KR970067863A - 반도체 소자의 캐패시터 구조 및 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 특히 적층형 캐패시터 하부에 터널형의 2차 캐패시터를 만들어 캐패시터의 용량을 확장 가능하게 하여 초고집적 디바이스에 적합하도록 한 반도체 소자의 캐패시터 구조 및 제조 방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명 일실시예의 반도체 소자의 캐패시터는 필드 영역의 게이트 전극과 활성 영역의 게이트 전극 사이 양측벽 소정 영역에 형성되는 절연막과, 그 사이에 형성된 반도체층과, 상기 반도체층 내부에 수식형의 제1,제2 터널 산화막과, 상기 반도체층과 터널 산화막 표면에 유전체막과, 상기 유전체막 위와 터널 산화막 내에 형성된 플레이트 전극층으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명 일실시예의 반도체 소자의 캐패시터 구조단면도.
Claims (2)
- 필드 영역의 게이트 전극과 활성 영역의 게이트 전극 사이 양측벽 소정 영역에 형성되는 절연막과, 그 사이에 형성된 반도체층; 상기 반도체층 내부에 수식형의 제1,제2 터널 산화막; 상기 반도체층과 터널 산화막 표면에 유전체막; 상기 유전체막 위와 터널 산화막 내에 형성된 플레이트 전극층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 구조.
- 스토리지 노드 반도체층과 플로윙 산화막을 교차로 증착하면서 터널 산화막을 형성하는 단계; 상기 스토리지 노드 반도체층을 패턴하는 단계; 상기 스토리지 노드 반도체층 식각 마스크를 위한 절연막을 일부 식각하는 단계; 상기 스토리지 노드 반도체층과 터널 산화막 표면에 유전체막을 형성하는 단계; 상기 전면과 터널 산화막내에 플레이트 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960006562A KR100215862B1 (ko) | 1996-03-12 | 1996-03-12 | 반도체 소자의 캐패시터 구조 및 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR970067863A true KR970067863A (ko) | 1997-10-13 |
| KR100215862B1 KR100215862B1 (ko) | 1999-08-16 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019960006562A KR100215862B1 (ko) | 1996-03-12 | 1996-03-12 | 반도체 소자의 캐패시터 구조 및 제조방법 |
Country Status (1)
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1996
- 1996-03-12 KR KR1019960006562A patent/KR100215862B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
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| KR100215862B1 (ko) | 1999-08-16 |
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