KR970072300A - 반도체장치의 소자분리 방법 - Google Patents
반도체장치의 소자분리 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체장치의 소자분리방법에 관해 개시한다. 본 발명에 의한 소자분리방법은 기판상에 제1절연막을 형성하여 활성영역과 필드영역을 한정하는 단계, 상기 필드영역에 트렌치를 형성하는 단계, 상기 활성영역의 가장자리에서 상기 제1절연막아래에 언더 컷을 형성하는 단계, 상기 결과를 전면에 제2절연막을 형성하는 단계, 상기 트랜치에 제3절연막을 채우고 어닐링하는 단계, 상기 결과물 전면을 평탄화하는 단계 및 상기 제1절연막을 완전히 제거하는 단계를 포함한다.
본 발명은 활성영역을 가장자리의 라운딩형성을 위해 고온공정을 사용하지 않고 습식식각공정을 이용하므로 공정을 단순화 할 수 있을 뿐만 아니라 공정단가를 낮추어 반도체장치의 생산비를 낮출 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도 내지 제12도는 본 발명에 의한 반도체장치의 소자분리방법을 단계별로 나타낸 도면들이다.
Claims (4)
- 기판상에 제1절연막을 형성하여 활성영역과 필드영역을 한정하는 단계; 상기 필드영역에 트렌치를 형성하는 단계; 상기 활성영역의 가장자리에서 상기 제1절연막아래에 언더 컷을 형성하는 단계; 상기 결과를 전면에 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 트랜치에 제3절연막을 채우고 어닐링하는 단계; 상기 결과물 전면을 평탄화하는 단계 및 상기 제1절연막을 완전히 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리 방법.
- 제1항에 있어서, 언더 컷은 슬라이트 식각으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 슬라이트 식각에서는 NH4F/HF/H2O2를 에천터로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 에천터에서 7 : 1의 NH4F/HF를 일정량 함유하는 순수를 제1용액이라 하고 H2O2를 일정량 함유하는 순수를 제2용액이라 할 때 상기 슬라이트 식각에서, 상기 제1 및 제2용액의 혼합비율을 1/125∼1/25로 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960012507A KR970072300A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 반도체장치의 소자분리 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960012507A KR970072300A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 반도체장치의 소자분리 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970072300A true KR970072300A (ko) | 1997-11-07 |
Family
ID=66216991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960012507A KR970072300A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 반도체장치의 소자분리 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970072300A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100415096B1 (ko) * | 1997-12-19 | 2004-03-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의소자분리막의형성방법 |
-
1996
- 1996-04-24 KR KR1019960012507A patent/KR970072300A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100415096B1 (ko) * | 1997-12-19 | 2004-03-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의소자분리막의형성방법 |
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