KR970072095A - 반도체 소자의 본딩 패드 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 본딩 패드 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조공정에서 와이어 본딩을 위한 본딩 패드 형성방법을 개시한다. 이 방법은 소정의 단위 셀 및 배선 등이 형성된 반도체 기판 상부에 소정의 층간 절연막이 형성된 반도체 소자에 있어서, 절연막 위에 소정 두께를 갖는 알루미늄-구리 합금막의 본딩 패드용 금속배선을 형성하는 단계; 금속배선의 상부에 패턴형성을 위한 노광공정시 금속배선으로부터의 반사를 방지하기 위한 비반사용 금속막을 형성하는 단계; 소정 두께의 제1보호막을 전면에 형성하는 단계; 금속배선 상부 소정부분의 보호막과 반사 방지막을 순차적으로 제거하는 단계; 실리콘 원자를 소정의 농도와 주입에너지로 이온주입하는 단계; 소정 분위기에서 열처리하는 단계; 노출된 금속배선 표면을 제외한 전면에 제2보호막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 소자의 본딩 패드 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 것으로서, 본딩 패드를 형성하기 위한 과정을 보여주는 공정 흐름도.

Claims (12)

  1. 소정의 단위 셀 및 배선등이 형성된 반도체 기판 상부에 소정의 층간 절연막이 형성된 반도체 소자에 있어서, 절연막 위에 소정 두께를 갖는 알루미늄-구리 합금막의 본딩 패드용 금속배선을 형성하는 단계; 금속배선의 상부에 패턴형성을 위한 노광공정시 상기 금속배선으로부터의 반사를 방지하기 위한 비반사용 금속막을 형성하는 단계; 소정 두께의 제1보호막을 전면에 형성하는 단계; 금속배선 상부 소정부분의 보호막과 반사 방지막을 순차적으로 제거하는 단계; 실리콘 원자를 소정의 농도와 주입에너지로 이온주입하는 단계; 소정 분위기에서 열처리하는 단계; 노출된 금속배선 표면을 제외한 전면에 제2보호막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 본딩패드 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 알루미늄-구리 합금막의 두께는 5,000~10,000Å범위인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 본딩패드 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반사방지용 금속막은 TiN인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 본딩패드 형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 TiN막의 두께는 200~400Å 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 본딩패드 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1보호막은 플라즈마 보조 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 본딩패드 형성방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 플라즈마 보조 산화막의 두께는 2,000~4,000Å 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 본딩패드 형성방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제2보호막은 플라즈마 보조 질화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 본딩패드 형성방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 플라즈마 보조 질화막의 두께는 3,000~8,000Å 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 본딩패드 형성방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 실리콘의 주입조건은 100~250KeV의 주입에너지, 1E14~1E19원자/㎤의 주입량인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 본딩패드 형성방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 열처리 조건은 400~450℃의 온도범위, 30~60분의 열처리 시간, 질소분위기인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 본딩패드 형성방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 방법은 노출된 금속배선 표면을 제외한 제2보호막 전면에 폴리이미드막을 소정 두께로 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 본딩패드 형성방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 폴리이미드막의 두께는 10~20㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 본딩패드 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR100790739B1 (ko) * 2002-10-02 2007-12-31 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 패드 형성 방법

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