KR980006873A - 반도체 장치의 저전압 회로 - Google Patents
반도체 장치의 저전압 회로 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 장치의 전전압 회로에 관해 게시한다. 본 발명은, 전원에 제1주전극이 연결된 높은 문턱 전압을 갖는 제1트랜지스터와, 상기 트랜지스터의 제2주전극에 제1제어단이 연결된 낮은 문턱 전압을 트랜지스터들로 구성된 저전압 논리 회로 및 상기 저전압 논리 회로의 제2제어단에 제1주전극이 연결되고 제2주전극은 접지된 높은 문턱 전압을 갖는 제2트랜지스터를 구비함으로써 누설 전류를 방지하여 전력 소모를 감소시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 반도체 장치의 저전압 회로도.
Claims (4)
- 전원에 제1주전극이 연결된 높은 문턱 전압을 갖는 제1트랜지스터; 상기 제1 트랜지스터의 제2주전극에 제1제어단이 연결된 낮은 문턱 전압을 트랜지스터들로 구성된 저전압 논리 회로; 및 상기 저전압 논리 회로의 제2제어단에 제1주전극이 연결되고 제2주전극은 접지된 높은 문턱 전압을 갖는 제2트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 저전압 회로를 제공한다.
- 제1항에 있어서, 상기 제1트랜지스터는 PMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 하는 반도체 장치의 저전압 회로를 제공한다.
- 제1항에 있어서, 상기 제2트랜지스터는 NMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 하는 반도체 장치의 저전압 회로를 제공한다.
- 제1항에 있어서, 상기 저전압 논리 회로는 상기 제1트랜지스터의 제2주전극에 소오스가 연결되고 게이트는 입력 신호에 연결된 PMOS 트랜지스터와 상기 PMOS트랜지스터의 드레인과 출력단에 드레인이 연결되고 게이트는 입력 신호에 연결되며 소오스는 상기 제2트랜지스터의 제1주전극에 연결된 것을 특징으로 하는 하는 반도체장치의 저전압 회로를 제공한다.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023952A KR980006873A (ko) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 반도체 장치의 저전압 회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023952A KR980006873A (ko) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 반도체 장치의 저전압 회로 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980006873A true KR980006873A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66288449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960023952A KR980006873A (ko) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 반도체 장치의 저전압 회로 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980006873A (ko) |
-
1996
- 1996-06-26 KR KR1019960023952A patent/KR980006873A/ko not_active Application Discontinuation
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