KR970073332A - 레이아웃의 면적을 줄인 반도체 메모리 장치 - Google Patents

레이아웃의 면적을 줄인 반도체 메모리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970073332A
KR970073332A KR1019960015975A KR19960015975A KR970073332A KR 970073332 A KR970073332 A KR 970073332A KR 1019960015975 A KR1019960015975 A KR 1019960015975A KR 19960015975 A KR19960015975 A KR 19960015975A KR 970073332 A KR970073332 A KR 970073332A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
row
column
decoder
disposed
memory device
Prior art date
Application number
KR1019960015975A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0183847B1 (ko
Inventor
황정화
윤세승
서동일
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019960015975A priority Critical patent/KR0183847B1/ko
Publication of KR970073332A publication Critical patent/KR970073332A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0183847B1 publication Critical patent/KR0183847B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/80Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/785Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with redundancy programming schemes
    • G11C29/787Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with redundancy programming schemes using a fuse hierarchy
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/02Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
    • G11C5/025Geometric lay-out considerations of storage- and peripheral-blocks in a semiconductor storage device
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/06Address interface arrangements, e.g. address buffers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/10Decoders
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/14Word line organisation; Word line lay-out

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

본 발명은 디코딩된 로우/칼럼 어드레스 라인을 로우/칼럼 디코더의 입력과 로우/칼럼 퓨즈 수단에 공통으로 입력되도록 배선하여 레이아웃의 면적을 줄인 반도체 메모리 장치에 관한 것으로서, 상기 메모리 셀어레이 하단에 상기 로우디코더를 배치하고, 상기 로우디코더의 하단에 상기 로우 퓨즈수단을 배치하고, 상기 로우 퓨즈수단의 하단에 상기 로우 컨트롤수단을 배치하고, 외부에서 지정한 로우 어드레스 라인을 상기 로우 디코더와 로우 퓨즈수단의 사이에 위치하도록 배선하여 각각의 입력단에 공통으로 연결하고, 블럭선택 정보로 사용되는 로우 어드레스 라인은 상기 로우 퓨즈수단과 상기 로우 컨트롤 수단의 사이에 위치하도록 배선하여 각각의 입력단에 공통으로 연결하는 레이아웃 구조를 갖는다.
따라서, 상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 어드레스 라인의 갯수를 줄여 반도체 메모리 장치의 레이아웃 면적의 크기를 줄이는 효과를 갖는다.

Description

레이아웃의 면적을 줄인 반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 로우계의 버스라인 배치 구조를 나타낸 도면이다, 제2도는 종래의 칼럼계의 버스라인 배치구조를 나타낸 도면이다.

Claims (6)

  1. 다수개의 워드선, 비트선 및 메모리 셀로 구성된 메모리 셀어레이와, 상기 메모리 셀어레이의 워드선 중의 일부를 선택하는 로우 디코더와, 상기 메모리 셀어레이 블록을 컨트롤하는 로우 컨트롤 수단과, 결함된 셀의 어드레스를 저장하는 로우 퓨즈수단을 포함하는 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 메모리 셀어레이 하단에 상기 로우 디코더를 배치하고, 상기 로우 디코더의 하단에 상기 로우 퓨즈수단을 배치하고, 상기 로우 퓨즈수단의 하단에 상기 로우 컨트롤수단을 배치하며, 외부에서 지정한 로우 어드레스 라인을 상기 로우 디코더와 로우 퓨즈수단의 사이에 위치하도록 배선하여 각각의 입력단에 공통으로 연결하고, 블록선택정보로 사용되는 로우 어드레스 라인을 상기 로우 퓨즈수단과 상기 로우 컨트롤 수단의 사이에 위치하도록 배선하여 각각의 입력단에 공통으로 연결하는 레이아웃 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 로우 어드레스 라인은 로우 어드레스 버퍼의 출력임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 로우 어드레스 라인은 디코딩된 로우 어드레스임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  4. 다수개의 워드선, 비트선 및 메모리 셀로 구성된 메모리 셀어레이와, 상기 메모리 셀어레이의 비트선중의 일부를 선택하는 칼럼 디코더와, 상기 메모리 셀어레이를 컨트롤하는 칼럼 컨트롤 수단과, 결함된 셀의 어드레스를 저장하는 칼럼 퓨즈수단을 포함하는 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 메모리 셀어레이 하단에 상기 칼럼디코더를 배치하고, 상기 칼럼 디코더의 하단에 상기 칼럼 퓨즈수단을 배치하고, 상기 칼럼 퓨즈수단의 하단에 상기 칼럼 컨트롤수단을 배치하며, 외부에서 지정한 칼럼 어드레스 라인을 상기 칼럼 디코더와 칼럼 퓨즈수단의 사이에 위치하도록 배선하여 각각의 입력단에 공통으로 연결하고, 블록선택정보로 사용되는 칼럼 어드레스 라인을 상기 칼럼 퓨즈수단과 상기 칼럼 컨트롤 수단의 사이에 위치하도록 배선하여 각각의 입력단에 공통으로 연결하는 레이아웃 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 칼럼 어드레스 라인은 칼럼 어드레스 버퍼의 출력임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 칼럼 어드레스 라인은 디코딩된 칼럼 어드레스임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960015975A 1996-05-14 1996-05-14 레이아웃의 면적을 줄인 반도체 메모리 장치 KR0183847B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960015975A KR0183847B1 (ko) 1996-05-14 1996-05-14 레이아웃의 면적을 줄인 반도체 메모리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960015975A KR0183847B1 (ko) 1996-05-14 1996-05-14 레이아웃의 면적을 줄인 반도체 메모리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970073332A true KR970073332A (ko) 1997-12-10
KR0183847B1 KR0183847B1 (ko) 1999-04-15

Family

ID=19458611

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960015975A KR0183847B1 (ko) 1996-05-14 1996-05-14 레이아웃의 면적을 줄인 반도체 메모리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0183847B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100649436B1 (ko) * 1998-08-28 2006-11-24 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 메모리의 주변회로와 배선 레이아웃이 개선된 반도체장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100648282B1 (ko) 2005-01-25 2006-11-23 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 결함 어드레스 저장 회로

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100649436B1 (ko) * 1998-08-28 2006-11-24 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 메모리의 주변회로와 배선 레이아웃이 개선된 반도체장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR0183847B1 (ko) 1999-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4542486A (en) Semiconductor memory device
KR960019715A (ko) 반도체장치
KR870007520A (ko) 여유회로부를 갖춘 반도체 메모리장치
KR920008925A (ko) 반도체집적회로
KR930017189A (ko) 반도체롬
KR930003159A (ko) 반도체 기억장치
KR960030379A (ko) 반도체 메모리장치
KR930003134A (ko) 반도체 기억 장치
JPH0191526A (ja) プログラマブル論理素子
KR920017101A (ko) 반도체 메모리 장치의 워드라인 드라이버단 배치방법
KR970073332A (ko) 레이아웃의 면적을 줄인 반도체 메모리 장치
JPH0421956B2 (ko)
KR960030245A (ko) 반도체 기억장치
KR850004856A (ko) 프로그래머블 반도체 메모리장치
KR860006875A (ko) 반도체 장치
KR870001602A (ko) 가변 페이지 rom
JPH05210577A (ja) チップ選択端子対を備える半導体装置
KR960008856A (ko) 용장회로를 갖는 반도체 기억장치
KR970063268A (ko) 반도체 메모리 장치
KR970060520A (ko) 반도체집적회로장치
KR960025720A (ko) 반도체 기억장치
KR0164818B1 (ko) 옵션가능한 블럭라이트용 반도체 메모리장치
KR19990034768A (ko) 프리디코더를 구비한 반도체 메모리장치
KR960002818B1 (ko) 반도체 기억 장치
KR970076839A (ko) 다 비트(Bit) 입출력을 위한 디램

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20061128

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee