KR970024154A - 반도체장치의 캐패시터의 제조방법(Method of fabricating capacitor of semiconductor device) - Google Patents

반도체장치의 캐패시터의 제조방법(Method of fabricating capacitor of semiconductor device) Download PDF

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황두현
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김광호
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Abstract

본 발명은 캐패시턴스의 용량을 증대 시키기 위해 스토리지 전극 층을 크게 형성하면 이웃하는 스토리지와 닫는 문제점이 있으므로, 스토리지 전극의 내부 면적과 외부 면적을 동시에 활용하여 충분히 캐패시턴스를 확보할 수 있는 반도체장치의 캐패시터의 제조방법에 관한 것이다.
발명은 활성영역과 비활성 영역으로 구분 되어진 후 게이트 절연막 및 게이트 전극이 형성되어진 반도체 기판 전면에 제1절연층, 제2절연층, 제3절연층과 제1도전층을 적층하는 공정과, 감광막은 도포, 패터닝하는 공정과, 감광막 패턴을 이용하여 제1도전층과, 제3절연층을 건식식각하는 공정과, 제3절연층을 습식식각하는 공정과, 제2절연층과 제1절연층을 건식식각하는 공정과, 제2전도층을 적층하는 공정과, 감광막을 도포하는 공정과, 스토리지 전극을 형성하기 위한 감광막을 패터닝하는 공정과, 상기 결과물에 유전막 및 플레이트 전극을 형성하는 공정을 포함한다.

Description

반도체장치의 캐패시터의 제조방법 (Method of fabricating capacitor of semiconductor device)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (A)-(E)는 본 발명의 실시예에 따른 반도체장치의 캐패시터의 제조 공정도.

Claims (6)

  1. 게이트절연막, 게이트 및 게이트 불순물 영역이 형성된 반도체 기판상에 제1절연층, 제2절연층, 제3절연층과 제1도전층을 적층하는 공정과, 제1도전층과, 제3절연층을 건식식각하는 공정과, 제3절연층을 습식식각하는 공정과, 제2절연층과 제1절연층을 건식식각하는 공정과, 제2도전층을 적층하는 공정과, 제1도전층과 제2도전층을 식각하여 스토리지 노드를 형성하는 공정과, 상기 결과물에 유전막 및 플레이트 전극을 형성아는 공정을 구비하는 반도체장치의 캐패시터 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 제1절연층 HTO, LTO, BPSG, USG 중 하나를 사용하는 것을 특징으로하는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 제3절연층 HTO, LTO, BPSG, USG 중 하나를 사용하는 것을 특징으로하는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 제2절연층은 제3절연층에 대해서 선택비가 우수한 막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 제2절연층은 SiON, SiN 중 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 제1도전층과 제2도전층은 폴리실리콘, 도핑된 폴리실리콘막 또는 비결정 실리콘막 중 하나를 특징으로 하는 반도체장치의 캐패시터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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