KR970030781A - 반도체장치의 입력보호회로 - Google Patents

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Abstract

외부전원선(102)와 내부전원전위가 전달되는 내부전원선(106) 또는 기판 사이에 이 외부전원선(102)에 과도한 고전압서지 발생시에 도통해서 외부전원선(102)와 내부전원선(106)을 전기적으로 접속하는 고전압 도통기구(110)를 마련한다.
이러한 구성으로 하는 것에 의해, 접지선과 외부전원선이 평행하게 배치되어 있는 않은 경우에도 장거리에 걸쳐서 폭이 넓은 필드 트랜지스터 또는 절연게이트형 전계효과 트랜지스터로 구성되는 고전압 도통기구를 형성할 수 있다는 효과가 얻어진다.

Description

반도체장치의 입력보호회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도 1은 본 발명의 실시예 1의 반도체장치의 전체 구성을 개략적으로 도시한 도면.

Claims (21)

  1. 반도체장치의 입력보호회로에 있어서, 외부에서 공급되는 전원전압을 수신하도록 결합된 제1전원노드(102; 201), 상기 외부에서 공급되는 전원 전압에 대응하는 전원전위를 수신하도록 결합된 제 2전원노드(106; 202), 상기 제1전원노드에 결합되는 제1노드와 상기 제 2전원노드에 결합되는 제 2노드를 갖고, 상기제1노드로의, 상기 제1전원노드에 통상시에 인가되는 전압보다 높은 전압의 인가시에 도통해서 상기 제1노드와 사이 제2노드를 서로 전기적으로 접속하는 고전압 도통수단(110)을 포함하는 반도체장치의 입력보호회로.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 제 1외부전원노드에서 공급되는 외부전원전위를 변환해서 상기 제 2전원노드(106)상에 내부전원전위를 발생하는 내부전원전위 발생수단(105)을 더 포함하는 반도체장치의 입력보호회로.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 제 2전원노드(202)는, 상기 제 1전원노드(201)에 인가되는 전원전압과 전위가 동일한 외부에서 인가되는 다른 전원전압을 수신하도록 결합되는 반도체장치의 입력보호회로.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 고전압 도통수단(110)은 반도체기판영역(112) 표면상에 형성되고 또한 상기 제 1노드에 접속되는 제 1불순물영역(120;142;152;312) 및 상기 반도체기판영역 표면상에 상기 제 1불순물영역과 인접해서 또한 거리를 두고 배치되고 또한 상기 제 2노드에 전기적으로 접속되는 제 2불순물영역(122;144;154;314)을 구비하는 반도체장치의 입력보호회로.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 고전압 도통수단(110)은 상기 제 1 및 제 2불순물영역 사이에 형성되고, 상기 제 1 및 제 2불순물 영역을 통상적으로 분리하는 소자분리용 필드절연막을 더 구비하는 반도체장치의 입력보호회로.
  6. 제 4항에 있어서, 상기 고전압 도통수단(110)은 상기 제 1 및 제 2불순물영역 사이의 상기 반도체기판 영역상에 절연막을 개재시켜 형성되고 또한 상기 제 1 및 제 2노드 중의 한쪽에 접속되는 게이트전극층(126; 136)을 더 구비하는 반도체장치의 입력보호회로.
  7. 제 4항에 있어서, 상기 고전압 도통수단(110)은 상기 제 1노드(102)와 상기 제 1불순물영역(142; 152) 사이에 마련되고 상기 제 1노드와 상기 제 1불순물영역을 전기적으로 접속하는 도전배선(142b) 및 상기 제 1불순물영역 외부에 또한 상기 제 1불순물영역과 접해서 또한 적어도 상기 제 1불순물영역과 상기 도전배선 사이의 콘택트부 하부의 영역에 형성되는, 상기 제 1불순물영역보다 불순물농도가 낮고 또한 상기 제 1불순물영역과 동일한 도전형을 갖는 섬형상 불순물영역(145)을 구비하는 반도체장치의 입력보호회로.
  8. 제 4항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2불순물영역(142, 144; 152, 154)은 제 1도전형을 갖고 또한 상기 반도체기판 영역(112; 114)은 상기 제 1도전형과는 다른 제 2도전형을 갖는 반도체장치의 입력보호회로.
  9. 제 4항에 있어서, 상기 제 1불순물영역(142)은 제 1도전형을 갖고 또한 상기 제 2불순물영역(149) 및 상기 반도체기판 영역은 상기 제 1도전형과는 다른 제 2도전형을 갖는 반도체장치의 입력보호회로.
  10. 제 3항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2노드 중 한쪽에 인가되는 외부전원전위를 한쪽 동작전원전압으로서 이용하여 동작하고, 수신된 데이타를 외부로 출력하는 데이타출력회로(215)를 더 구비하는 반도체장치의 입력보호회로.
  11. 제 3항에 있어서, 상기 반도체 장치는 각각이 데이타를 기억하는 여러개의 메모리셀(MC), 활성화시에 상기 여러개의 메모리셀 중 선택된 메모리셀에 기억된 데이타를 검지하고 증폭하는 센스엠프(SA) 및 센스 활성화신호에 응답해서 상기 제 1 및 제 2노드 중 한쪽에 인가된 외부 전원전위를 상기 센스앰프로 전달하는 센스 활성화수단(260)을 포함하는 반도체장치의 입력보호회로.
  12. 반도체 장치의 입력보호회로에 있어서, 외부전원전위를 수신하는 외부전원패드(300) 및 상기 외부전원패드에 접속되는 제 1노드(301)와 반도체기판영역(304)에 결합되는 제 2노드(314)를 갖고, 상기 제 1노드로의, 상기 외부전원전위의 통상시의 전위보다 높은 전위의 인가시에 도통해서 상기 제 1노드와 상기 제 2노드를 서로 전기적으로 접속하는 고전압 도통수단을 포함하는 반도체장치의 입력보호회로.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 고전압 도통수단은 상기 반도체기판영역의 표면에 형성되고 또한 상기 제 1노드에 접속되며 또한 상기 반도체기판영역과는 다른 도전형을 갖는 제 1불순물영역(312) 및 상기 제 1불순물영역과 인접해서 또한 거리를 두고 배치되며, 상기 반도체기판영역(304)과 동일 도전형을 갖는 제 2불순물여역(314)을 구비하는 반도체장치의 입력보호회로.
  14. 제 12항에 있어서, 상기 고전압 도통수단은 상기 제 1노드와 상기 제 2노드에 접속되는 반도체기판영역 사이에 형성되는 다른 도전형의 영역으로 형성되는 여러개의 접합면(412, 415, 420, 422)을 구비하는 반도체장치의 입력보호회로.
  15. 제 12항에 있어서, 상기 고전압 도통수단은 상기 제 1노드에 접속되는 제 1도전형의 제 1불순물영역(412), 상기 제 1불순물영역 하부에 접해서 형성되는, 상기 제 1불순물영역보다 저불순물농도의 제 1도전형의 제 2불순물영역(415) 및 상기 제 1 및 제 2불순물영역 하부에 제 1 및 제 2불순물영역을 둘러싸도록 상기 반도체기판영역상에 형성되는 제 2도전형의 제 3불순물영역(420)을 구비하는 반도체장치의 입력보호회로.
  16. 제 1항에 있어서, 상기 고전압 도통수단(110)은 상기 제 1노드에 접속되고 또한 상기 외부전원전위를 사용하는 회로소자가 그 위에 형성되는 제 1기판영역(500; 550; 550c; 702) 및 상기 기판영역과 평면레이아우트에 있어서 인접하고 또한 거리를 두고 배치되며, 상기 제 2노드에 접속되는 확산영역(502; 555; 703; 725) 을 구비하는 반도체장치의 입력보호회로.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 기판영역상에 형성되는 회로소자는 상기 외부에서 인가되는 전원 전압으로부터 내부 전원전압을 생성하는 내부전원전위 발생수단(720)을 포함하고, 상기 확산영역(725)은 상기 내분전원전위를 이용하는 내부회로가 형성되는 영역과 전기적으로 접속하는 반도체장치의 입력보호회로.
  18. 제 16항에 있어서, 상기 확산영역(502)은 상기 제 1기판영역을 둘러싸도록 형성되는 반도체장치의 입력보호회로.
  19. 제 16항에 있어서, 상기 확산영역(555)은 상기 제 1기판영역내에 형성되는 반도체장치의 입력보호회로.
  20. 제 1항에 있어서, 상기 입력보호회로 및 상기 반도체 장치는 공통의 칩(600)상에 형성되고, 상기 제 2노드(614)는 상기 반도체 칩에 전기적으로 결합되는 반도체장치의 입력보호회로.
  21. 제 20항에 있어서, 상기 제 2노드는 상기 반도체 칩의 외주를 따라 마련된 도전 배선(602)을 거쳐 상기 반도체 칩에 결합되고 또한 상기 칩에 전기적으로 접속되는 반도체장치의 입력보호회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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