KR970072387A - 반도체 장치 - Google Patents
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Abstract
인덕턴스분을 포함하는 모터 등의 유도부하를 구동하는 구동용 반도체장치에 관한 것으로서, 모터구동회로용 반도체 집적회로에 있어서 칩의 소비전력을 작게 하고 또 소신호 회로부의 요소가 기생전류에 의해 영향받는 정도를 작게 하기 위해서, 동일 칩상에 파워트랜지스터와 소신호계 회로가 병존하는 반도체 집적회로에 있어서 파워트랜지스터부와 소신호계 회로부사이에 N형 에피택셜층을 접지하도록 구성하였다.
이와 같이 구성하는 것에 있어서, N형 에피택셜층을 흐르는 전류에 의한 전력 소비를 작게 할 수 있고 또 소신호회로부에서 발생하는 이상동작을 방지할 수 있다는 효과가 얻어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시형태1에 의한 반도체장치의 평면도를 도시한 도면, 제2도는 본 발명의 실시형태1에 의한 반도체장치의 단면도를 도시한 도면, 제3도는 본 발명의 실시형태2에 의한 반도체장치의 평면도를 도시한 도면, 제4도는 본 발명의 실시형태3에 의한 반도체장치의 평면도를 도시한 도면, 제5도는 본 발명의 실시형태3에 의한 반도체장치의 단면도를 도시한 도면, 제6도는 본 발명의 실시형태4에 의한 반도체장치의 평면도를 도시한 도면, 제7도는 모터 구동회로의 동작예를 도시한 도면, 제8도는 모터 구동회로의 동작예를 도시한 도면, 제9도는 모터 구동회로의 출력전압파형을 도시한 도면, 제10도는 종래의 모터구동용 반도체장치의 평면도의 1예를 도시한 도면, 제11도는 종래의 모터구동용 반도체장치의 단면도의 1예를 도시한 도면, 제12도는 종래의 모터구동용 반도체장치에서 사용되는 소신호회로의 1예를 도시한 도면.
Claims (2)
- 동일 칩상에 파워트랜지스터와 소신호계 회로가 병존하는 반도체 집적회로에 있어서, 파워트랜지스터부와 소신호계 회로부사이에 N형의 에피택셜층을 배치하고, 이 N형의 에피택셜층을 접지한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 동일 칩상에 파워트랜지스터와 소신호계 회로가 병존하는 반도체 집적회로에 있어서, 접지측 파워트랜지스터의 에피택셜층과 전원측 파워트랜지스터의 에피택셜층사이에 N형 에피택셜층을 배치하고, 이 N형 에피택셜층을 접지한 것을 특징으로 하는 반도체장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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