KR970051218A - 반도체 메모리 장치의 대기전류 검출회로 - Google Patents

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KR970051218A
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유제환
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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야
본 발명은 반도체 메모리 장치의 대기전류 검출회로에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 단락 전류 발생 위치를 찾아내기 위하 대기전류 검출방법을 적용하기에 용이한 메모리 어레이(Memory Array)의 기본적인 대기전류 검출회로를 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 다수개의 워드라인과 다수개의 비트라인의 교차점에 배치되어 데이타를 저장하거나 외부로 읽어내기 위한 셀을 가지는 반도체 메모리 장치의 대기전류 검출회로에 있어서, 상기 셀들로 이루어진 메모리 어레이를 다수개로 분할하고 이 각각의 분할 메모리 어레이의 전류 공급 통로에 삽입된 트랜지스터로 이루어진 스위치와, 대기전류 검출모드에 진입한 후 상기 스위치를 선택적으로 개방, 단락하여 상기 메모리 어레이를 구성하는 분할 메모리 어레이들 중 특정 분할 메모리 어레이에서 대기전류가 발생하고 있는 것을 검출하기 위한 다수개의 디코더를 특징으로 한다.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 반도체 메모리 장치에 적합하게 사용된다.

Description

반도체 메모리 장치의 대기전류 검출회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 메모리 어레이의 개략적인 블럭도.
제2도는 본 발명에 따른 매트의 제어방법의 구체적인 구성도
제3도는 제1도의 디코더의 실시예도.

Claims (3)

  1. 다수개의 워드라인과 다수개의 비트라인의 교차점에 배치되어 데이타를 저장하거나 외부로 읽어내기 위한 셀을 가지는 반도체 메모리 장치의 대기전류 검출회로에 있어서, 상기 셀드로 이루어진 메모리 에레이를 다수개로 분할하고 이 각각의 분할 메모리 어레이의 전류 공급 통로에 삽입된 트랜지스터로 이루어진 스위치와, 대기전류 검출모드에 진입한 후 상기 스위치를 선택적으로 개방, 단락하여 상기 메모리 어레이를 구성하는 분할 메모리 에레이들 중 특정 분할 메모리 어레이에서 대기전류가 발생하고 있는 것을 검출하기 위한 다수개의 디코더를 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 대기전류 검출회로.
  2. 다수개의 워드라인과 다수개의 비트라인의 교차점에 배치되어 데이타를 저장하거나 외부로 읽어내기 위한 셀을 가지는 반도체 메모리 장치의 대기전류 검출회로에 있어서, 상기 다수개의 셀들로 이루어진 메모리 어레이와, 상기 메모리 어레이를 다수개로 분할하는 분할 메모리 어레이와, 상기 분할 메모리 어레이에는 전류를 공급하는 전기적 통로가 구비되어 있고 상기 전기적 통로에는 트랜지스터로 이루어진 스위치가 삽입되어 있으며 상기 스위치의 개방 또는 단락을 제어하기 위한 다수개의 디코더와, 상기 다수개의 디코더를 선택하기 위한 다수개의 어드레스 버퍼를 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 대기전류 검출회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 어드레스 버퍼가 대기 전류 검출모드에 있지 않을 때에만 외부 어드레스 입력의 변화에 반응하는 제1어드레스 출력과 대기전류 검출모드에 있을 때에만 상태 제어신호에 반응하는 제2어드레스 출력을 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 대기전류 검출회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950053539A 1995-12-21 1995-12-21 반도체 메모리 장치의 대기전류 검출회로 KR0184461B1 (ko)

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