KR970067575A - 전자빔노광장치와 그 방법 및 디바이스제조방법 - Google Patents

전자빔노광장치와 그 방법 및 디바이스제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 공간전하효과 및 축소전자광학계의 수차의 영향을 최소화하여 일시에 노광시킬 수 있는 노광영역을 확대함으로써, 쓰루풋을 높이는 전자빔노광장치 및 노광방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 따라서, 전자빔을 방사하는 광원과 목표노광면에 해당 광원으로부터 방사된 전자빔에 의한 상을 축소투영하는 축소전자광학계를 지닌 전자빔노광장치에 있어서, 상기 광원과 상기 축소전자광학계 사이에 설치되어, 상기 광원의 중간상을 복수개 형성하고, 해당 중간상이 상기 축소전자광학계에 의해서 목표노광면에 축소투영될때에 발생되는 수차를 미리 보정하는 보정광학계를 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

전자빔노광장치와 그 방법 및 디바이스 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관한 전자빔노광장치의 구성을 설명한 도면.

Claims (94)

  1. 전자빔을 방사하는 광원과 목표노광면에 해당 광원으로부터 방사된 전자빔에 의해 형성된 상을 축소투영하는 축소전자광학계를 지닌 전자빔노광장치에 있어서, 상기 광원과 상기 축소전자광학계 사이에 설치되어, 상기 광원의 중간상을 복수개 형성하고, 상기 축소전자광학계에 의해 발생되는 수차를 보정하는 보정전자광학계를 구비하고, 상기 각 중간상은 상기 축소전자광학계에 의해 상기 목표노광면에 축소투영되는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 축소전자광학계의 상면만곡에 따라서, 상기 보정전자광학계에 의해 형성되는 중간상의 위치를 설정하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 축소전자광학계의 왜곡에 따라서, 상기 보정전자광학게에 의해 형성되는 중간상의 위치를 설정하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 보정전자광학계는 중간상을 형성하여 상기 축소전자광학계의 비점수차를 보정하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 보정전자광학계는 각각 1개의 중간상을 형성하는 요소전자광학계를 복수개 지닌 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 복수개의 요소전자광학계의 초점거리를 조정하여 상기 축소전자광학계에 의해 발생되는 수차를 보정하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 요소전자광학계는 각각 유니포텐셜렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 복수의 요소전자광학계의 주면위치를 조정하여 상기 축소전자광학계에 의해 발생되는 수차를 보정하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 복수개의 요소전자광학계의 초점거리는 대략 동일한 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 각 요소전자광학계는 복수의 유니포텐셜렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  11. 제5항에 있어서, 상기 각 요소전자광학계의 비점수차를 조정하여 상기 축소전자광학계에 의해 발생되는 비점수차를 보정하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 각 요소전자광학계는 한개의 유니포텐셜렌즈를 포함하고, 상기 유니포텐셜렌즈의 개구전극은 대략 타원형상을 지님으로써, 상기 축소전자광학계에 의해 방생되는 비점수차를 보정하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 각 요소전자광학계는 한개의 유니포텐셜렌즈를 포함하고, 상기 유니포텐셜렌즈는 적어도 2조의 대향전극을 지니는 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  14. 제5항에 있어서, 상기 요소전자광학계의 코마수차를 조정하는 상기 축소전자광학계에 의해 발생되는 코마수차를 보정하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 각 요소전자광학계는 한개의 유니포텐셜렌즈와 한개의 개구를 포함하고, 상기유니포텐셜렌즈의 광측의 중심은 상기 개구의 중심에 대해서 편심되어 상기 축소전자광학계에 의해 발생되는코마수를 보정하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  16. 제5항에 있어서, 상기 각 요소전자광학계의 상기 축소전자광학계의 광축에 직교하는 방향의 위치를 결정하여 상기 축소전자광학계에 의해 발생되는 왜곡을 보정하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  17. 제5항에 있어서, 상기 전자빔을 중간상의 단위로 차폐가능한 전자빔차폐수단을 또 구비한 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 전자빔차폐수단은 상기 목표노광면에 형성해야할 노광패턴에 따라 상기 전자빔을 차폐하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  19. 제5항에 있어서, 상기 요소전자광학계로부터의 전자빔을 개별적으로 차폐가능한 전자빔차폐수단을 또 구비한 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 전자빔차폐수단은 상기 목표노광면에 형성해야 할 노광패턴에 따라 상기 전자빔을 차폐하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  21. 제5항에 있어서, 상기 각 요소전자광학계는 해당 요소전자광학계에 입사하는 전자빔의 형상을 규정하는 개구를 지닌 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기 각 요소전자광학계는, 해당 요소전자광학계에 입사하는 전자빔을 편향하는 편향수단과, 상기 편향수단에 의해 전자빔이 편향된 때 해당 전자빔을 차폐하고 상기 편향수단에 의해 전자빔이 편향되지 않았을 때 해당 전자빔을 통과시키는 차폐수단을 지닌 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  23. 제22항에 있어서, 상기 차폐수단은 상기 축소전자광학계의 동공위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  24. 제5항에 있어서, 상기 복수개의 요소전자광학계는 동일기판상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  25. 제1항에 있어서, 상기 각 중간상의 위치를 상기 축소전자광학계의 광축에 직교하는 방향의 위치를 조정하는 위치조정수단을 또 구비한 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  26. 제25항에 있어서, 상기 각 중간상이 상기 축소전자광학계에 의해 축소투영되는 위치를 검출하는 위치검출수단을 또 구비하고, 상기 위치조정수단은 상기 위치검출수단으로부터의 검출결과에 의거해서 상기 각 중간상의 위치를 미리 결정된 위치로 조정하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  27. 제1항에 있어서, 상기 각 중간상의 상기 축소전자광학계 광축방향의 위치를 조정하는 위치조정수단을 또 구비한 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  28. 제27항에 있어서, 상기 각 중간상이 상기 축소전자광학계에 의해 축소투영되는 위치를 검출하는 위치검출수단을 또 구비하고, 상기 위치조정수단은 상기 위치검출수단으로부터의 검출결과에 의거해서 상기 각 중간상의 위치를 미리 결정된 위치로 조정하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  29. 제1항에 있어서, 상기 축소전자광학계는 배율을 조정하는 배율조정수단을 지닌 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  30. 제29항에 있어서, 상기 각 중간상이 상기 축소전자광학계에 의해 축소투영되는 위치를 검출하는 위치검출수단을 또 구비하고, 상기 배율조정수단은 상기 위치검출수단으로부터의 검출결과에 의거해서 상기 배율은 조정하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  31. 제1항에 있어서, 상기 축소전자광학계는, 상기 목표노광면내에 있어서 상기 각 중간상에 따른 전자빔을 주사시키는 편향수단과, 상기 편향수단에 의한 상기 전자빔의 편향시에 발생되는 수차를 보정하는 편향오차보정 수단을 지닌 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  32. 제1항에 있어서, 상기 광원의 크기를 변경시키는 변경수단을 또 구비한 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  33. 청구항 제1항의 전자빔노광장치를 이용해서 디바이스를 제조하는 디바이스 제조방법.
  34. 광원에 의해 전자빔을 방사하여 상을 형성하고, 그 상을 축소전자광학계에 의해 목표노광면에 축소투영함으로써 노광을 행하는 전자빔노광장치에 있어서, 상기 광원과 상기 축소전자광학계 사이에 설치된 보정전자 광학계에 의해서, 상기 광원의 중간상을 복수개 형성하여, 상기 축소전자광학계에 의해 발생되는 수차를 보정하는 중간상 형성단계를 구비한 것을 특징으로 하는 전자빔 노광방법.
  35. 제34항에 있어서, 상기 중간상이 상기 축소전자광학계에 의해 축소투영되는 위치를 검출하는 검출단계와, 상기 중간상의 상기 축소전자광학계의 광축고 직교하는 방향의 위치를 조정하는 위치조정단계를 또 구비한 것을 특징으로 하는 전자빔 노광방법.
  36. 제34항에 있어서, 상기 중간상이 상기 축소전자광학계에 의해 축소투영되는 위치를 검출하는 검출단계와, 상기 중간상의 상기 축소전자광학계의 광축방향의 위치를 조정하는 위치조정단계를 또 구비한 것을 특징으로 하는 전자빔 노광방법.
  37. 제34항에 있어서, 상기 중간상이 상기 축소전자광학계에 의해 축소투영되는 위치를 검출하는 검출단계와, 상기 검출단계의 검출결과에 의거해서 상기 축소전자광학계의 배율을 조정하는 배율조정단계를 또 구비한 것을 특징으로 하는 전자빔 노광방법.
  38. 제34항에 있어서, 상기 목표노광면내에 있어서 상기 중간상에 따른 전자빔을 주사하는 편향단계와, 상기 전자빔의 편향시에 발생되는 수차를 보정하는 편향오차보정단계를 또 구비한 것을 특징으로 하는 전자빔 노광방법.
  39. 제38항에 있어서, 상기 편향오차보정단계는 상기 중간상의 상기 축소전자광학계의 광축방향의 위치를 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광방법.
  40. 청구항 제34항의 전자빔 노광방법을 이용해서 디바이스를 제조하는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
  41. 목표노광면에 복수의 전자빔을 주사함과 동시에, 상기 목표노광면에 형성해야할 노광패턴에 따라서 상기 복수의 전자빔을 개별적으로 차폐시킴으로써 노광을 행하는 전자빔 노광방법에 있어서, 상기 복수의 전자빔이 모두 차페된 부분을 건너뛰면서 상기 복수의 전자빔을 주사하는 노광순서를 설정하는 노광순서설정단계와; 설정된 노광순서에 따라 노광을 제어하는 제어단계를 구비한 것을 특징으로 하는 전자빔 노광방법.
  42. 제41항에 있어서, 상기 노광패턴에 포함된 반복패턴의 피치에 따라서 상기 복수의 전자빔이 간격을 설정하는 빔간격설정단계를 또 구비한 것을 특징으로 하는 전자빔 노광방법.
  43. 제42항에 있어서, 상기 빔간격설정단계는 상기 복수의 전자빔의 간격을 상기 노광패턴에 포함된 반복 패턴의 피치의 정수배가 되도록 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광방법.
  44. 청구항 제41항의 전자빔노광방법을 이용해서 디바이스를 제조하는 디바이스 제조방법.
  45. 전자빔을 방사하는 광원과 해당 전자빔을 목표노광면에 접속시키는 축소전자광학계를 지닌 전자빔노광장치에 있어서, 상기 전자빔이 축소전자광학계의 동공면을 통과할 때, 상기 동공면상에서의 상기 전자빔의 전자밀도분포를 주변부의 전자밀도가 중심부의 전자밀도보다도 높게 되도록 상기 전자빔의 전자밀도분포를 조정하는 전자밀도분포조정수단을 구비한 것을 특징으로 하는 전자빔 노광장치.
  46. 제45항에 있어서, 상기 축소전자광학계는, 상기 목표노광면상에, 상기 광원과 상기 축소전자광학계 사이에 유지된 마스크를 투과한 전자빔을 축소투영하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광장치.
  47. 제45항에 있어서, 상기 전자밀도 분포조정수단은 홀리빔을 형성하는 조리개를 포함하고, 상기 조리개는 상기 축소전자광학계의 동공면상에 또는 해당 동공면과 공액인 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광장치.
  48. 청구항 제45항의 전자빔노광방법을 이용해서 디바이스를 제조하는 디바이스 제조방법.
  49. 복수의 전자빔을 편향시키는 편향기를 지니고, 이 편향기에 의해 상기 복수의 전자빔을 편향시킴과 동시에, 상기 복수의 전자빔의 조사를 개별적으로 제어함으로써 목표노광면을 노광시키는 전자빔노광장치에 있어서, 상기 복수의 전자빔의 적어도 1개에 의한 노광에 의해 패턴의 내부영역이 형성되는 제1영역에서는 상기 편향기에 의한 편향단위를 작게 설정하고, 상기 복수의 전자빔의 적어도 1개에 의한 노광에 의해 패턴의 내부 영역이 형성되는, 상기 제1영역과는 다른 제2영역에서는 상기 편향기에 의한 편향단위를 크게 설정하는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 전자빔노광장치.
  50. 제49항에 있어서, 상기 제어수단은 상기 편향기를 제어해서 상기 제1 및 제2영역내에 있어서, 상기 영역에 대응하는 편향단위에 따라 상기 목표노광면에 조사되는 전자빔을 편향시켜 설정하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광장치.
  51. 제50항에 있어서, 상기 제어수단은 상기 편향기를 제어해서 상기 제1 및 제2영역과는 다른 영역에서는, 상기 목표노광면에 조사되는 전자빔을 설정함이 없이 편향시키는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광장치.
  52. 제49항에 있어서, 상기 목표노광면에 조사되는 전자빔의 크기를 조정하는 조정수단을 또 구비하고, 상기 제어수단은 상기 조정수단을 제어해서 상기 제2영역내의 상기 목표 노광면상에 조사되는 전자빔의 크기를 상기 제1영역내의 상기 목표노광면상에 조사되는 전자빔의 크기보다도 크게 설정하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광장치.
  53. 제49항에 있어서, 상기 제어수단은 상기 복수의 전자빔광원을 제어해서 상기 제2영역내의 상기 목표노광면상에 조사되는 전자빔의 조사시간을 상기 제1영역내의 상기 목표노광면상에 조사되는 전자빔의 조사시간보다도 길게 설정하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광장치.
  54. 제49항에 있어서, 상기 제어수단은, 상기 제1영역내의 편향단위를, 상기 목표노광면에 형성해야 할 상기 노광패턴의 최소선폭, 선폭의 종류 및 선폭의 형상의 일부 또는 전부에 의거해서 설정하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광장치.
  55. 제49항에 있어서, 축소전자광학계와, 상기 복수의 전자빔으로부터 중간상을 복수개 형성하고 상기 축소 전자광학계에 의해 발생되는 수차를 보정하는 보정전자광학계를 또 구비하고, 상기 중간상은 상기 축소전자광학계에 의해 상기 목표노광면에 축소투영되는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광장치.
  56. 청구항 제49항의 전자빔노광장치를 이용해서 디바이스를 제조하는 디바이스 제조방법.
  57. 청구항 제55항의 전자빔노광장치를 이용해서 디바이스를 제조하는 디바이스 제조방법.
  58. 공통의 편향기에 의해 복수의 전자빔을 편향시킴과 동시에 상기 복수의 전자빔의 조사를 개별적으로 제어함으로써 목표노광영역을 노광하는 전자빔노광방법에 있어서, 상기 복수의 전자빔의 적어도 1개에 의한 노광에 의해 패턴의 윤곽영역이 형성되는 제1영역에서는 상기 편향기에 의한 편향단위를 작게 설정하고, 상기 복수의 전자빔의 적어도 1개에 의한 노광에 의해 패턴의 내부영역이 형성되는, 상기 제1영역과는 다른 제2영역에서는 상기 편향기에 의한 편향단위를 크게 설정하도록 노광동작을 제어하는 제어단계를 구비한 것을 특징으로 하는 전자빔노광방법.
  59. 제58항에 있어서, 상기 제어단계는, 상기 편향기를 제어해서 상기 제1 및 제2영역내에 있어서는, 상기 영역에 대응하는 편향단위에 따라 상기 목표노광면에 조사되는 전자빔을 편향시켜 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광방법.
  60. 제59항에 있어서, 상기 제어단계는, 상기 편향기를 제어해서 상기 제1 및 제2영역과는 다른 영역에서는, 상기 목표노광면에 조사되는 전자빔을 설정함이 없이 편향시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광방법.
  61. 제58항에 있어서, 상기 제어단계는, 상기 제2영역내의 상기 목표노광면에 조사되는 전자빔의 크기를 상기 제1영역내의 상기 목표노광면에 조사되는 전자빔의 크기보다도 크게하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광방법.
  62. 제58항에 있어서, 상기 제어단계는, 상기 제1영역내의 상기 목표노광면에 조사되는 전자빔의 조사시간을 상기 제1영역내의 상기 목표노광면에 조사되는 전자빔의 조사시간보다도 길게 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광방법.
  63. 제58항에 있어서, 상기 제어단계는, 상기 제1영역내의 편향단위를, 상기 목표노광면에 형성해야 할 상기 노광패턴의 최소선폭, 선폭의 종류 및 선폭의 형상의 일부 또는 전부에 의거해서 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광방법.
  64. 청구항 제58항의 전자빔노광장치를 이용해서 디바이스를 제조하는 디바이스 제조방법.
  65. 공통의 편향기에 의해 복수의 전자빔을 편향시킴과 동시에 상기 복수의 전자빔의 조사를 개별적으로 제어함으로써 목표노광면을 노광시키는 전자빔노광방법에 있어서, 상기 목표노광면상에 형성해야 할 노광패턴에 의거해서, 상기 복수의 전자빔중 적어도 1개에 의한 노광에 의해 패턴의 윤곽영역이 형성되는 제1영역 및 상기 복수의 전자빔의 적어도 1개에 의한 노광에 의해 패턴의 내부영역이 형성되는 상기 제1영역과는 다른 제2영역을 판정하는 영역판정단계와; 상기 제1영역에서는 상기 편향기에 의한 편향단위를 작게 설정하고, 상기 제2영역에서는 상기 편향기에 의한 편향단위를 크게 설정하도록 노광동작을 제어하는 제어단계를 구비한 것을 특징으로 하는 전자빔노광방법.
  66. 제65항에 있어서, 상기 제어단계는, 상기 편향기를 제어해서 상기 제1 및 제2영역내에 있어서는, 상기 영역에 대응하는 편향단위에 따라 상기 목표노광면에 조사되는 전자빔을 편향시켜 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광방법.
  67. 제65항에 있어서, 상기 제어단계는, 상기 편향기를 제어해서 상기 제1 및 제2영역과는 다른 영역에서는, 상기 목표노광면에 조사되는 전자빔을 설정함이 없이 편향시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광방법.
  68. 제65항에 있어서, 상기 제어단계는, 상기 제2영역내의 상기 목표노광면에 조사되는 전자빔의 크기를 상기 제1영역내의 상기 목표노광면에 조사되는 전자빔의 크기보다도 크게하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광방법.
  69. 제65항에 있어서, 상기 제어단계는, 상기 제2영역내의 상기 목표노광면에 조사되는 전자빔의 조사시간을 상기 제1영역내의 상기 목표노광면에 조사되는 전자빔의 조사시간보다도 길게 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광방법.
  70. 제65항에 있어서, 상기 제어단계는, 상기 제1영역내의 편향단위를 , 상기 목표노광면에 형성해야 할 상기 노광패턴의 최소선폭, 선폭의 종류 및 선폭의 형상의 일부 또는 전부에 의거해서 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔노광방법.
  71. 청구항 제65항의 전자빔노광장치를 이용해서 디바이스를 제조하는 것을 특징으로 하는디바이스 제조방법.
  72. 전자빔을 방사하는 광원과, 목표노광면에 해당 광원으로부터 방사된 전자빔에 의해 형성된 상을 축소투영하는 축소전자광학계를 지닌 전자빔노광장치에 있어서, 상기 광원으로부터 방사된 전자빔에 의해 상기 광원과 축소전자광학계 사이에 상기 광원의 중간상을 형성하는 적어도 1개의 요소전자광학계를 각각 포함하는 복수의 서브어레이를 배치함으로써 구성된 요소전자광학계 어레이와; 상기 요소전자광학계어레이로부터의 전자빔을 편향시켜 상기 목표노광면을 주사시키는 편향수단과; 상기 요소전자광학계 어레이로부터의 전자빔을 편향수단에 의해 편향시킬 때 발생하는 편향오차를 서브어레이 단위로 보정하는 보정수단을 구비한 것을 특징으로 하는 전자빔 노광장치.
  73. 제72항에 있어서, 상기 제어 수단은, 상기 요소전자광학계의 전자광학특성을 서브어레이단위로 조정하는 제1조정 수단과, 상기 축소전자광학계의 전자광학특성을 서브어레이 단위로 조정하는 제2조정 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 전자빔 노광장치.
  74. 제73항에 있어서, 상기 제1조정수단은, 상기 요소전자광학계에 의해 형성되는 중간상의 상기 축소전자광학계의 광축방향의 위치를 서브어레이 단위로 조정하는 중간상형성위치조정수단을 지닌 것을 특징으로 하는 전자빔 노광장치.
  75. 제74항에 있어서, 상기 요소전자광학계는 유니포텐셜렌즈를 포함하고,상기 중간상형성위치조정수단은 상기 유니포텐셜렌즈의 초점거리를 조정하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광장치.
  76. 제73항에 있어서, 상기 제1조정수단은, 상기 요소전자광학계의 비점수차를 서브어레이단위로 조정하는 수단을 지닌 것을 특징으로 하는 전자빔 노광장치.
  77. 제74항에 있어서, 상기 제1조정수단은, 상기 요소전자광학계의 비점수차를 서브어레이단위로 조정하는 수단을 또 구비한 것을 특징으로 하는 전자빔 노광장치.
  78. 제73항에 있어서, 상기 제2조정수단은, 상기 요소전자광학계의 초점위치를 서브어레이단위로 조정하는 수단을 지닌 것을 특징으로 하는 전자빔 노광장치.
  79. 제73항에 있어서, 상기 제2조정수단은, 상기 요소전자광학계의 비점수차를 서브어레이단위로 조정하는 수단을 지닌 것을 특징으로 하는 전자빔 노광장치.
  80. 제78항에 있어서, 상기 제2조정수단은, 상기 요소전자광학계의 비점수차를 서브어레이단위로 조정하는 수단을 또 구비한 것을 특징으로 하는 전자빔 노광장치.
  81. 제73항에 있어서, 상기 제1조정수단은, 상기 요소전자광학계에 의해 형성되는 중간상의 상기 축소전자광학계의 광축방향과 직교하는 방향의 위치를 서브어레이단위로 조정하는 중간상형성위치조정수단을 지닌 것을 특징으로 하는 전자빔 노광장치.
  82. 제72항에 있어서, 상기 요소전자광학계는, 초기상태에서, 중간상을 형성하여 상기 축소전자광학계에 의해 방생되는 수차를 보정하도록 설정되는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광장치.
  83. 청구항 제72항의 전자빔노광장치를 이용해서 디바이스를 제조하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  84. 광원에 의해 전자빔을 방사하여 상을 형성하고, 그 상을 축소전자광학계에 의해 목표노광면상에 축소투영함으로써 노광을 행하는 전자빔노광방법에 있어서, 상기 광원과 축소전자광학계 사이에 중간상을 형성하는 적어도 1개의 요소전자광학계를 각각 포함하는 복수의 서브어레이를 배치함으로써 구성된 요소전자광학어레이로부터 전자빔을 편향시켜 상기 목표노광면을 주사시킨 때 발생하는 편향오차를 서브어레이단위로 보정하는 보정단계를 구비한 것을 특징으로 하는 전자빔 노광방법.
  85. 제84항에 있어서, 상기 보정단계는, 상기 요소전자광학계의 전자광학특성을 서브어레이단위로 조정하는 제1조정단계와; 상기 축소전자광학계의 전자광학특성을 서브어레이 단위로 조정하는 제2조정 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광장치.
  86. 제85항에 있어서, 상기 제1조정단계는, 상기 요소전자광학계에 의해 형성되는 중간상의 상기 축소전자광학계의 광축방향의 위치를 서브어레이 단위로 조정하는 중간상 형성위치조정단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광방법.
  87. 제86항에 있어서, 상기 요소전자광학계는 유니포텐셜렌즈를 포함하고, 상기 중간상형성위치조정단계는, 상기 유니포텐셜렌즈의 초점거리를 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광방법.
  88. 제85항에 있어서, 상기 제1조정단계는 상기 요소전자광학계의 비점수차를 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광방법.
  89. 제84항에 있어서, 상기 제1조정단계는, 상기 요소전자광학계의 비점수차를 서브어레이단위로 조정하는 단계를 또 구비한 것을 특징으로 하는 전자빔 노광장치.
  90. 제85항에 있어서, 상기 제2조정단계는, 상기 요소전자광학계의 초점위치를 서브어레이단위로 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광방법.
  91. 제85항에 있어서, 상기 제2조정단계는 상기 요소전자광학계의 비점수차를 서브어레이단위로 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광방법.
  92. 제90항에 있어서, 상기 제2조정단계는 상기 요소전자광학계의 비점수차를 서브어레이단위로 조정하는 단계를 또 구비한 것을 특징으로 하는 전자빔 노광방법.
  93. 제85항에 있어서, 상기 제1조정단계는 상기 요소전자광학계에 의해 형성되는 중간상의 상기 축소전자광학계의 광축방향과 직교하는 방향의 위치를 서브어레이 단위로 조정하는 중간상형성위치조정단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광방법.
  94. 청구항 제84항의 전자빔노광방법을 이용해서 디바이스를 제조하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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