KR970072418A - 반도체장치의 커패시터 제조방법 - Google Patents
반도체장치의 커패시터 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970072418A KR970072418A KR1019960012548A KR19960012548A KR970072418A KR 970072418 A KR970072418 A KR 970072418A KR 1019960012548 A KR1019960012548 A KR 1019960012548A KR 19960012548 A KR19960012548 A KR 19960012548A KR 970072418 A KR970072418 A KR 970072418A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- insulating film
- forming
- planarization insulating
- film pattern
- planarization
- Prior art date
Links
Abstract
집적도를 향상시킬 수 있는 반도체 장치의 커패시터 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 트랜지스터가 형성된 반도체 기판상에 제1평탄화절연막을 형성하는 단계와, 상기 제1평탄화절연막 상에 비트라인을 형성하는 단계와, 상기 비트라인이 형성된 기판상에 캡핑 절연막, 제2평탄화절연막 및 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막, 제2평탄화절연막 패턴, 캡핑 절연막 및 제1평탄화절연막을 이방성식각하여 상기 반도체 기판을 노출하는 콘택홀을 갖는 절연막 패턴, 제2평탄화절연막, 캡핑 절연막 패턴 및 제1평탄화절연막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1평탄화절연막 패턴, 캡핑 절연막 패턴 및 제2평탄화절연막 패턴의 양측벽에 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 절연막 패턴을 마스크로 상기 제2평탄화절연막 패턴을 습식식각하여 콘택홀의 상단부에 요철모양을 갖는 제3평탄화절연막 패턴을 형성하는 단계; 상기 스페이서가 형성된 기판의 전면에 상기 콘택홀을 매립하도록 스토리지 전극을 형성하는 단계와, 상기 스토리지 전극이 형성된 기판 전면에 유전체막 및 플레이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명은 스토리지 전극의 높이를 낮추어 후속배선공정에서의 공정마진 및 집적도를 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도 내지 제5도는 본 발명에 따른 반도체 장치의 커패시터 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
Claims (1)
- 트랜지스터가 형성된 반도체 기판상에 제1평탄화절연막을 형성하는 단계와; 상기 제1평탄화절연막 상에 비트라인을 형성하는 단계; 상기 비트라인이 형성된 기판상에 캡핑 절연막, 제2평탄화절연막 및 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막, 제2평탄화절연막, 캡핑 절연막 및 제1평탄화절연막을 이방성식각하여 상기 반도체 기판을 노출하는 콘택홀을 갖는 절연막 패턴, 제2평탄화절연막 패턴, 캡핑 절연막 패턴 및 제1평탄화절연막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1평탄화절연막 패턴, 캡핑 절연막 패턴 및 제2평탄화절연막 패턴의 양측벽에 스페이서를 형성하는 단계; 상기 절연막 패턴을 마스크로 상기 제2평탄화절연막 패턴을 습식식각하여 콘택홀의 상단부에 요철모양을 갖는 제3평탄화절연막 패턴을 형성하는 단계; 상기 스페이서가 형성된 기판의 전면에 상기 콘택홀을 매립하도록 스토리지 전극을 형성하는 단계; 및 상기 스토리지 전극이 형성된 기판 전면에 유전체막 및 플레이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960012548A KR970072418A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 반도체장치의 커패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960012548A KR970072418A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 반도체장치의 커패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970072418A true KR970072418A (ko) | 1997-11-07 |
Family
ID=66216777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960012548A KR970072418A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 반도체장치의 커패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970072418A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040039592A (ko) * | 2002-11-04 | 2004-05-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 커패시터 제조 방법 |
| KR100818651B1 (ko) * | 2005-12-14 | 2008-04-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 캐패시터의 제조 방법 |
-
1996
- 1996-04-24 KR KR1019960012548A patent/KR970072418A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040039592A (ko) * | 2002-11-04 | 2004-05-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 커패시터 제조 방법 |
| KR100818651B1 (ko) * | 2005-12-14 | 2008-04-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 캐패시터의 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR980006303A (ko) | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR970063734A (ko) | 반도체 장치의 커패시터 제조 방법 | |
| KR970072418A (ko) | 반도체장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR970024206A (ko) | 반도체 기억소자의 캐패시터 제조방법. | |
| KR980005912A (ko) | 반도체 장치의 금속콘택구조 및 그 제조방법 | |
| KR950007098A (ko) | 디램셀 제조방법 | |
| KR970072417A (ko) | 반도체장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR940001284A (ko) | 반도체소자의 콘택제조방법 | |
| KR960032747A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 | |
| KR960019730A (ko) | 수직구조 트랜지스터를 이용한 반도체장치 및 제조방법 | |
| KR970013354A (ko) | 반도체장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR940016786A (ko) | 반도체 메모리 장치의 제조 방법 | |
| KR970054094A (ko) | 반도체 소자의 비트라인 형성방법 | |
| KR970054134A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR970013348A (ko) | 반도체장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR970077208A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR950007111A (ko) | 반도체 장치의 캐패시터 제조 방법 | |
| KR970051931A (ko) | 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법, 이에 사용되는 마스크 | |
| KR20020012017A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR980006350A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR970003959A (ko) | 캐패시터의 전하저장전극 형성방법 | |
| KR970024226A (ko) | 반도체 메모리소자의 스토리지 전극 형성방법 | |
| KR970077218A (ko) | 리프레쉬 특성을 개선하기 위한 콘택 형성 방법 | |
| KR930003346A (ko) | 고집적도 디바이스를 위한 콘택 제조 방법 | |
| KR930014972A (ko) | 고집적 소자의 콘택제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |