KR970051213A - 메모리의 컬럼스위치 인에이블신호 발생회로 - Google Patents

메모리의 컬럼스위치 인에이블신호 발생회로 Download PDF

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Abstract

본 발명의 목적은 정상모드시에는 외부 제어신호인 컬럼 스타트신호에 의해 컬럼 스위치 인에이블신호를 발생하여 비정상적인 어드레스신호의 입력에 따른 오데이타의 출력을 방지하고, 정상모드가 아닌 경우에는 어드레스 천이 검출신호의 합산신호에 의해 그 합산신호의 펄스폭을 갖는 컬럼 스위칭 인에이블신호를 발생하여 데이터 입출력시 소비되는 전류를 감소시키는 메모리의 컬럼스위치 인에이블신호 발생회로에 관한 것으로, 이와같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 수단은 정상모드시 외부에서 인가되는 컬럼 스타트신호에 의해 컬럼 스위치 인에이블신호의 형태를 제어하기 위해 제1 제어신호를 출력하는 제1신호형태 제어수단과, 리프레시 모드시 외부에서 인가되는 어드레스 천이 검출신호의 합산신호에 의해 컬럼스위치 인에이블신호의 형태를 제어하기 위해 제2 제어신호를 출력하는 제2 신호형태 제어수단과, 상기 제1 신호형태 제어수단 또는 제2 신호형태 제어수단으로부터 각각 출력되는 제1 제어신호 또는 제2 제어신호에 의해 컬럼 스위치 인어이블신호를 발생하여 출력하는 신호 발생수단을 포함하여 구성한다.

Description

메모리의 컬럼스위치 인에이블신호 발생회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 의한 메모리의 컬럼 스위치 인에이블신호 발생회로도.

Claims (4)

  1. 정상모드시 외부에서 인가되는 컬럼 스타트신호에 의해 컬럼 스위치 인에이블신호의 형태를 제어하기 위해 제1 제어신호를 출력하는 제1 신호형태 제어수단과, 리프레시 모드시 외부에서 인가되는 어드레스 천이 검출신호의 합산신호에 의해 컬럼 스위치 인에이블신호의 형태를 제어하기 위해 제2 제어신호를 출력하는 제2 신호형태 제어수단과, 상기 제1 신호형태 제어수단 또는 제2 신호형태 제어수단으로부터 각각 출력되는 제1 제어신호 또는
    제2 제어신호에 의해 컬럼 스위치 인에이블신호를 발생하여 출력하는 신호 발생수단을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리의 컬럼스위치 인에이블신호 발생회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 신호형태 제어수단은 외부에서 각각 인가되는 컬럼 스타트신호와 전원전압을 낸드링하여 제1 낸드 게이트와, 제1 인버터를 거친 상기 제1 낸드 게이트로부터 출력된 신호와 외부에서 인가되는 리프레스모드 검출신호를 낸드링하는 제2 낸드 게이트와, 상기 제2 낸드 게이트로부터 출력된 신호를 인버팅하여 제1 제어신호를 출력하는 제2 인버터를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리의 컬럼스위치 인에이블신호 발생회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2 신호형태 제어수단은 외부에서 각각 인가되는 리프레시모드 검출신호와 어드레스 천이 검출신호의 합산신호를 노아링하는 노아 게이트와, 상기 노아 게이트로부터 출력된 신호를 인버팅하여 출력하는 제1 인버터와, 상기 제1 인버터로부터 출력된 신호와 전원전압을 낸드링하는 제1 낸드 게이트와, 제2 인버터 및 제1 콘덴서를 순차 거친 상기 제1 낸드 게이트로부터 출력된 신호를 순차 인버팅하는 제3, 제4의 인버터와, 상기 제1 인버터로부터 출력된 신호와 제2 콘덴서를 순차 거친 상기 제4 인버터로부터 출력된 신호를 낸드링하는 제2 낸드 게이트와, 외부에서 인가되는 라이트 인에이블신호, 상기 제1 인버터로부터 출력된 신호와 제5 인버터 및 제3 콘덴서를 순차 거친 상기 제2 낸드게이트로부터 출력된 신호를 낸드링하여 제2 제어신호를 출력하는 제3 낸드 게이트를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리의 컬럼스위치 인에이블신호 발생회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 신호 발생수단은 상기 제1 신호형태 제어수단에서의 제2 인버터로부터 출력된 제1 제어신호와 상기 제2 신호형태 제어수단에서의 제3 낸드 게이트로부터 출력된 제2 제어신호를 노아링하는 노아 게이트와, 상기 노아 게이트로부터 출력된 신호를 인버팅하여 컬럼스위치 인에이블신호를 출력하는 인버터를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리의 컬럼스위치 인에이블신호 발생회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950053432A 1995-12-21 1995-12-21 메모리의 컬럼스위치 인에이블신호 발생회로 KR0167299B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7417906B2 (en) 2006-09-29 2008-08-26 Nanya Technology Corp. Apparatus and related method for controlling switch module in memory by detecting operation voltage of memory

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1081789C (zh) * 1995-07-31 2002-03-27 西门子公司 在达到换接条件时产生换接信号的换接方法以及所属电路
KR100271653B1 (ko) * 1998-04-29 2000-12-01 김영환 입력버퍼회로
US6087858A (en) * 1998-06-24 2000-07-11 Cypress Semiconductor Corp. Self-timed sense amplifier evaluation scheme
US5978280A (en) * 1998-06-25 1999-11-02 Cypress Semiconductor Corp. Method, architecture and circuit for reducing and/or eliminating small signal voltage swing sensitivity
US5986970A (en) * 1998-06-29 1999-11-16 Cypress Semiconductor Corp. Method, architecture and circuit for writing to a memory
US6122203A (en) * 1998-06-29 2000-09-19 Cypress Semiconductor Corp. Method, architecture and circuit for writing to and reading from a memory during a single cycle
US5946255A (en) * 1998-07-31 1999-08-31 Cypress Semiconductor Corp. Wordline synchronized reference voltage generator
JP3778417B2 (ja) * 2000-02-29 2006-05-24 富士通株式会社 半導体記憶装置
JP3967559B2 (ja) * 2001-04-06 2007-08-29 富士通株式会社 制御回路及び半導体記憶装置
DE10244516B4 (de) * 2002-09-25 2006-11-16 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltung mit einer Eingangsschaltung
KR102030044B1 (ko) 2018-03-23 2019-10-08 주식회사 에이씨티 고주파 온열 치료장치

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0787037B2 (ja) * 1984-03-02 1995-09-20 沖電気工業株式会社 半導体メモリ回路のデータ書込方法
JP2567839B2 (ja) * 1986-02-04 1996-12-25 三菱電機株式会社 半導体記憶装置
US4858197A (en) * 1987-05-26 1989-08-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Output buffer control circuit of memory device
JP2627475B2 (ja) * 1992-10-07 1997-07-09 三菱電機株式会社 半導体メモリ装置
US5349566A (en) * 1993-05-19 1994-09-20 Micron Semiconductor, Inc. Memory device with pulse circuit for timing data output, and method for outputting data
JP3098155B2 (ja) * 1994-01-28 2000-10-16 シャープ株式会社 不揮発性半導体記憶装置
US5457659A (en) * 1994-07-19 1995-10-10 Micron Technology, Inc. Programmable dynamic random access memory (DRAM)
US5559752A (en) * 1995-08-14 1996-09-24 Alliance Semiconductor Corporation Timing control circuit for synchronous static random access memory

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7417906B2 (en) 2006-09-29 2008-08-26 Nanya Technology Corp. Apparatus and related method for controlling switch module in memory by detecting operation voltage of memory

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