JPH10144583A
(ja)
*
|
1996-11-07 |
1998-05-29 |
Nikon Corp |
荷電粒子線投影方法および荷電粒子線投影装置
|
US5981954A
(en)
*
|
1997-01-16 |
1999-11-09 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Electron beam exposure apparatus
|
US6107636A
(en)
*
|
1997-02-07 |
2000-08-22 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Electron beam exposure apparatus and its control method
|
KR19980079377A
(ko)
*
|
1997-03-25 |
1998-11-25 |
요시다쇼이치로 |
하전립자선 전사장치
|
US6274877B1
(en)
|
1997-05-08 |
2001-08-14 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Electron beam exposure apparatus
|
US6104035A
(en)
*
|
1997-06-02 |
2000-08-15 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Electron-beam exposure apparatus and method
|
JP4207232B2
(ja)
*
|
1997-09-02 |
2009-01-14 |
株式会社ニコン |
荷電ビーム露光装置
|
US6175122B1
(en)
*
|
1998-01-09 |
2001-01-16 |
International Business Machines Corporation |
Method for writing a pattern using multiple variable shaped electron beams
|
US5981962A
(en)
*
|
1998-01-09 |
1999-11-09 |
International Business Machines Corporation |
Distributed direct write lithography system using multiple variable shaped electron beams
|
US6674086B2
(en)
*
|
1998-03-20 |
2004-01-06 |
Hitachi, Ltd. |
Electron beam lithography system, electron beam lithography apparatus, and method of lithography
|
US6124140A
(en)
*
|
1998-05-22 |
2000-09-26 |
Micron Technology, Inc. |
Method for measuring features of a semiconductor device
|
US6218676B1
(en)
*
|
1998-06-05 |
2001-04-17 |
Nikon Corporation |
Charged-particle-beam image-transfer apparatus exhibiting reduced space-charge effects and device fabrication methods using the same
|
JP3982913B2
(ja)
*
|
1998-07-17 |
2007-09-26 |
株式会社アドバンテスト |
荷電粒子ビーム露光装置
|
US6360134B1
(en)
|
1998-07-20 |
2002-03-19 |
Photronics, Inc. |
Method for creating and improved image on a photomask by negatively and positively overscanning the boundaries of an image pattern at inside corner locations
|
JP3825921B2
(ja)
*
|
1998-07-23 |
2006-09-27 |
キヤノン株式会社 |
走査露光装置およびデバイス製造方法
|
JP3241011B2
(ja)
*
|
1998-11-20 |
2001-12-25 |
日本電気株式会社 |
電子線露光装置及び電子線露光用マスク
|
JP4410871B2
(ja)
*
|
1999-03-25 |
2010-02-03 |
キヤノン株式会社 |
荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
|
US6630681B1
(en)
*
|
1999-07-21 |
2003-10-07 |
Nikon Corporation |
Charged-particle-beam microlithography apparatus and methods including correction of aberrations caused by space-charge effects
|
US6472673B1
(en)
*
|
1999-07-29 |
2002-10-29 |
Ims Ionen-Mikrofabrikations Systeme Gmbh |
Lithographic method for producing an exposure pattern on a substrate
|
JP2001076990A
(ja)
|
1999-08-31 |
2001-03-23 |
Canon Inc |
荷電粒子線露光装置及びその制御方法
|
US6635891B1
(en)
|
1999-09-22 |
2003-10-21 |
Nikon Corporation |
Hollow-beam apertures for charged-particle-beam microlithography apparatus and methods for making and using same
|
JP3763446B2
(ja)
|
1999-10-18 |
2006-04-05 |
キヤノン株式会社 |
静電レンズ、電子ビーム描画装置、荷電ビーム応用装置、および、デバイス製造方法
|
JP2001168018A
(ja)
|
1999-12-13 |
2001-06-22 |
Canon Inc |
荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び露光補正データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。
|
JP2001168016A
(ja)
|
1999-12-13 |
2001-06-22 |
Canon Inc |
荷電粒子線露光装置と露光システム及びそれらの制御方法及びデバイス製造方法
|
JP2001168017A
(ja)
|
1999-12-13 |
2001-06-22 |
Canon Inc |
荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び制御データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。
|
US6566664B2
(en)
|
2000-03-17 |
2003-05-20 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Charged-particle beam exposure apparatus and device manufacturing method
|
JP2001284230A
(ja)
|
2000-03-31 |
2001-10-12 |
Canon Inc |
電子光学系アレイ、これを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法
|
JP4585661B2
(ja)
|
2000-03-31 |
2010-11-24 |
キヤノン株式会社 |
電子光学系アレイ、荷電粒子線露光装置およびデバイス製造方法
|
JP4947842B2
(ja)
|
2000-03-31 |
2012-06-06 |
キヤノン株式会社 |
荷電粒子線露光装置
|
JP4947841B2
(ja)
|
2000-03-31 |
2012-06-06 |
キヤノン株式会社 |
荷電粒子線露光装置
|
JP2001283756A
(ja)
|
2000-03-31 |
2001-10-12 |
Canon Inc |
電子光学系アレイ、これを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法
|
US6787780B2
(en)
*
|
2000-04-04 |
2004-09-07 |
Advantest Corporation |
Multi-beam exposure apparatus using a multi-axis electron lens, fabrication method of a semiconductor device
|
US6291940B1
(en)
*
|
2000-06-09 |
2001-09-18 |
Applied Materials, Inc. |
Blanker array for a multipixel electron source
|
SG103303A1
(en)
*
|
2000-07-07 |
2004-04-29 |
Nikon Corp |
Exposure apparatus, surface position adjustment unit, mask, and device manufacturing method
|
US6433348B1
(en)
*
|
2000-07-25 |
2002-08-13 |
Applied Materials, Inc. |
Lithography using multiple pass raster-shaped beam
|
JP2002118060A
(ja)
*
|
2000-07-27 |
2002-04-19 |
Toshiba Corp |
荷電ビーム露光装置、荷電ビーム露光方法、露光データ作成方法、露光データを作成するプログラムを記録したコンピュータ読取り可能な記録媒体、及び、露光データを記録したコンピュータ読取り可能な記録媒体
|
JP4741115B2
(ja)
*
|
2000-08-14 |
2011-08-03 |
イーリス エルエルシー |
リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法
|
EP1182684B1
(de)
*
|
2000-08-14 |
2008-07-23 |
eLith LLC |
Lithographischer Apparat
|
US7085351B2
(en)
*
|
2000-10-06 |
2006-08-01 |
University Of North Carolina At Chapel Hill |
Method and apparatus for controlling electron beam current
|
US6876724B2
(en)
*
|
2000-10-06 |
2005-04-05 |
The University Of North Carolina - Chapel Hill |
Large-area individually addressable multi-beam x-ray system and method of forming same
|
JP4178741B2
(ja)
*
|
2000-11-02 |
2008-11-12 |
株式会社日立製作所 |
荷電粒子線装置および試料作製装置
|
JP2002217088A
(ja)
*
|
2001-01-17 |
2002-08-02 |
Nikon Corp |
荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び半導体デバイスの製造方法
|
DE10109965A1
(de)
*
|
2001-03-01 |
2002-09-12 |
Zeiss Carl |
Teilchenoptische Linsenanordnung und Verfahren unter Einsatz einer solchen Linsenanordnung
|
US20020170887A1
(en)
*
|
2001-03-01 |
2002-11-21 |
Konica Corporation |
Optical element producing method, base material drawing method and base material drawing apparatus
|
JP4647820B2
(ja)
|
2001-04-23 |
2011-03-09 |
キヤノン株式会社 |
荷電粒子線描画装置、および、デバイスの製造方法
|
JP2002343295A
(ja)
*
|
2001-05-21 |
2002-11-29 |
Canon Inc |
電子線露光装置、縮小投影系及びデバイス製造方法
|
JP2003100591A
(ja)
*
|
2001-09-21 |
2003-04-04 |
Nikon Corp |
荷電粒子線露光装置における露光方法、半導体デバイスの製造方法及び荷電粒子線露光装置
|
JP4822486B2
(ja)
*
|
2001-09-26 |
2011-11-24 |
Nltテクノロジー株式会社 |
半透過反射板及び半透過型液晶表示装置
|
DE10160917A1
(de)
*
|
2001-12-07 |
2003-06-26 |
Kleo Halbleitertechnik Gmbh |
Lithografiebelichtungseinrichtung
|
JP2003203836A
(ja)
|
2001-12-28 |
2003-07-18 |
Canon Inc |
露光装置及びその制御方法並びにデバイス製造方法
|
US6853143B2
(en)
*
|
2002-01-09 |
2005-02-08 |
Ebara Corporation |
Electron beam system and method of manufacturing devices using the system
|
US6639221B2
(en)
|
2002-01-18 |
2003-10-28 |
Nikon Corporation |
Annular illumination method for charged particle projection optics
|
US6614035B2
(en)
*
|
2002-01-30 |
2003-09-02 |
International Business Machines Corporation |
Multi-beam shaped beam lithography system
|
AU2003244004A1
(en)
*
|
2002-07-03 |
2004-01-23 |
Kabushiki Kaisha Pd Service |
Electron beam exposure method and system therefor
|
JP2004055767A
(ja)
|
2002-07-18 |
2004-02-19 |
Canon Inc |
電子ビーム露光装置及び半導体デバイスの製造方法
|
JP4017935B2
(ja)
|
2002-07-30 |
2007-12-05 |
株式会社日立ハイテクノロジーズ |
マルチビーム型電子線描画方法及び装置
|
DE10237141A1
(de)
*
|
2002-08-13 |
2004-02-26 |
Leo Elektronenmikroskopie Gmbh |
Strahlführungssystem, Abbildungsverfahren und Elektronenmikroskopiesystem
|
JP3826087B2
(ja)
*
|
2002-08-30 |
2006-09-27 |
キヤノン株式会社 |
位置決め装置、荷電粒子線露光装置
|
EP2302460A3
(de)
|
2002-10-25 |
2011-04-06 |
Mapper Lithography Ip B.V. |
Lithographisches system
|
CN101414124B
(zh)
*
|
2002-10-30 |
2012-03-07 |
迈普尔平版印刷Ip有限公司 |
电子束曝光系统
|
US7098468B2
(en)
*
|
2002-11-07 |
2006-08-29 |
Applied Materials, Inc. |
Raster frame beam system for electron beam lithography
|
US6936981B2
(en)
|
2002-11-08 |
2005-08-30 |
Applied Materials, Inc. |
Retarding electron beams in multiple electron beam pattern generation
|
JP4167050B2
(ja)
*
|
2002-12-13 |
2008-10-15 |
キヤノン株式会社 |
荷電粒子線露光装置及びその制御方法、並びにデバイス製造方法
|
JP4167904B2
(ja)
*
|
2003-01-06 |
2008-10-22 |
株式会社日立ハイテクノロジーズ |
電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法
|
US7337903B2
(en)
*
|
2003-01-07 |
2008-03-04 |
Lauri Aaron P |
Single edge razor blade holder
|
EP1439566B1
(de)
*
|
2003-01-17 |
2019-08-28 |
ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH |
Ladungsteilchenstrahlgerät und Verfahren zu dessen Betrieb
|
KR101072948B1
(ko)
|
2003-02-14 |
2011-10-17 |
마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. |
디스펜서 음극
|
US7081369B2
(en)
*
|
2003-02-28 |
2006-07-25 |
Intel Corporation |
Forming a semiconductor device feature using acquired parameters
|
EP1602121B1
(de)
|
2003-03-10 |
2012-06-27 |
Mapper Lithography Ip B.V. |
Vorrichtung zur erzeugung einer vielzahl von teilstrahlen
|
JP4421836B2
(ja)
*
|
2003-03-28 |
2010-02-24 |
キヤノン株式会社 |
露光装置及びデバイス製造方法
|
JP2005032837A
(ja)
*
|
2003-07-08 |
2005-02-03 |
Canon Inc |
荷電粒子描画方法及び該方法を用いたデバイス製造方法
|
US7005659B2
(en)
*
|
2003-07-08 |
2006-02-28 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Charged particle beam exposure apparatus, charged particle beam exposure method, and device manufacturing method using the same apparatus
|
JP4738723B2
(ja)
*
|
2003-08-06 |
2011-08-03 |
キヤノン株式会社 |
マルチ荷電粒子線描画装置、荷電粒子線の電流の測定方法及びデバイス製造方法
|
CN102709143B
(zh)
|
2003-09-05 |
2016-03-09 |
卡尔蔡司Smt有限责任公司 |
电子光学排布结构、多电子分束检验系统和方法
|
JP2005129850A
(ja)
*
|
2003-10-27 |
2005-05-19 |
Toshiba Corp |
荷電ビーム描画装置及び描画方法
|
GB2408383B
(en)
*
|
2003-10-28 |
2006-05-10 |
Ims Nanofabrication Gmbh |
Pattern-definition device for maskless particle-beam exposure apparatus
|
DE10352040A1
(de)
*
|
2003-11-07 |
2005-07-21 |
Carl Zeiss Sms Gmbh |
In Lage, Form und/oder den optischen Eigenschaften veränderbare Blenden-und/oder Filteranordnung für optische Geräte, insbesondere Mikroskope
|
GB2412232A
(en)
*
|
2004-03-15 |
2005-09-21 |
Ims Nanofabrication Gmbh |
Particle-optical projection system
|
JP2005268268A
(ja)
*
|
2004-03-16 |
2005-09-29 |
Canon Inc |
電子ビーム露光装置
|
EP1577926A1
(de)
*
|
2004-03-19 |
2005-09-21 |
ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik Mbh |
Teilchenstrahlsystem mit hoher Stromdichte
|
JP4477436B2
(ja)
|
2004-06-30 |
2010-06-09 |
キヤノン株式会社 |
荷電粒子線露光装置
|
KR100722672B1
(ko)
*
|
2004-12-27 |
2007-05-28 |
동부일렉트로닉스 주식회사 |
렌즈의 축소율 조절이 가능한 노광 장비
|
US7468507B2
(en)
*
|
2005-01-26 |
2008-12-23 |
Applied Materials, Israel, Ltd. |
Optical spot grid array scanning system
|
JP4652830B2
(ja)
*
|
2005-01-26 |
2011-03-16 |
キヤノン株式会社 |
収差調整方法、デバイス製造方法及び荷電粒子線露光装置
|
US7468506B2
(en)
*
|
2005-01-26 |
2008-12-23 |
Applied Materials, Israel, Ltd. |
Spot grid array scanning system
|
JP4657740B2
(ja)
*
|
2005-01-26 |
2011-03-23 |
キヤノン株式会社 |
荷電粒子線光学系用収差測定装置、該収差測定装置を具備する荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
|
US7403265B2
(en)
|
2005-03-30 |
2008-07-22 |
Asml Netherlands B.V. |
Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing data filtering
|
US8155262B2
(en)
|
2005-04-25 |
2012-04-10 |
The University Of North Carolina At Chapel Hill |
Methods, systems, and computer program products for multiplexing computed tomography
|
JP4708854B2
(ja)
*
|
2005-05-13 |
2011-06-22 |
株式会社日立ハイテクノロジーズ |
荷電粒子線装置
|
US7781748B2
(en)
|
2006-04-03 |
2010-08-24 |
Ims Nanofabrication Ag |
Particle-beam exposure apparatus with overall-modulation of a patterned beam
|
US8189893B2
(en)
|
2006-05-19 |
2012-05-29 |
The University Of North Carolina At Chapel Hill |
Methods, systems, and computer program products for binary multiplexing x-ray radiography
|
JP2008004596A
(ja)
*
|
2006-06-20 |
2008-01-10 |
Canon Inc |
荷電粒子線描画方法、露光装置、及びデバイス製造方法
|
US8049865B2
(en)
|
2006-09-18 |
2011-11-01 |
Asml Netherlands B.V. |
Lithographic system, device manufacturing method, and mask optimization method
|
US8129190B2
(en)
*
|
2006-11-17 |
2012-03-06 |
Applied Nanotech Holdings, Inc. |
Tagged petroleum products and methods of detecting same
|
WO2008117358A1
(ja)
*
|
2007-03-22 |
2008-10-02 |
Pioneer Corporation |
電子ビーム装置
|
WO2009012453A1
(en)
*
|
2007-07-19 |
2009-01-22 |
The University Of North Carolina At Chapel Hill |
Stationary x-ray digital breast tomosynthesis systems and related methods
|
US8642959B2
(en)
*
|
2007-10-29 |
2014-02-04 |
Micron Technology, Inc. |
Method and system of performing three-dimensional imaging using an electron microscope
|
JP2010067399A
(ja)
*
|
2008-09-09 |
2010-03-25 |
Canon Inc |
導電性部材の製造方法、及びこれを用いた電子源の製造方法
|
US8581190B2
(en)
*
|
2008-09-25 |
2013-11-12 |
Hitachi High-Technologies Corporation |
Charged particle beam apparatus and geometrical aberration measurement method therefor
|
DE102008062450B4
(de)
*
|
2008-12-13 |
2012-05-03 |
Vistec Electron Beam Gmbh |
Anordnung zur Beleuchtung eines Substrats mit mehreren individuell geformten Partikelstrahlen zur hochauflösenden Lithographie von Strukturmustern
|
JP5634052B2
(ja)
*
|
2009-01-09 |
2014-12-03 |
キヤノン株式会社 |
荷電粒子線描画装置およびデバイス製造方法
|
US8600003B2
(en)
|
2009-01-16 |
2013-12-03 |
The University Of North Carolina At Chapel Hill |
Compact microbeam radiation therapy systems and methods for cancer treatment and research
|
US8294125B2
(en)
*
|
2009-11-18 |
2012-10-23 |
Kla-Tencor Corporation |
High-sensitivity and high-throughput electron beam inspection column enabled by adjustable beam-limiting aperture
|
US8358739B2
(en)
|
2010-09-03 |
2013-01-22 |
The University Of North Carolina At Chapel Hill |
Systems and methods for temporal multiplexing X-ray imaging
|
JP5606292B2
(ja)
|
2010-11-19 |
2014-10-15 |
キヤノン株式会社 |
描画装置、物品の製造方法、偏向装置の製造方法、および、描画装置の製造方法
|
JP5809419B2
(ja)
*
|
2011-02-18 |
2015-11-10 |
株式会社ニューフレアテクノロジー |
荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
|
NL2006868C2
(en)
|
2011-05-30 |
2012-12-03 |
Mapper Lithography Ip Bv |
Charged particle multi-beamlet apparatus.
|
JP2013045838A
(ja)
*
|
2011-08-23 |
2013-03-04 |
Canon Inc |
描画装置、および、物品の製造方法
|
JP5707286B2
(ja)
*
|
2011-09-21 |
2015-04-30 |
株式会社日立ハイテクノロジーズ |
荷電粒子線装置、荷電粒子線装置の調整方法、および試料の検査若しくは試料の観察方法。
|
US8878143B2
(en)
|
2011-10-03 |
2014-11-04 |
Param Corporation |
Electron beam lithography device and lithographic method
|
JP2013172106A
(ja)
*
|
2012-02-22 |
2013-09-02 |
Canon Inc |
描画装置及び物品の製造方法
|
US10586625B2
(en)
|
2012-05-14 |
2020-03-10 |
Asml Netherlands B.V. |
Vacuum chamber arrangement for charged particle beam generator
|
JP2013255974A
(ja)
*
|
2012-06-14 |
2013-12-26 |
Canon Inc |
マイクロ構造体及びその製造方法
|
JP6080540B2
(ja)
*
|
2012-12-26 |
2017-02-15 |
株式会社ニューフレアテクノロジー |
荷電粒子ビーム描画装置
|
JP2014220263A
(ja)
*
|
2013-04-30 |
2014-11-20 |
キヤノン株式会社 |
リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
|
JP6230295B2
(ja)
*
|
2013-06-26 |
2017-11-15 |
キヤノン株式会社 |
描画装置及び物品の製造方法
|
NL2013814B1
(en)
*
|
2013-11-14 |
2016-05-10 |
Mapper Lithography Ip Bv |
Multi-electrode vacuum arrangement.
|
JP6190254B2
(ja)
|
2013-12-04 |
2017-08-30 |
株式会社ニューフレアテクノロジー |
マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
|
JP6353229B2
(ja)
*
|
2014-01-22 |
2018-07-04 |
株式会社ニューフレアテクノロジー |
マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
|
US9782136B2
(en)
|
2014-06-17 |
2017-10-10 |
The University Of North Carolina At Chapel Hill |
Intraoral tomosynthesis systems, methods, and computer readable media for dental imaging
|
US10980494B2
(en)
|
2014-10-20 |
2021-04-20 |
The University Of North Carolina At Chapel Hill |
Systems and related methods for stationary digital chest tomosynthesis (s-DCT) imaging
|
JP5816739B1
(ja)
*
|
2014-12-02 |
2015-11-18 |
株式会社ニューフレアテクノロジー |
マルチビームのブランキングアパーチャアレイ装置、及びマルチビームのブランキングアパーチャアレイ装置の製造方法
|
JP2016122676A
(ja)
|
2014-12-24 |
2016-07-07 |
株式会社アドバンテスト |
露光装置および露光方法
|
DE102015202172B4
(de)
|
2015-02-06 |
2017-01-19 |
Carl Zeiss Microscopy Gmbh |
Teilchenstrahlsystem und Verfahren zur teilchenoptischen Untersuchung eines Objekts
|
JP6577787B2
(ja)
|
2015-08-11 |
2019-09-18 |
株式会社ニューフレアテクノロジー |
マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
|
US9679742B2
(en)
*
|
2015-10-30 |
2017-06-13 |
Fei Company |
Method for optimizing charged particle beams formed by shaped apertures
|
US10497536B2
(en)
*
|
2016-09-08 |
2019-12-03 |
Rockwell Collins, Inc. |
Apparatus and method for correcting arrayed astigmatism in a multi-column scanning electron microscopy system
|
JP6700152B2
(ja)
*
|
2016-10-18 |
2020-05-27 |
株式会社ニューフレアテクノロジー |
マルチビーム焦点調整方法およびマルチビーム焦点測定方法
|
JP6791051B2
(ja)
*
|
2017-07-28 |
2020-11-25 |
株式会社ニューフレアテクノロジー |
マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
|
JP6854215B2
(ja)
*
|
2017-08-02 |
2021-04-07 |
株式会社ニューフレアテクノロジー |
マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
|
DE102018202421B3
(de)
|
2018-02-16 |
2019-07-11 |
Carl Zeiss Microscopy Gmbh |
Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem
|
DE102018202428B3
(de)
|
2018-02-16 |
2019-05-09 |
Carl Zeiss Microscopy Gmbh |
Vielstrahl-Teilchenmikroskop
|
WO2019166331A2
(en)
|
2018-02-27 |
2019-09-06 |
Carl Zeiss Microscopy Gmbh |
Charged particle beam system and method
|
US10811215B2
(en)
|
2018-05-21 |
2020-10-20 |
Carl Zeiss Multisem Gmbh |
Charged particle beam system
|
DE102018115012A1
(de)
*
|
2018-06-21 |
2019-12-24 |
Carl Zeiss Microscopy Gmbh |
Teilchenstrahlsystem
|
EP3624167A1
(de)
|
2018-09-14 |
2020-03-18 |
FEI Company |
Bildgebungsvorrichtung mit multi-elektronen-strahl mit verbesserter leistung
|
DE102018007455B4
(de)
|
2018-09-21 |
2020-07-09 |
Carl Zeiss Multisem Gmbh |
Verfahren zum Detektorabgleich bei der Abbildung von Objekten mittels eines Mehrstrahl-Teilchenmikroskops, System sowie Computerprogrammprodukt
|
DE102018007652B4
(de)
|
2018-09-27 |
2021-03-25 |
Carl Zeiss Multisem Gmbh |
Teilchenstrahl-System sowie Verfahren zur Stromregulierung von Einzel-Teilchenstrahlen
|
DE102018124044B3
(de)
|
2018-09-28 |
2020-02-06 |
Carl Zeiss Microscopy Gmbh |
Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskops und Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem
|
US11145485B2
(en)
*
|
2018-12-26 |
2021-10-12 |
Nuflare Technology, Inc. |
Multiple electron beams irradiation apparatus
|
TWI743626B
(zh)
|
2019-01-24 |
2021-10-21 |
德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 |
包含多束粒子顯微鏡的系統、對3d樣本逐層成像之方法及電腦程式產品
|
CN111477530B
(zh)
|
2019-01-24 |
2023-05-05 |
卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 |
利用多束粒子显微镜对3d样本成像的方法
|
CN110031887B
(zh)
*
|
2019-04-30 |
2022-01-04 |
清华大学 |
电子束斑标定装置和方法
|
DE102019005362A1
(de)
|
2019-07-31 |
2021-02-04 |
Carl Zeiss Multisem Gmbh |
Verfahren zum Betreiben eines Vielzahl-Teilchenstrahlsystems unter Veränderung der numerischen Apertur, zugehöriges Computerprogrammprodukt und Vielzahl-Teilchenstrahlsystem
|
TW202115761A
(zh)
|
2019-10-08 |
2021-04-16 |
代爾夫特理工大學 |
用於產生複數帶電粒子子束之裝置及使用其之檢查、成像或處理設備和方法
|
EP3893263A1
(de)
*
|
2020-04-06 |
2021-10-13 |
ASML Netherlands B.V. |
Blendenanordnung, strahlmanipulatoreinheit, verfahren zum manipulieren geladener teilchenstrahlen und geladene teilchenprojektionsvorrichtung
|
JP7474151B2
(ja)
*
|
2020-08-21 |
2024-04-24 |
株式会社ニューフレアテクノロジー |
マルチ電子ビーム描画装置及びマルチ電子ビーム描画方法
|
WO2024156469A1
(en)
|
2023-01-25 |
2024-08-02 |
Carl Zeiss Multisem Gmbh |
Multi-beam particle microscope with improved multi-beam generator for field curvature correction and multi-beam generator
|
DE102023101774A1
(de)
|
2023-01-25 |
2024-07-25 |
Carl Zeiss Multisem Gmbh |
Verfahren zum Auslegen eines Vielstrahl-Teilchenstrahlsystems mit monolithischen Bahnverlaufskorrekturplatten, Computerprogrammprodukt und Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem
|