KR970051277A - 반도체 메모리 장치의 센스 앰프 제어 회로 및 그 센싱 방법 - Google Patents
반도체 메모리 장치의 센스 앰프 제어 회로 및 그 센싱 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970051277A KR970051277A KR1019950066920A KR19950066920A KR970051277A KR 970051277 A KR970051277 A KR 970051277A KR 1019950066920 A KR1019950066920 A KR 1019950066920A KR 19950066920 A KR19950066920 A KR 19950066920A KR 970051277 A KR970051277 A KR 970051277A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- memory device
- semiconductor memory
- sense amplifier
- control circuit
- amplifier control
- Prior art date
Links
Landscapes
- Dram (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Abstract
파워 노이즈의 피크(PEAK)를 줄일 수 있는 반도체 메모리 장치의 센스 앰프 제어회를 대시한다.
반도체 메모리 장치의 한번에 활성화는 수개의 단위 셀 어레에 블록들을 센싱하는 경우 수개의 뒤의 셀 어레이 블록들을 비타라인 센싱시점을 칼럼 어드레스 신호를 이용하요 서초 차이를 두어 센싱하도록 PMOS센스 앰프를 인에이블 시키는 것을 특징르로 하는 반도체 메모리 장치의 센스 엠프 제어회로를 제공한다.
따라서 본 발명에 의하면 반도체 메모리 장치의 수개의 단위 셀 어레이 비트라인 센싱시점을 서로 차이를 두어 센싱하므로써 전류 소모의 분산을 유도하여 파워 노이즈의 피크(PEAK)를 줄을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 의한 세스엠프 제어 회로의 회로도를 나타낸다.
Claims (3)
- 반도체 메모리 장치의 한번에 활성화되는 수개의 단위 셀 어레이 블록들을 센싱하는 경우 상기 수개의 단위 셀 어레이 블록들의 비트라인 센싱 시점을 칼럼 어드레스 신호를 이용하여 서로 차리를 두어 센싱하도록PMOS센스 앰프를 인에이블스키는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 센스 앰프 제어회로.
- 제1항에 있어서 상기 센스 앰프 제어회로는 센싱 인에이블 클록 신호 ФS와 단위 어레이 블록 칼럼 어드레스 신호 CAIO를 입력으로 하는 NOR게이트 ; 상기 NOR게이트 출력을 입력으로 하는 제1인버터 ; 상기 제1인버터의 출력을 입력으로 하는 제1NAND 게이트 ; 상기 제1NAND게이트의 출력을 제2인버터; 상기 제2인버터 출력과 블록 선택신호ФBLSi를 입력으로 하여 PMOS센스앰프 구동시호인 LAPG를 출려하는 제2NAND게이트로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 센스앰프 제어회로.
- 반도체 메모리 장치의 센스 앰프 제어회로를 사용한 비트라인 센싱 방법은 한번에 활성화되는 수개의 단위 셀 어레이 블록들의 비트라인 센싱 시점을 칼럼 어드레스 신호를 이용하여 서로차리를 두어 센싱하는 것을 특징으로 하는 반도에 메모리 장치의 비트라인 센싱방법※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950066920A KR970051277A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 메모리 장치의 센스 앰프 제어 회로 및 그 센싱 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950066920A KR970051277A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 메모리 장치의 센스 앰프 제어 회로 및 그 센싱 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970051277A true KR970051277A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66637384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950066920A KR970051277A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 메모리 장치의 센스 앰프 제어 회로 및 그 센싱 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970051277A (ko) |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950066920A patent/KR970051277A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970029803A (ko) | 반도체 메모리장치의 프리차지 회로 | |
| KR970051182A (ko) | 반도체 기억 장치 | |
| KR880010424A (ko) | 스태틱형 반도체 기억장치 | |
| KR900019037A (ko) | 동작전원 전압으로써 복수의 정격 전압을 가지는 다이나믹, 랜덤, 액세스, 메모리 | |
| KR890017706A (ko) | 다이나믹형 반도체 기억장치 | |
| KR860004409A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR960006039A (ko) | 반도체 기억 장치 | |
| KR880010423A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR930005017A (ko) | 반도체 dram 장치 | |
| KR960005618A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR950020703A (ko) | 반도체 기억 장치(Semiconductor Memory Device) | |
| KR920013454A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR970022757A (ko) | 메모리 소자내의 메인앰프의 배치구조 | |
| KR910010524A (ko) | 불휘발성 반도체기억장치 | |
| KR950020734A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR930005036A (ko) | 반도체 메모리 장치의 리던던트 셀어레이 배열방법 | |
| KR890001095A (ko) | 전류전압 변환회로를 갖는 센스회로 및 그 반도체 메모리 | |
| KR970051277A (ko) | 반도체 메모리 장치의 센스 앰프 제어 회로 및 그 센싱 방법 | |
| KR970051221A (ko) | 시분할 워드라인 구동 회로를 구비한 반도체 메모리 장치 | |
| KR930018584A (ko) | 워드선(Word line)구동회로와 이를 이용한 반도체 기억장치 | |
| KR940018975A (ko) | 반도체 메모리 | |
| TW200713305A (en) | Bit line control circuit for semiconductor memory device | |
| KR920010450A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR19980018612A (ko) | 반도체 기억 회로 | |
| KR970060212A (ko) | 반도체 메모리 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |