KR970013354A - 반도체장치의 커패시터 제조방법 - Google Patents

반도체장치의 커패시터 제조방법 Download PDF

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KR970013354A
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김윤기
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김광호
삼성전자주식회사
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10B12/02Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
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    • H10B12/033Making the capacitor or connections thereto the capacitor extending over the transistor
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Abstract

반도체장치의 커패시터 제조방법에 관하여 기재하고 있다. 반도체기판상에 층간절연층을 형성하고, 상기 결과물 상에 스토리지전극을 형성한 다음, 상기 스토리지전극 상에 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 기판상에 적층된 상기 스토리지전극 및 층간절연층을 부분적으로 식각하여 상기 기판의 소오스영역을 노출시키는 콘택홀을 형성하고, 상기 스토리지전극의 측벽 및 상기 콘택홀 내벽에 도전물 스페이서를 형성한다. 따라서, 커패시터의 유효면적을 확장하여 커패시터스를 증가시킬 수 있다.

Description

반도체장치의 커패시터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 및 제2e도는 본 발명의 일 실시예에 따른 커패시터 형성방법의 일예를 도시한 공정순서도.

Claims (7)

  1. 반도체기판 상에 층간절연층을 형성하는 단계 ; 상기 결과물 상에 스토리지전극을 형성하는 단계 ; 상기 스토리지전극 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 ; 상기 기판 상에 적층된 상기 스토리지전극 및 층간절연층을 부분적으로 식각하여 상기 기판의 소오스영역을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계 ; 및 상기 스토리지전극의 측벽 및 상기 콘택홀 내벽에 도전물 스페이서를 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 커패시터 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 층간절연층 형성전, 상기 기판과 콘택홀 사이에 폴리실리콘 패드를 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 커패시터 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 콘택홀 내벽에 형성된 상기 도전물 스페이서는 상기 콘택홀 저변에서 서로 연결되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 커패시터 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 스페이서 형성을 위한 도전층은 상기 콘택홀 상단 폭의 1/2보다 두꺼운 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 커패시터 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 스페이서는 이방성식각 또는 에치백 식각을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 커패시터 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 콘택홀 형성시 계단식(step by step) 식각방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 커패시터 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 콘택홀 형성하는 단계에서, 상기 스토리지전극을 식각하고 포토레지스트 패턴의 측벽에 PH-SiH4및 TEOS를 증착한 다음, 층간절연층을 식각하여 콘택홀의 크기를 작게 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 커패시터 제조방법.
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