KR970023953A - 토포그래픽 계기 측정을 위한 원자 크기의 수직 피쳐의 제조(formation of atomic scale vertical features for topographic instrument calibration) - Google Patents
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Abstract
토포그래픽 검사 계기를 위한 측정 대상물은 서브 마이크로미터 분리 레벨에서 동작하며 10Å 정도의 원자 크기의 간격의 수직 높이에서 피쳐(feature)를 갖는다. 웨이퍼 표면에 통상적인 열적 산화물과 같은 두꺼운 산화물의 증착시켜 웨이퍼와 같은 실리콘 기판 상에 피쳐가 형성된다. 피쳐의 패턴은 웨이퍼 표면에 가공하지 않은 실리콘의 레벨로 패턴되며 에칭된다. 에칭된 영역은 이들 영역의 실리콘의 레벨로 약간 낮아지는 얇은 산화물로 변환한다. 모든 산화물은 제거되며 실리콘의 약간 낮은 레벨은 원자 크기의 수직 토포그래픽 크기를 갖는 피쳐로의 상승을 제공한다. 몇백만개의 이러한 피쳐는 광택된 웨이퍼상에 동시에 생성되어 탁함(haze) 효과 또는 마이크로-거칠기를 모방한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도 1은 본 발명에 따른 측정 대상물의 상부도,
도 2은 도 1의 측정 대상물의 일부분의 확대도.
Claims (12)
- 원자 크기의 수직 토포그래픽 크기를 가진 단일 물질 측정 대상물을 이러한 크기를 측정할 수 있는 테스팅 계기를 위해 형성하는 방법에 있어서, 제 1 물질로 형성된 상부 표면을 갖는 기판을 제공하는 단계와; 제 2 물질을 상기 제 1 물질과 화학 결합하여 제 2 물질의 제 1 층을 형성하는 단계와; 균일 필드에서 서로 이격된 피쳐를 이용하여 제 2 물질을 패턴하는 단계를 포함하는데, 상기 피쳐는 광을 산란하기 위해 상기 영역과 같은 형상 및 분포를 가지며; 상기 균일 필드를 보호하는 동안 상기 제 2 물질을 통해 상기 제 1 물질 상에 에칭함으로써 상기 필드에서 개구가 되는 피쳐를 생성하는 단계와; 원자 크기의 량에 의해 상기 제 1 층의 레벨 아레로 확장하며 상기 개구에 제 2 물질의 상기 제 1 층보다 얇은 제 2 층을 형성하는 단계와; 상기 기판으로부터 상기 제 2 물질 모두를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 피쳐는 규칙적인 패턴으로 위치되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 피쳐는 준불규칙 패턴으로 위치되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 피쳐는 서로 다른 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 펴쳐는 웨이퍼 표면상에 가상의 박스로 분포되며, 서로 반복되어 교체하는 박스 각각은 이웃하는 박스의 피쳐와 크기가 다른 적어도 하나의 퍼쳐를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 피쳐 크기는 베셀 함수의 다수의 등급으로서 관련되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 원자 크기의 수직 토포그래픽 크기를 측정하는 계기를 측정하는 방법에 있어서, 공지된 거칠기 및 상기 공지된 거칠기와 관련된 공지된 전력 스펙트럼 밀도 함수를 갖는 측정 표준을 제공하는 단계와; 측정된 거칠기를 정의하는 측정된 전력 스펙트럼 밀도 함수로서 상기 측정 표면의 거칠기를 상기 계기를 사용하여 측정하는 단계와; 상기 공지된 거칠기와 상기 측정된 거칠기를 비교하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 공지된 거칠기는 상기 계기에 대한 유효 공간 대역폭에 해당하는 공지된 공간 주파수 범위와 관련되며 상기 측정 단계는 상기 공지된 범위외에 상기 측정된 전력 스펙트럼 밀도 함수를 측정하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 비교하는 단계는 상기 측정된 거칠기에 해당하는 일차윈 전력 스펙트럼 밀도 곡선을 그리는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 측정된 거칠기는 원자 크기의 수직 토포그래픽 크기 ΔZi의 함수로서 정의되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 공지된 거칠기는 상기 공지된 공간 주파수 범위 상에서 상기 공지된 전력 스펙트럼 밀도 함수를 적분함으로써 계산되는 것을 특징으로하는 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 측정된 거칠기는 상기 공지된 공간 주파수 범위 상에서 상기 측정된 전력 스펙트럼 밀도 함수를 적분함으로써 판정되는 것을 특징으로 하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US8/539,973 | 1995-10-06 | ||
US08/539,973 US5599464A (en) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | Formation of atomic scale vertical features for topographic instrument calibration |
US???? | 2000-05-02 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970023953A true KR970023953A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=24153433
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960044076A KR970023953A (ko) | 1995-10-06 | 1996-10-05 | 토포그래픽 계기 측정을 위한 원자 크기의 수직 피쳐의 제조(formation of atomic scale vertical features for topographic instrument calibration) |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5599464A (ko) |
JP (1) | JP3919854B2 (ko) |
KR (1) | KR970023953A (ko) |
TW (1) | TW336995B (ko) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5534359A (en) * | 1994-06-07 | 1996-07-09 | International Business Machines Corporation | Calibration standard for 2-D and 3-D profilometry in the sub-nanometer range and method of producing it |
DE19709255A1 (de) * | 1997-03-06 | 1998-09-10 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Standard zur Kalibrierung und Überprüfung eines Oberflächeninspektions-Gerätes und Verfahren zur Herstellung des Standards |
US6146541A (en) * | 1997-05-02 | 2000-11-14 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing a semiconductor device that uses a calibration standard |
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1995
- 1995-10-06 US US08/539,973 patent/US5599464A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-08-16 US US08/698,959 patent/US5677765A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-09-05 TW TW085110842A patent/TW336995B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-10-04 JP JP26475996A patent/JP3919854B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-10-05 KR KR1019960044076A patent/KR970023953A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3919854B2 (ja) | 2007-05-30 |
US5677765A (en) | 1997-10-14 |
JPH09152324A (ja) | 1997-06-10 |
US5599464A (en) | 1997-02-04 |
TW336995B (en) | 1998-07-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |