KR970031326A

KR970031326A - 입출력 버퍼

Info

Publication number: KR970031326A
Application number: KR1019950042621A
Authority: KR
Inventors: 정승호
Original assignee: 김광호; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1995-11-21
Filing date: 1995-11-21
Publication date: 1997-06-26
Also published as: KR0161460B1

Abstract

본 발명에 의한 입출력버퍼는 종래의 다이오드의 턴온이나 5V 동작 집적회로와 3.3V 공통전원을 사용하는 회로사이의 직류전류통로를 제거할 수 있고, 3.3V 단상 전원만으로도 5V 신호와의 인터페이스 특성이 향상된다. 한 집적회로에 대해서 상이한 동작 전압 모드에서 동작하는 입출력버퍼에 있어서, 숏트키 다이오드를 통해 상기 집적회로에 대해 상이한 동작전압을 갖는 외부전원과 접속되며, 그 접속점은 플로팅시키며, 3.3V의 외부전원에 그 네가티브단자가 접속되고 그 포지티브단자가 버스를 통해 집적회로에 접속되는 보호다이오드; 그 포지티브단자가 접지에 접속되고 그 네가티브단자가 버스를 통해 집적회로에 접속되는 보호다이오드; 3.3V의 외부전원에 그 소스전극이 접속되고, 상기 소스전극과 공통접속됨과 동시에 접지에 그 게이트전극이 접속되고, 그 드레인전극이 버스상의 집적회로에 접속되는 풀업트랜지스터저항; 접지에 접속되는 소스전극, 3.3V 외부전원에 접속되는 게이트전극, 상기 집적회로에 접속되는 드레인전극을 갖는 풀다운트랜지스터저항; 데이터를 입출력하는 드레인 전극과 버스 및 저항을 통해 집적회로에 접속되는 게이트전극과, 3.3V 외부전원에 접속되는 소스전극을 갖는 PMOS트랜지스터; 및 데이터를 입출력하는 드레인전극과, 접지에 접속된 소스전극과 집적회로에 접속되며, 상기 풀업트랜지스터저항의 게이트와 공통접속되는 게이트전극을 갖는 NMOS트랜지스터저항을 포함한다.

Description

입출력 버퍼

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명에 의한 3.3/5볼트 입출력 버퍼를 도시한 개략적인 회로도.

Claims

한 집적회로의 동작전압에 대해서 상이한 동작 전압에서 동작하여 데이터를 상기 집적회로에 입력하거나, 그로부터 출력하는 입출력버퍼에 있어서, 전압강하가 낮은 다이오드를 통해 상기 상이한 동작전압을 갖는 외부전원과 접속되며, 그 접속점은 플로팅시킴을 특징으로 하는 입출력버퍼.
제1항에 있어서, 상기 전압강하가 낮은 다이오드는 숏트키 다이오드임을 특징으로 하는 입출력버퍼.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 집적회로는 5V에서 동작하며, 상기 입출력버퍼는 3.3V에서 동작함을 특징으로 하는 입출력버퍼.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 집적회로는 3.3V에서 동작하며, 상기 입출력버퍼는 5V에서 동작함을 특징으로 하는 입출력버퍼.
제1항, 제2항 및 제3항중의 어느 한 항에 있어서, 3.3V의 외부전원에 그 네가티브단자가 접속되고 그 포지티브단자가 버스(B)를 통해 집적회로(7)에 접속되는 보호다이오드(1); 그 포지티브단자가 접지에 접속되고 그 네가티브단자가 버스(B)를 통해 집적회로(7)에 접속되는 보호다이오드(2); 3.3V의 외부전원에 그 소스전극이 접속되고, 상기 소스전극과 공통접속됨과 동시에 접지에 그 게이트전극이 접속되고, 그 드레인전극이 버스(B)상의 소정의 저항(R)을 통해 집적회로(7)에 접속되는 풀업트랜지스터저항(3); 접지에 접속되는 소스전극, 3.3V외부전원에 접속되는 게이트전극, 버스(B) 및 저항(R)을 통해 집적회로(7)에 접속되는 드레인전극을 갖는 풀다운트랜지스터저항(4); 데이터(D)를 입출력하는 드레인전극과 버스(B) 및 저항(R)을 통해 집적회로(7)에 접속되는 게이트전극과, 3.3V 외부전원에 접속되는 소스전극을 갖는 PMOS트랜지스터(5); 및 데이터(D)를 입출력하는 드레인전극과, 접지에 접속된 소스전극과 버스(B) 및 저항(R)을 통해 집적회로(7)에 접속되며, 상기 풀업트랜지스터저항(5)의 게이트와 공통접속되는 게이트전극올 갖는 MMOS트랜지스터저항(6)을 포함하는 것을 특징으로 하는 입출력버퍼.
제1항, 제2항 및 제4항중의 어느 한 항에 있어서, 5D의 외부전원에 그 네가티브단자가 접속되고 그 포지티브단자가 버스(B)를 통해 집적회로(7)에 접속되는 보호다이오드(1); 그 포지티브단자가 접지에 접속되고 그 네가티브단자가 버스(B)를 통해 집적회로(7)에 접속되는 보호다이오드(2); 5V의 외부전원에 그 소스전극이 접속되고, 상기 소스전극과 공통접속됨과 동시에 접지에 그 게이트전극이 접속되고, 그 드레인 전극이 버스(B)상의 소정의 저항(R)을 통해 집적회로(7)에 접속되는 풀업트랜지스터저항(3); 접지에 접속되는 소스전극, 5V외부전원에 접속되는 게이트전극, 버스(B) 및 저항(R)을 통해 집적회로(7)에 접속되는 드레인전극을 갖는 풀다운트랜지스터저항(4); 데이터(D)를 입출력하는 드레인전극과 버스(B) 및 저항(R)을 통해 집적회로(7)에 접속되는 게이트전극과, 5V외부전원에 접속되는 소스전극을 갖는 PMOS트랜지스터(5); 및 데이터(D)를 입출력하는 드레인전극과, 접지에 접속된 소스전극과 버스(B) 및 저항(R)을 통해 집적회로(7)에 접속되며, 상기 풀업트랜지스터저항(5)의 게이트와 공통접속되는 게이트전극올 갖는 NMOS트랜지스터저항(6)을 포함하는 것을 특징으로 하는 입출력버퍼.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.