KR980005578A - 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 콘택홀 형성방법 Download PDF

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KR980005578A KR1019960024968A KR19960024968A KR980005578A KR 980005578 A KR980005578 A KR 980005578A KR 1019960024968 A KR1019960024968 A KR 1019960024968A KR 19960024968 A KR19960024968 A KR 19960024968A KR 980005578 A KR980005578 A KR 980005578A
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김주용
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 형성방법을 제공하는 것으로, 절연막에 대하여 식각 선택비가 동일한 사용하므로써 콘택홀 형성후 자연 산화막 제거시 식각 선택비로 인한 콘택홀 측벽에 발생되는 요철을 방지하거나 또는 층간 산화막을 콘택홀 형성시 콘택홀 측벽에 노출되지 않도록 콘택홀 형성전에 소정부분을 식각하여 제거하므로써 양호한 콘택홀을 형성할 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 소자의 콘택홀 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a 내지 2d도는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 소자의 콘택홀 형성방법을 설명하기 위해 도시한 소자의 단면도.

Claims (11)

  1. 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 있어서 접합영역이 형성된 실리콘 기판상에 제1절연막. 제1USG막 및 제2절연막을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 제2절연막상에 제2USG막 및 제3절연막을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 접합영역이 노출되도록 상기 제3절연막, 제2USG막 제2절연막, 제1USG막 및 제1절연막을 순차적으로 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 실리콘기판상에 세정공정을 실시하여 자연적으로 성장한 산화막을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1USG막 및 제 2절연막과 상기 제2USG막 및 제3절연막은 각각 인시류로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1및 제2USG막은 200내지 1000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1내지 제3절연막은 BPSG로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 세정공정은 100 : 1 비율의 BOE를 이용하여 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  6. 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 있어서, 접합영역이 형성된 실리콘기판상에 제1절연막, 제1층간 산화막을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 산기 제1층간 산화막의 소정부분을 식각공정으로 제거한 후 제2절연막을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 제2절연막상에 제2층간 산화막 및 제3절연막을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 단계로부터의 상기 접합영역이 노출되도록 상기 제3절연막, 제2층간 산화막, 제2절연막, 제1층간 산화막 및 제1절연막을 순차적으로 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 실리콘 기판에 세정공정을 실시하여 콘택홀 하부에 자연적으로 형성된 산화막을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 식각공정은 플로린 계열의 가스를 이용한 플라즈마를 사용하여 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 식각공정은 BOE 및 HF를 사용하여 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 식각공정은 BOE의 비율은 NH4F : HF가 300 : 1내지 9 : 1이며, HF의 비율은 순수 : HF가 100 : 1 내지 50 : 1인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 제1 내지 제3절연막은 BPSG로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  11. 제6항에 있어서, 상기 세정공정은 100 : 1 비율의 BOE를 이용하여 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960024968A 1996-06-28 1996-06-28 반도체소자의콘택홀형성방법 KR100399906B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100447253B1 (ko) * 2001-12-31 2004-09-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 금속배선 형성방법
KR100780616B1 (ko) * 2001-12-29 2007-11-29 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조 방법

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