KR970051391A - 반도체장치 - Google Patents
반도체장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970051391A KR970051391A KR1019950064514A KR19950064514A KR970051391A KR 970051391 A KR970051391 A KR 970051391A KR 1019950064514 A KR1019950064514 A KR 1019950064514A KR 19950064514 A KR19950064514 A KR 19950064514A KR 970051391 A KR970051391 A KR 970051391A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gate
- transistor
- output signal
- semiconductor device
- low power
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
- G11C7/08—Control thereof
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
- G11C17/08—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements
- G11C17/10—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
본 발명은 공급전압단과 접지단 사이에 누설전류패스가 형성되어 반도체장치의 전력소모가 커지는 것을 방지하기 위하여 전류패스를 감지하여 차단할 수 있는 저전력용 센스앰프를 구비한 반도체장치에 관한 것으로, 읽기전용 메모리와 저전력용 센스앰프로 구성된 반도체장치에 잇어서, 상기 저전력용 센스앰프는 제어신호를 수신하여 출력신호를 제1도전형의 M4 트랜지스터의 게이트로 출력하는 제1CMOS, M4의 드레인과 공통접속되고 소오스단에는 소전전압이 인가되고 게이트에는 OR게이트의 출력신호가 공급되는 제2도전형의 M5 트랜지스터, M4 및 M5 트랜지스터의 공통드레인 출력신호를 입력으로 하고 출력단과 제2도전형의 M6 트랜지스터의 소오스단에 출력신호를 공급하는 제2CMOS, 상기 M6 트랜지스터의 게이트는 M7 트랜지스터의 게이트와 공통으로 접속되어 제어신호가 입력되고 제2도전형의 M6 트랜지스터와 제1도전형의 M7 트랜지스터의 드레인은 공통접속되어 OR게이트의 하나의 입력단에 출력신호를 공급하고, 상기 OR게이트의 다른 하나의 입력단에는 제어신호가 공급되는 구성으로 된 것을 특징으로 하며, 상술한 본 발명에 따르면, 종래 NOR형 ROM인 경우에 프리-충전 시간이 따로 존재하여 전류소모가 항상 발생하게 되는데 반하여 전류패스가 생기면 전류패스가 즉시 끊어져 전력소모를 크게 줄일 수 있는 효과가 있으며, 동작속도 또한 향상되어 고속동작, 저전력이 요구되는 반도체장치를 구현하는데 매욱 적합하다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 저전력용 센스앰프회로도이다.
Claims (2)
- 읽기전용 메모리와 저전력용 센스앰프로 구성된 반도체장치에 있어서, 상기 저전력용 센스앰프는 제어신호를 수신하여 출력신호를 제1도전형의 제1트랜지스터의 게이트로 출력하는 제CMOS, 상기 제1트랜지스터의 드레인과 공통접속되고 소오스단에는 소정전압이 인가되고 게이트에는 OR게이트의 출력신호가 공급되는 제2도전형의 제2트랜지스터, 상기 제1트랜지스터의 공통 드레인 출력 신호를 입력으로 하고 출력단과 제2도전형의 제3트랜지스터의 소오스단에 출력신호를 공급하는 제2CMOS, 상기 제3트랜지스터의 게이트는 제4트랜지스터의 게이트와 공통으로 접속되어 제어신호가 입력되고 제2도전형의 제3트랜지스터와 제1도전형의 제4트랜지스터의 드레인출력은 공통접속되어 OR게이트의 하나의 입력단에 공급되고, 다른 하나의 입력단에는 제어신호가 공급되는 OR게이트로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전형은 N형, 제2도전형은 P형인 것을 특징으로 하는 반도체장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950064514A KR100329756B1 (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 마스크롬용센스앰프 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950064514A KR100329756B1 (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 마스크롬용센스앰프 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970051391A true KR970051391A (ko) | 1997-07-29 |
KR100329756B1 KR100329756B1 (ko) | 2002-11-16 |
Family
ID=37479179
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950064514A KR100329756B1 (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 마스크롬용센스앰프 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100329756B1 (ko) |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950064514A patent/KR100329756B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100329756B1 (ko) | 2002-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR920010900A (ko) | 반도체지연회로 | |
KR960012000A (ko) | 부트스트랩회로 | |
KR960043513A (ko) | 반도체 장치의 파워-업 리세트 신호 발생 회로 | |
KR860000659A (ko) | M0s 스태틱형 ram | |
KR970060217A (ko) | 출력회로, 누설전류를 감소시키기 위한 회로, 트랜지스터를 선택적으로 스위치하기 위한 방법 및 반도체메모리 | |
KR970018596A (ko) | 반도체 집적회로 장치 | |
KR910002127A (ko) | 전원절환회로 | |
KR950024349A (ko) | 외부 파워 서플라이의 전위에 의거하여 내부 파워 서플라이의 전위를 발생시키는 내부 파워 서플라이 회로 | |
KR960038997A (ko) | 반도체 메모리장치의 전류센스앰프회로 | |
KR900011152A (ko) | 전원전압 강하검파 및 초기화회로 재설정 회로 | |
KR960012462A (ko) | 반도체 집적 회로 및 그 제조 방법 | |
KR850006902A (ko) | 전압레벨 검출회로 | |
KR960027331A (ko) | 버퍼회로 및 바이어스회로 | |
KR940026953A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
KR960030395A (ko) | 저전압출력회로 및 반도체장치 | |
KR970051391A (ko) | 반도체장치 | |
KR890012445A (ko) | 푸시-풀 출력회로 | |
KR950012459A (ko) | 다(多)비트 출력 메모리 회로용 출력 회로 | |
KR950012703A (ko) | 반도체 메모리 장치의 데이타 입력 버퍼 | |
KR960035645A (ko) | 전력 감소형 메모리 차동 전압 감지 증폭기 및 전력 감소 방법 | |
KR950015748A (ko) | 반도체메모리장치의 승압레벨 감지회로 | |
KR0147469B1 (ko) | 출력 노이즈 감소회로 | |
KR980006873A (ko) | 반도체 장치의 저전압 회로 | |
KR920006989A (ko) | 불휘발성 반도체기억장치 | |
KR100223827B1 (ko) | 프로그래머블 출력버퍼회로 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080218 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |