KR970054488A - 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터 - Google Patents

헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터 Download PDF

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KR970054488A
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KR
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heterojunction bipolar
emitter
bipolar transistor
ballast resistance
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KR1019960044518A
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유타카 우네메
카오루 카도이와
노리오 하야후지
테루유키 시무라
Original Assignee
기다오까 다까시
미쓰비시 뎅끼 가부시끼가이샤
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Abstract

[과제]
트랜지스터유닛이 균일한 동작이 가능한 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터를 제공한다.
[해결수단]
이미터전극(34)과 콜렉터전극(33)과의 사이에, 이미터층(7), 베이스층(5), 및 콜렉터층(4)을 구비한 복수의 트랜지스터유닛(15)이 병렬로 형성된 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터에 있어서, 상기 이미터층(7)과 상기 이미터전극(34)과의 사이에, AlxGa1-xAs(0.5≤x≤1)로 이룬 밸러스트저항층(9)을 구비한 것이다.

Description

헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예 1에 의한 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터의 구조를 표시하는 확대단면도.

Claims (3)

  1. 이미터전극과 콜렉터전극과의 사이에, 이미터층, 베이스층, 및 콜렉터층을 구비한 복수의 트랜지스터유닛(15)이 병렬로 형성된 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터에 있어서, 상기 각 트랜지스터유닛의 이미터층과 상기 이미터전극과의 사이에, AlxGa1-xAs(0.5≤x≤1)로 이룬 밸러스트저항층을 구비한 것을 특징으로 하는 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 밸러스트저항층의 캐리어농도가 1×1017cm-3이상인 것을 특징으로 하는 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터.
  3. 제1항 또는 2항에 있어서, 상기 밸러스트저항층의 적어도 한편의 면에 접하도록 반도체로 이루어지는 경사접속층을 형성하며, 그 경사접속층은, 그 밴드갭이, 그 두께방향에서, 상기 밸러스트저항층측에서의 그 밸러스트저항층의 밴드갭과에 거의 같은 값으로부터, 상기 밸러스트저항층과 반대측에서의, 그 반대측에서 해당 경사접속층에 접하는 층의 밴드갭에 거의 같은 값까지 서서히 변화하는 값을 가지는 것을 특징으로 하는 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960044518A 1995-12-08 1996-10-08 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터 KR970054488A (ko)

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JP95-320356 1995-12-08

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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19834491A1 (de) * 1998-07-31 2000-02-03 Daimler Chrysler Ag Anordnung und Verfahren zur Herstellung eines Heterobipolartransistors
GB2341974A (en) * 1998-09-22 2000-03-29 Secr Defence Semiconductor device incorporating a superlattice structure
KR100504190B1 (ko) * 1998-09-25 2005-10-26 매그나칩 반도체 유한회사 헤테로 바이폴라 트랜지스터의 브릿지 형성방법
US6600179B2 (en) * 2001-11-01 2003-07-29 M/A-Com, Inc. Power amplifier with base and collector straps
US6768140B1 (en) * 2002-04-03 2004-07-27 Skyworks Solutions, Inc. Structure and method in an HBT for an emitter ballast resistor with improved characteristics
DE102005021450B4 (de) * 2005-05-10 2009-04-23 Atmel Germany Gmbh Integrierter Schaltkreis und Verfahren zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises und dessen Verwendung
EP2637285B1 (en) * 2010-11-02 2020-04-01 Mitsubishi Electric Corporation Electric power steering power module and electric power steering drive control device employing same
JP5660115B2 (ja) 2012-12-18 2015-01-28 株式会社村田製作所 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、これを用いた電力増幅器、及びヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0562272A3 (en) * 1992-03-23 1994-05-25 Texas Instruments Inc Microwave heterojunction bipolar transistors with emitters designed for high power applications and method for fabricating same
JP2734875B2 (ja) * 1992-04-28 1998-04-02 松下電器産業株式会社 ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法
JP2958213B2 (ja) * 1993-06-08 1999-10-06 シャープ株式会社 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

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CN1158008A (zh) 1997-08-27
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