbleiterchip |
US5869895A (en) | 1997-12-15 | 1999-02-09 | Micron Technology, Inc. | Embedded memory assembly |
US6326696B1 (en) * | 1998-02-04 | 2001-12-04 | International Business Machines Corporation | Electronic package with interconnected chips |
US6300687B1 (en) | 1998-06-26 | 2001-10-09 | International Business Machines Corporation | Micro-flex technology in semiconductor packages |
TW451535B (en) | 1998-09-04 | 2001-08-21 | Sony Corp | Semiconductor device and package, and fabrication method thereof |
US6543512B1 (en) | 1998-10-28 | 2003-04-08 | Micron Technology, Inc. | Carrier, method and system for handling semiconductor components |
JP2000183249A (ja) * | 1998-12-11 | 2000-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | パワー半導体モジュール |
US6365962B1 (en) * | 2000-03-29 | 2002-04-02 | Intel Corporation | Flip-chip on flex for high performance packaging applications |
US6361146B1 (en) | 1999-06-15 | 2002-03-26 | Lexmark International, Inc. | Adhesive bonding laminates |
US6210522B1 (en) | 1999-06-15 | 2001-04-03 | Lexmark International, Inc. | Adhesive bonding laminates |
JP3397725B2 (ja) * | 1999-07-07 | 2003-04-21 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置、その製造方法及び半導体素子実装用テープの製造方法 |
JP2001286035A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Yazaki Corp | 電気接続箱のバスバー配線板体 |
US20030127183A1 (en) * | 2000-07-17 | 2003-07-10 | Saldanha Singh Jeanne Marie | Method and apparatus for adhesively securing ink jet pen components using thin film adhesives |
EP1187190A1 (en) * | 2000-09-11 | 2002-03-13 | Marconi Communications GmbH | Method for monitoring the length of constant-wire-length bonds & apparatus therefor |
SE522948C2 (sv) * | 2001-03-14 | 2004-03-16 | Bjoern Flodin | Anordning för en respirator |
TW501384B (en) * | 2001-03-27 | 2002-09-01 | Hannstar Display Corp | Monitoring device and method for tape automated bonding |
US7679245B2 (en) | 2001-09-17 | 2010-03-16 | Beacon Power Corporation | Repulsive lift systems, flywheel energy storage systems utilizing such systems and methods related thereto |
DE60217059T2 (de) * | 2002-02-18 | 2007-06-21 | Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza | Montagekonstruktion für eine elektronische integrierte Leistungsschaltung, die auf einem Halbleiterchip gebildet ist, sowie ein entsprechendes Herstellungsverfahren |
US6949992B2 (en) * | 2002-03-20 | 2005-09-27 | Powerwave Technologies, Inc. | System and method of providing highly isolated radio frequency interconnections |
US7102217B2 (en) * | 2003-04-09 | 2006-09-05 | Micron Technology, Inc. | Interposer substrates with reinforced interconnect slots, and semiconductor die packages including same |
US7466021B2 (en) * | 2003-11-17 | 2008-12-16 | Interconnect Portfolio, Llp | Memory packages having stair step interconnection layers |
US7081667B2 (en) * | 2004-09-24 | 2006-07-25 | Gelcore, Llc | Power LED package |
US7326591B2 (en) * | 2005-08-31 | 2008-02-05 | Micron Technology, Inc. | Interconnecting substrates for microelectronic dies, methods for forming vias in such substrates, and methods for packaging microelectronic devices |
US7687342B2 (en) * | 2005-09-01 | 2010-03-30 | Micron Technology, Inc. | Method of manufacturing a memory device |
US9082762B2 (en) * | 2009-12-28 | 2015-07-14 | International Business Machines Corporation | Electromigration-resistant under-bump metallization of nickel-iron alloys for Sn-rich solder bumps in Pb-free flip-clip |
KR101770823B1 (ko) * | 2010-03-18 | 2017-08-24 | 삼성전자주식회사 | 휴대 단말기용 대용량 메모리 모듈 실장 장치 |
US8084300B1 (en) | 2010-11-24 | 2011-12-27 | Unisem (Mauritius) Holdings Limited | RF shielding for a singulated laminate semiconductor device package |
Family Cites Families (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1339660A (en) * | 1971-11-20 | 1973-12-05 | Ferranti Ltd | Supports for semiconductor devices |
JPS57133655A (en) * | 1981-02-10 | 1982-08-18 | Pioneer Electronic Corp | Lead frame |
US4410905A (en) * | 1981-08-14 | 1983-10-18 | Amp Incorporated | Power, ground and decoupling structure for chip carriers |
US4446375A (en) * | 1981-10-14 | 1984-05-01 | General Electric Company | Optocoupler having folded lead frame construction |
DE3151408C1 (de) * | 1981-12-24 | 1983-06-01 | GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München | Ausweiskarte mit einem IC-Baustein |
FR2524247A1 (fr) * | 1982-03-23 | 1983-09-30 | Thomson Csf | Procede de fabrication de circuits imprimes avec support metallique rigide conducteur individuel |
JPS59175149A (ja) * | 1983-03-24 | 1984-10-03 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
US5001546A (en) * | 1983-07-27 | 1991-03-19 | Olin Corporation | Clad metal lead frame substrates |
US4595945A (en) * | 1983-10-21 | 1986-06-17 | At&T Bell Laboratories | Plastic package with lead frame crossunder |
US4539472A (en) * | 1984-01-06 | 1985-09-03 | Horizon Technology, Inc. | Data processing card system and method of forming same |
US4598308A (en) * | 1984-04-02 | 1986-07-01 | Burroughs Corporation | Easily repairable, low cost, high speed electromechanical assembly of integrated circuit die |
JPS60252992A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-13 | Toshiba Corp | Icカ−ド |
US4862245A (en) * | 1985-04-18 | 1989-08-29 | International Business Machines Corporation | Package semiconductor chip |
US4937203A (en) * | 1986-09-26 | 1990-06-26 | General Electric Company | Method and configuration for testing electronic circuits and integrated circuit chips using a removable overlay layer |
US4796078A (en) * | 1987-06-15 | 1989-01-03 | International Business Machines Corporation | Peripheral/area wire bonding technique |
CA1278618C (en) * | 1987-07-20 | 1991-01-02 | George Erdos | Plastic encapsulated integrated circuit package with electrostatic shield |
JP2522524B2 (ja) * | 1988-08-06 | 1996-08-07 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JPH07120740B2 (ja) * | 1988-09-13 | 1995-12-20 | 株式会社三井ハイテック | 半導体用リードフレームとその製造法 |
DE3911711A1 (de) * | 1989-04-10 | 1990-10-11 | Ibm | Modul-aufbau mit integriertem halbleiterchip und chiptraeger |
DE68916784T2 (de) * | 1989-04-20 | 1995-01-05 | Ibm | Integrierte Schaltungspackung. |
JPH038352A (ja) * | 1989-06-06 | 1991-01-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
EP0917198B1 (en) * | 1989-06-30 | 2003-05-07 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device packaging process |
US5237201A (en) * | 1989-07-21 | 1993-08-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | TAB type semiconductor device and method of manufacturing the same |
US5412247A (en) * | 1989-07-28 | 1995-05-02 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Protection and packaging system for semiconductor devices |
JPH03129870A (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-03 | Nec Kyushu Ltd | リードフレーム |
US4965654A (en) * | 1989-10-30 | 1990-10-23 | International Business Machines Corporation | Semiconductor package with ground plane |
US5170328A (en) * | 1990-04-24 | 1992-12-08 | Delco Electronics Corporation | Packaging for molded carriers of integrated circuits |
US5099309A (en) * | 1990-04-30 | 1992-03-24 | International Business Machines Corporation | Three-dimensional memory card structure with internal direct chip attachment |
US5227338A (en) * | 1990-04-30 | 1993-07-13 | International Business Machines Corporation | Three-dimensional memory card structure with internal direct chip attachment |
US5147815A (en) * | 1990-05-14 | 1992-09-15 | Motorola, Inc. | Method for fabricating a multichip semiconductor device having two interdigitated leadframes |
US5075252A (en) * | 1990-05-14 | 1991-12-24 | Richard Schendelman | Interdigitated trans-die lead method of construction for maximizing population density of chip-on-board construction |
JPH04348045A (ja) * | 1990-05-20 | 1992-12-03 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US5227662A (en) * | 1990-05-24 | 1993-07-13 | Nippon Steel Corporation | Composite lead frame and semiconductor device using the same |
US5399903A (en) * | 1990-08-15 | 1995-03-21 | Lsi Logic Corporation | Semiconductor device having an universal die size inner lead layout |
JPH04124846A (ja) * | 1990-09-14 | 1992-04-24 | Nippon Steel Corp | テープキャリヤ |
KR920007161A (ko) * | 1990-09-26 | 1992-04-28 | 기따지마 요시도기 | 다층 리드프레임(lead frame), 이 다층 리드프레임에 사용되는 도전판 및 이 도전판의 제조방법 |
US5177032A (en) * | 1990-10-24 | 1993-01-05 | Micron Technology, Inc. | Method for attaching a semiconductor die to a leadframe using a thermoplastic covered carrier tape |
US5140404A (en) * | 1990-10-24 | 1992-08-18 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor device manufactured by a method for attaching a semiconductor die to a leadframe using a thermoplastic covered carrier tape |
DE9017041U1 (ko) * | 1990-12-18 | 1991-03-07 | Akyuerek, Altan, Dipl.-Ing., 8560 Lauf, De | |
US5227232A (en) * | 1991-01-23 | 1993-07-13 | Lim Thiam B | Conductive tape for semiconductor package, a lead frame without power buses for lead on chip package, and a semiconductor device with conductive tape power distribution |
US5218229A (en) * | 1991-08-30 | 1993-06-08 | Micron Technology, Inc. | Inset die lead frame configuration lead frame for a semiconductor device having means for improved busing and die-lead frame attachment |
US5350947A (en) * | 1991-11-12 | 1994-09-27 | Nec Corporation | Film carrier semiconductor device |
US5220195A (en) * | 1991-12-19 | 1993-06-15 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having a multilayer leadframe with full power and ground planes |
US5349234A (en) * | 1992-05-29 | 1994-09-20 | Eastman Kodak Company | Package and method for assembly of infra-red imaging devices |
KR100269281B1 (ko) * | 1992-12-17 | 2000-10-16 | 윤종용 | 반도체장치 |
US5481436A (en) * | 1992-12-30 | 1996-01-02 | Interconnect Systems, Inc. | Multi-level assemblies and methods for interconnecting integrated circuits |
US5306670A (en) * | 1993-02-09 | 1994-04-26 | Texas Instruments Incorporated | Multi-chip integrated circuit module and method for fabrication thereof |
US5661336A (en) * | 1994-05-03 | 1997-08-26 | Phelps, Jr.; Douglas Wallace | Tape application platform and processes therefor |
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