KR970063268A - 반도체 메모리 장치 - Google Patents

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KR970063268A
KR970063268A KR1019960026983A KR19960026983A KR970063268A KR 970063268 A KR970063268 A KR 970063268A KR 1019960026983 A KR1019960026983 A KR 1019960026983A KR 19960026983 A KR19960026983 A KR 19960026983A KR 970063268 A KR970063268 A KR 970063268A
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야스히로 호타
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쯔지 하루오
샤프 가부시끼가이샤
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  • Read Only Memory (AREA)
  • Dram (AREA)
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Abstract

반도체 메모리 장치는 데이타 라인에 대응하여 제공된 두개의 센스 앰프 및 상기 두개의 센스 앰프로 상기 데이타 라인 중 두 라인을 선택적으로 접속하기 위한 스위칭 희로를 각각 포함한다. 상기 메모리 셀 중 하나에 지정된 데이타는 상기 센스 앰프의 하나에 접속된 데이타 라인을 거쳐 출력 버퍼로 전송되도록 증폭된다. 이러한 동작과 병행하여, 다음 메모리 셀에 저장된 데이타는 또 다른 센스 앰프에 접속된 데이타 라인을 거쳐 증폭되어 확정된다. 이러한 방식으로, 메모리 셀내에 저장된 데이타가 출력 버퍼로 전송된 후에, 다음 메모리 셀내에 저장된 데이타는 출력 버퍼로 이어서 전송된다.

Description

반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치의 구성을 도시하는 회로 다이아그램.
제2도는 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치에 이용되는 디코더를 도시한 다이아그램.

Claims (7)

  1. 복수의 데이타라인; 그 각각은 상기 데이타 라인의 각각에 전기적으로 접속되는 복수의 열 선택 라인; 그 각각은 상기 데이타 라인의 각각에 전기적으로 접속되는 복수의 행 선택 라인; 매트릭스 형태로 배열된 복수의 메모리 셀로, 그 각각이 상기 데이타 라인 중 하나, 상기 열 선택 라인 중 하나 및 상기 행 선택 라인중 하나에 전기적으로 접속되어 있고, 상기 행 선택 라인의 선택된 하나와 상기 열 선택 라인의 선택된 하나를 지정하는 것에 의해 선정된 수의 메모리 셀이 동시에 선택되는 복수의 메모리 셀, 그 각각은 상기 데이타 라인 중 하나에 전기적으로 접속되는 복수의 로드 회로; 두개의 센스 앰프 회로; 및 상기 복수의 데이타 라인 중 어느 두 라인을 선택적으로 상기 두개의 센스 앰프 회로로 각각 전기적으로 접속하기 위한 스위칭 회로; 를 포함하는 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 두개의 센스 앰프 회로 중 하나의 출력 신호를 선택적으로 출력하기 위한 출력 선택 수단을 더 포함하는 반도체 메모리 장치.
  3. 복수의 데이타 라인; 그 각각은 상기 데이타 라인 각각에 전기적으로 접속되는 복수의 열 선택 라인; 그 각각은 상기 데이타 라인 각각에 전기적으로 접속되는 복수의 행 선택 라인; 매트릭스 형태로 배열된 복수의 메모리 셀로, 그 각각이 상기 데이타 라인 중 하나, 상기 열 선택 라인 중 하나 및 상기 행 선택 라인 중 하나에 전기적으로 접속되는 복수의 메모리 셀; 그 각각은 상기 데이타 라인에 전기적으로 접속된 복수의 로드 회로; 두개의 센스 앰프 회로; 및 상기 복수의 데이타 라인 및 상기 두개의 센스 앰프 회로에 전기적으로 접속되는 스위칭 회로; 를 포함하는 반도체 메모리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 스위칭 회로는 상기 복수의 데이타 라인 중 어느 두 라인을 선택적으로 상기 두개의 센스 앰프 회로로 각각 전기적으로 접속하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 두개의 센스 앰프 회로에 전기적으로 접속된 출력 선택기를 더 포함하는 반도체 메모리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 출력 선택기는 상기 두개의 센스 앰프 회로 중 하나의 출력 신호를 선택적으로 출력하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  7. 제3항에 있어서, 상기 행 선택 라인 중 선택된 하나와 상기 열 선택 라인 중 선택된 하나를 지정하는 것에 따라, 선정된 수의 상기 메모리 셀이 동시에 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960026983A 1996-02-22 1996-06-29 반도체 메모리 장치 KR100195671B1 (ko)

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JP3529496A JP3219236B2 (ja) 1996-02-22 1996-02-22 半導体記憶装置

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EP (1) EP0791931B1 (ko)
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KR100195671B1 (ko) 1999-06-15
EP0791931A2 (en) 1997-08-27
US5717637A (en) 1998-02-10
JPH09231762A (ja) 1997-09-05
DE69637074T2 (de) 2008-01-10
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JP3219236B2 (ja) 2001-10-15
TW400525B (en) 2000-08-01
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