KR970063036A - 서멀헤드 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

다층배선구조로 한 경우에 각층의 접속불량이나 절연불량의 발생을 확실하게 방지하고, 리얼에지화하여도 제조가 용이하여 신뢰성을 유지할 수 있으며, 또한 서멀헤드블록의 연결수가 3개 이상이어도 공통전극의 단자 접속에 지장이 없는 서멀헤드 및 서멀헤드의 제조방법을 제공하는 것이다. 방열기판(11)상에 보온층(12), 도전층(13), 층간절연층(15), 발열저항체(16), 공통전극(17a), 개별전극(17b) 및 보호층(18)을 적층하여 이루어지는 서멀헤드로서 상기 도전층(13)은 질화물 또는 산화물과 금속과의 융합체로 이루어지고, 공통전극(17a)과 전기적으로 접속되어 있고, 상기 충간절연층(15)은 적어도 상기 도전층(13)의 산화막을 가지고 형성되어 있느 것이다.

Description

서멀헤드 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 있어서의 서멀헤드의 단면도.
제2도는 본 발명의 제1실시예에 있어서의 서멀헤드의 평면도.
제3도는 본 발명의 제1실시예에 있어서의 제조도중의 다층배선기판을 나타낸 단면도.
제4도는 제1실시예에 있어서의 서멀헤드의 다층배선기판의 제조방법을 나타낸 플로우챠트

Claims (16)

  1. 방열기판상에 보온층, 도전층, 층간절연층, 발열저항체, 공통전극, 개별전극 및 보호층을 적층하여 이루어지는 서멀헤드에 있어서, 상기 도전층은 질화물 또는 산화물과 금속과의 융합체로 이루어지고, 공통전극과 전기적으로 접속되어 있으며, 상기 층간절연층은 적어도 상기 도전층의 산화막을 가지고 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 서멀헤드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 도전층은 실리콘의 질화물, 실리콘의 산화물, 알루미늄의 질화물 및 알루미늄의 산화물중 한종 또는 이들 복합체와 고융점금속으로 이루어지는 도전성서밋으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 서멀헤드.
  3. 제2항에 있어서, 상기 도전층은 질화알루미늄과 탄탈과의 융합체인 것을 특징으로 하는 서멀헤드.
  4. 제2항에 있어서, 상기 도전층은 산화알루미늄과 탄탈과의 융합체인 것을 특징으로 하는 서멀헤드.
  5. 제1항에 있어서, 상기 도전층은 고융점금속의 붕화물, 질화물, 탄화물, 규화물의 도전성세라믹으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 서멀헤드.
  6. 제1항에 있어서, 상기 층간절연층은 상기 도전층의 산화막을 제1층간절연층으로 하고, 이 제1층간절연층상에 적층된 절연성세라믹을 제2층간절연층으로 하는 복층의 층간절연층인 것을 특징으로 하는 서멀헤드.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제2층간절연층은 실리콘의 질화물, 실리콘의 산화물, 알루미늄의 질화물 및 알루미늄의 산화물중 적어도 일종으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 서멀헤드.
  8. 제1항에 있어서, 상기 공통전극은 그 외부 회로접속부가 적어도 기판내에 3개소 이상 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 서멀헤드.
  9. 제1항에 있어서, 상기 공통전극은 단층으로 도전층과 발열저항체에 끼여져 형성되고, 상기 개별전극은 2층으로 발열저항체를 끼우도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 서멀헤드.
  10. 방열기판상의 발열부에 대응하는 위치에 보온층을 돌출형성하고, 이 기판 및 보온층의 상면에 질화물 또는 산화물과 금속과의 융합체로 이루어지는 도전층을 적층하는 공정과, 이 도전층상에 절연성이며, 내산화성의 마스크충을 적층하는 공정과, 이 마스크층의 공통전극 및 이 공통전극의 외부회로접속부의 형성위치에 대응하는 위치에 마스크패턴을 형성하는 공정과, 상기 마스크패턴에 의한 마스크층 형성부분이외의 도전층의 표면에 산화분위기속에서 열 또는 플라즈마산화하여 충간절연층을 형성하는 공정과, 상기 내산화성의 마스크를 제거하는 공정과, 양단부가 각각 상기 충간절연층 및 상기 도전층의 상측에 위치하도록 소정의 발열저항체를형성히는 공정과, 이발열저항체의 상면의 상기 충간절연층측의 단부에 개별전극을 형성함과 동시에 상기 도전층측의 단부에 공통전극을 형성하는 공정과, 이들 최상면에 보호층을 적층형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 서멀헤드의 제조방법.
  11. 방열기판상의 발열부에 대응하는 위치에 보온층을 돌출형성하고, 이 기판 및 보온충의 상면에 질화물 또는 산화물과 금속과의 융합체로 이루어지는 도전층을 적층하는 공정과, 이 도전층상에 절연성이며 내산화성의 마스크층를 적층하는 공정과, 이 마스크층의 공통전극 및 이 공통전극의 외부회로접속부의 형성위치에 대응하는 위치에 마스크패턴을 형성하는 공정과, 상기 마스크패턴에 의한 마스크층 형성부분이외의 도전층의 표면에 산화분위기속에서 열 또는 플라즈마산화하여 층간절연층을 형성하는 공정과, 양단부가 각각 상기 층간절연층및 상기 도전층의 상측에 위치하도록 소정의 발열저항체를 형성하는 공정과, 이 발열저항체의 상면의 상기 층간절연층측의 단부에 개별전극을 형성함과 동시에 상기 도전층측의 단부에 공통전극을 형성하는 공정과, 이들 최상면에 보호층을 적층형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 서멀헤드의 제조방법.
  12. 방열기판상의 발열부에 대응하는 위치에 보온층을 돌출형성하고, 이 기판 및 보온층의 상면에 저항체재료로 이루어지는 도전층을 적층하는 공정과, 이 도전층상에 내산화성의 마스크층을 적층하는 공정과, 이 마스크층의 공통전극 및 이 공통전극의 외부회로 접속부의 형성위치에 대응하는 위치에 마스크패턴을 형성하는 공정과, 상기 마스크패턴에 의한 마스크층 형성부분이외의 도전층의 표면에 산화분위기속에서 열 또는 플라즈마 산화하여 제1층간절연층을 형성하는 공정과, 이 제1층간절연층상에 절연성세라믹재료로 이루어지는 절연층을 적층하고, 공통전극 및 이 공통전극의 단자부의 형성위치에 대응하는 위치를 포토리소그래피기술로 에칭하여 상기 도전층을 노출시켜 제2층간절연층을 형성하는 공정과, 양단부가 각각 상기 제2층간절연층 및 상기 도전층의 상측에 위치하도록 소정의 발열저항체를 형성하는 공정과, 이 발열저항체의 상면의 상기 제2층간절연층측의 단부에 개별전극을 형성함과 동시에 상기 도전층측의 단부에 공통전극을 형성하는 공정과, 이들의 최상면에 보호층을 적층형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 서멀헤드의 제조방법.
  13. 제10항 또는 제12항에 있어서, 상기 내산화성의 마스크층은 이산화실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 서멀헤드의 제조방법.
  14. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 내산화성마스크층은 몰리브덴실리사이드로 형성되는 것을 특징으로 하는 서멀헤드의 제조방법.
  15. 복수의 서멀헤드블록을 배설하고, 방열기판상에 보온층, 도전층, 층간절연층, 발열저항체, 공통전극, 개별전극 및 보호층을 적층하여 이루어지는 서멀헤드유니트의 상기 방열기판을 절단함으로써 개개의 서멀헤드를 제조하는 서멀헤드의 제조방법으로서 적어도 상기 적층막을 레이저광의 조사에 의하여 제거하고, 그 후, 노출한 방열기판을 절단하는 것을 특징으로 하는 서멀헤드의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 방열기판의 절단후, 상기 보온층 및 보호층의 단면이 해당 방열기판의 단면과 대략 동일면이 되도록 해당 방열기판만을 연마하는 것을 특징으로 하는 서멀헤드의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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