KR970052399A

KR970052399A - 반도체 장치의 제조방법

Info

Publication number: KR970052399A
Application number: KR1019950059358A
Authority: KR
Inventors: 이원성
Original assignee: 김광호; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1995-12-27
Filing date: 1995-12-27
Publication date: 1997-07-29

Abstract

본 발명은 데머신(Damascene) 공정에서, 콘택 홀을 형성하기 위한 식각 마스크로서 도전층의 상부에 건식 식각이 가능한 캡핑막을 형성하여 자기 정렬된 콘택 홀을 형성하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

그리고, 서로 다른 막질의 빛에 대한 반사계수의 차이를 이용하여 포토 레지스트막을 노광하고, 이렇게 형성된 포토 레지스트막 패턴을 식각 마스크로 하여 캡핑막을 자기 정렬 형태로 형성할 수 있게 되어 반도체 장치의 매몰 콘택 홀을 형성하는 공정에 있어서, 미스 얼라인이나 혹은 미세한 매몰 콘택 홀을 형성할 수 있게 한다.

Description

반도체 장치의 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2A도 내지 제2F도는 본 발명의 제1실시예에 따라 반도체 장치를 제조하는 공정들을 보여주는 단면도.

Claims

반도체 기판(200)상에 제1절연막(205)을 형성하는 공정과, 상기의 제1절연막(205)의 일부를 선택적으로 식각하여 제1절연막(205)내에 트렌치(210)를 형성하는 공정과, 상기 트렌치(210)를 포함하는 반도체 기판(200)상에 제2절연막(220)을 형성하는 공정과, 상기의 제2절연막(220)상에 도전막(230)을 형성하는 공정과, 화학 기계적 방법에 의하여 트렌치(210)의 상부까지 상기의 도전막(230) 및 제2절연막(220)을 연마하는 공정과, 상기 트렌치(210)내의 도전막(230)을 포함하는 제1절연막(205)상에 캡핑막(240)을 형성하는 공정과, 상기 캡핑막(240)상에 포토 레지스트막(250)을 형성하는 공정과, 상기의 포토 레지스트막(250)를 패터닝하고, 이를 마스크로 하여 그 하부의 캡핑막(240)을 선택적으로 식각하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
반도체 기판(300)상에 제1절연막(310)을 형성하는 공정과, 상기의 제1절연막(310)의 일부를 선택적으로 식각하여 상기 제1절연막(310)내에 트렌치(320)를 형성하는 공정과, 상기의 트렌치(320)를 포함하는 반도체 기판(300)상에 제2절연막(330)을 형성하는 공정과, 상기의 제2절연막(330)상에 도전막(340)을 형성하는 공정과, 화학 기계적 식각법에 의하여 상기의 도전막(340) 및 그 하부의 제2절연막(330)을 상기의 트렌치(320)의 상부까지 연마하는 공정과, 상기의 도전막(340)을 포함하는 제1절연막(310)상에 캡핑막(350), 간섭막(360), 포토 레지스트막(370)을 차례로 형성하는 공정과, 상기의 포토 레지스트막(370)를 패터닝하는 공정과, 상기의 패터닝된 포토 레지스트막(370)을 마스크로 하여 그 하부의 간섭막(360), 캡핑막(350)을 패터닝하는 공정을포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
반도체 기판(400)상에 제1절연막(410), 흡수막(420)을 차례로 형성하는 공정과, 상기의 흡수막(420) 및 제1절연막(410)의 일부를 선택적으로 식각하여 트렌치(320)를 형성하는 공정과, 상기의 트렌치(430)를 포함하는 흡수막(420)상에 제2절연막(435)을 형성하는 공정과, 상기의 제2절연막(435)상에 도전막(440)을 형성하는공정과, 화학 기계적 식각법에 의하여 상기의 도전막(440) 및 제2절연막(435)을 상기의 트렌치(430)의 상부까지 연마하는 공정과, 상기의 도전막(440)을 포함하는 흡수막(420)상에 캡핑막(450), 포토 레지스트막(460)을 차례로 형성하는 공정과, 상기의 포토 레지스트막(460)를 패터닝하는 공정과, 상기의 패터닝된 포토 레지스트막(460)을 마스크로 하여 그 하부의 캡핑막(450)을 선택적으로 식각하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
제1항 또는 제2항 또는 제3항 중 적어도 한 항에 있어서, 상기의 포토 레지스트막은 네가티브형인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
제1항 또는 제2항 또는 제3항 중 적어도 한 항에 있어서, 상기의 캡핑막은 SiNx, Al₂O₃, SiO₂, Al₂O₃막, SiON막, BPSG막, PSG막 중 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
제1항 또는 제2항 또는 제3항중 적어도 한 항에 있어서, 상기의 도전막은 W막, WSi막, WN막, Al막 Cu막, Ti막, TiN막, TiSi막, 폴리 실리콘막 중 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.