KR970048941A - 반도체 소자 제조용 포토 마스크 - Google Patents
반도체 소자 제조용 포토 마스크 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 소자 제조용 마스크.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
PSM 방식의 포토 마스크를 이용하여 노광을 실시하면 크롬으로 가려진 부분의 빛의 투과율이 약 8% 인데 스크라이브 라인 영역은 다이별로 노광을 실시하면서 중첩노광되어 빛의 투과로 인한 포토레지스트의 손상이 수배로 늘어나 포토레지스트가 배리어로서의 역할을 충분히 수행할 수 없고 반도체 기판도 손상을 입는다는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명이 해결방법의 요지
스크라이브 라이넹 빛의 투과율을 대폭 줄일 수 있도록 일부영역만이 오픈시켜 빛의 위상차를 형성하여 간섭 현상을 이용한 보조 마스크를 추가 장착하는 반도체 소자 제조용 포토 마스크를 제공하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
노광시 스크라이브 라이내의 빛의 투과율을 낮추는 보조 포토 마스크를 포함하는 포토 마스크.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 한 실시예에 따른 보조 포토 마스크의 평면도.
Claims (2)
- 반도체 소자 제조용 포토 마스크에 있어서, 형성하고자 하는 패턴의 모양대로 제조된 주 포토 마스크과, 소정의 가로 및 세로 길이의 수개의 정사각형 오픈 영역을 사방 상기 소정의 길이 간격으로 형성하여 상기 주 포토 마스크의 스크라이브 라인 영역에 부착하기 위한 보조 포토 마스크를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 포토 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 소정의 길이는 0.2㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 포토 마스크.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950072219A KR970048941A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자 제조용 포토 마스크 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950072219A KR970048941A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자 제조용 포토 마스크 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970048941A true KR970048941A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66640893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950072219A KR970048941A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자 제조용 포토 마스크 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970048941A (ko) |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950072219A patent/KR970048941A/ko not_active Application Discontinuation
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