JP3003642B2

JP3003642B2 - 異物検出感度校正用標準サンプル及びその製造方法

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Publication number: JP3003642B2
Application number: JP9229919A
Authority: JP
Inventors: 英大白井
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1997-08-26
Filing date: 1997-08-26
Publication date: 2000-01-31
Anticipated expiration: 2017-08-26
Also published as: JPH1164239A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表面異物検査装置
の感度校正に使用する異物検出感度校正用標準サンプル
およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造において、半導体ウェ
ーハなどの表面に異物が存在していると、歩留りの低下
を来すので、表面異物検査装置を使用して異物の有無を
確認している。しかし、この装置の異物検出感度に変化
が生じると、正確な異物検出ができなくなる。

【０００３】そこで、従来から、表面異物検査装置それ
自体の検出感度(異物検出感度)を定期的に検査し、校正
することが行われており、この校正を正確に行うこと
は、特に重要である。そして、この校正手段として、従
来から“異物検出感度校正用標準サンプル”が使用され
ている。

【０００４】ここで、従来の“異物検出感度校正用標準
サンプル（半導体ウェーハ上に疑似異物をパターンニン
グした異物検出感度校正ウェーハ）”について、図４を
参照して説明する。なお、図４は、従来の異物検出感度
校正ウェーハを説明する図であって、そのうち、(Ａ)
は、該ウェーハの上面図であり、(Ｂ)は、(Ａ)のＢ−Ｂ
線での部分拡大断面図[(Ａ)に図示する疑似異物群を横
から見た一部拡大詳細図]であり、(Ｃ)は、(Ｂ)の疑似
異物を含む表面の散乱光の“信号強度”を示すグラフで
ある。

【０００５】従来の異物検出感度校正用標準サンプル
(異物検出感度校正ウェーハ)は、図４の(Ａ)に示すよう
に、半導体ウェーハ41上に疑似異物群42を整列配置して
なる異物検出感度校正ウェーハ40であって、この疑似異
物群42は、疑似異物42ａの大きさを数段階に変えながら
整列してあり、疑似異物42ａの下の半導体ウェーハ41や
ＬＳＩ回路パターン43よりも光の反射率が高くなる材質
で形成されている[図４(Ｂ)参照]。この異物検出感度校
正標準ウェーハ40は、常用のフォトリソグラフィーとエ
ッチングにより、半導体ウェーハ41上に、疑似異物42ａ
からなる疑似異物群42を形成して作製されている。

【０００６】そして、検出光44を受けた際、疑似異物42
ａでの散乱光45は、ＬＳＩ回路パターン43が作り出す散
乱光強度よりも強くなっていることから[図４(Ｃ)参
照]、ＬＳＩ回路パターン43と疑似異物42ａの識別が容
易であるという効果が生じる。従って、この異物検出感
度校正ウェーハ40を用いることにより、疑似異物42ａの
各段階の大きさの異物検出感度レベルの校正が可能とな
るものである。

【０００７】なお、図４(Ｂ)中の符号46は、散乱光ディ
テクタであり、47及び48は、半導体ウェーハ41の表面に
存在する異物及び欠陥部(凹部)を示す。また、図４(Ｃ)
中の符号49は、しきい値を示す。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】

（第１の問題点）ところで、前記従来の異物検出感度校
正ウェーハ40では、疑似異物42ａの上面が平らであるこ
とから[図４(Ｂ)参照]、この平らな疑似異物42ａに当っ
た検出光44の散乱光45からは、正確に疑似異物42ａの大
きさを知ることができず、このため、正しい異物検出感
度校正ができないという問題点を有している。

【０００９】その理由は、図４(Ｃ)に示すように、常用
のエッチング技術で作られた疑似異物42ａの平らな上面
では、レーザ光の散乱が少なく、散乱光45の強度が「異
物」として判断するしきい値49を越えないことにより、
疑似異物42ａの“縁”のみが検出され、その大きさが検
出されないからである。

【００１０】（第２の問題点）また、前記従来の異物検
出感度校正ウェーハ40は、前記したとおり、常用のフォ
トリソグラフィーとエッチングにより、半導体ウェーハ
41上に、疑似異物42ａからなる疑似異物群42を形成して
作製されている。このように、常用のフォトリソグラフ
ィーとエッチングにより形成するため、従来の異物検出
感度校正ウェーハ40では、マスク寸法より小さい寸法の
異物検出感度校正ができないという問題点を有してい
る。その理由は、常用のエッチング技術では、マスク寸
法に近いパターンが形成され、マスクサイズより小さい
寸法のパターンを形成することができないからである。

【００１１】（第３の問題点）さらに、前記従来の異物
検出感度校正ウェーハ40は、下地基板として「半導体ウ
ェーハ41(常用のシリコンウェーハ)」を使用している。
常用のシリコンウェーハには、このウェーハ製造中に欠
陥［図４(Ｂ)中の異物67，欠陥(凹部)68参照］が多く発
生し、これが0.1μｍ程度の異物となり、この微細な異
物と疑似異物42ａとを分別することができないため、前
記従来の異物検出感度校正ウェーハ40では、このような
微細な異物に対する異物検出感度校正ができないという
問題点を有している。

【００１２】（発明の目的）本発明は、前記第１〜第３
の問題点に鑑みなされたものであって、その目的とする
ところは、・第一に、疑似異物部の識別性が高い異物検出感度校正
用標準サンプル及びその製造方法を提供することにあ
り、・第二に、従来の異物検出感度校正用標準サンプルに比
べて、直径の大きい検出可能な複数の大きさの疑似異物
を形成し、また、マスクサイズよりも小さい疑似異物も
形成し、複数の異物検出感度校正を１枚のサンプル上で
行うことができる異物検出感度校正用標準サンプル及び
その製造方法を提供することにあり、・第三に、下地基板として欠陥部ない基板を用い、この
基板上にマスクサイズよりも小さい微細な疑似異物をも
形成することで、微細な異物に対する異物検出感度校正
をも可能とする異物検出感度校正用標準サンプル及びそ
の製造方法を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明に係る異物検出感
度校正用標準サンプルは、同一下地基板の表面上に、複
数の大きさ及び形状を有する疑似異物で構成される疑似
異物群を複数配置してなる異物検出感度校正用標準サン
プルであって、・前記疑似異物のうち、直径の大きい疑似異物の内部に
複数の凸部を形成してなること(請求項１)、・前記疑似異物群を構成する疑似異物が、マスクサイズ
よりも微細な直径の小さい疑似異物から直径の大きい疑
似異物にわたって、段階的に大きさの異なる複数個の疑
似異物からなり、かつ、直径の大きい疑似異物の内部に
複数の凸部を形成してなること(請求項２)、を発明を特
定する事項とし、これにより前記目的を達成したもので
ある。

【００１４】また、本発明に係る異物検出感度校正用標
準サンプルの製造方法は、同一下地基板の表面上に、複
数の大きさ及び形状を有する疑似異物で構成される疑似
異物群を複数配置してなる異物検出感度校正用標準サン
プルの製造方法において、(1) 下地基板上に、該基板に
対して選択的にエッチングし易く光を反射する材質から
なる膜を形成する工程と、(2) フォトリソグラフィーお
よびサイドエッチングの入るドライエッチングとウェッ
トエッチングにてエッチングする工程と、(3) 前記
(1)，(2)と同様の工程を繰り返して、マスクサイズより
も微細な直径の小さい疑似異物から直径の大きい疑似異
物にわたって、段階的に大きさの異なる複数個の疑似異
物を形成する工程と、を含むこと(請求項６)、を発明を
特定する事項とし、これによって前記目的を達成したも
のである。

【００１５】以下、本発明の上記“発明を特定する事項
(特徴点)”を、それにより奏する作用と共に詳細に説明
すると、本発明に係る異物検出感度校正用標準サンプル
では、複数の大きさを有する疑似異物で構成される疑似
異物群からなり、このうち、直径の大きい(面積の大き
い)疑似異物は、その内部に複数の凸部を形成してなる
こと(つまり、直径の大きい疑似異物は、その上面が平
らでない構造であること)を特徴としている(第１の特徴
点)。このため、検査光がこの疑似異物の上面で乱反射
し、その大きさを正確に知ることができ、その結果、前
記第１の問題点を解消することができ、正しい異物検出
感度校正をすることができる作用が生じる。

【００１６】本発明に係る製造方法を含めて更に説明す
ると、下地基板として、成長中に欠陥が生じないエピタ
キシャルシリコンウェーハを使用し、このウェーハの同
一平面上に、複数の大きさの疑似異物(直径の異なる複
数の疑似異物)を整列させて疑似異物群を形成する。各
疑似異物は、下地基板に対して選択的にエッチングし易
く光を反射する材質(例えばアモルファスシリコン，ポ
リシリコン，ＳｉＯ₂，Ａｌなど)で形成し、フォトリソ
グラフィーとドライエッチ及びウェットエッチにより形
成する。

【００１７】そして、直径の大きい疑似異物は、疑似異
物パターンを数段に積み重ねて、その上面が平らになら
ないように形成する。このため、検査光は、この直径の
大きい疑似異物の上面で乱反射し、その結果、前記した
とおり、その大きさを正確に知ることができ、正しい異
物検出感度校正を行うことができる。なお、疑似異物が
形成されていない下地基板の表面は、欠陥や突起のない
エピタキシャルシリコンウェーハを使用するため、検出
光が当たると鏡面反射することになる。

【００１８】また、本発明に係る異物検出感度校正用標
準サンプルでは、疑似異物群を構成する疑似異物が、マ
スクサイズよりも微細な直径の小さい疑似異物をも形成
することを特徴としている。即ち、フォトリソグラフィ
ーで形成できるレジストの寸法(マスクサイズ)よりも小
さな直径を有する微細な疑似異物をも形成すること、つ
まり、ドライエッチ及びウェットエッチにてオーバーエ
ッチすることで、微細な疑似異物をも形成することを特
徴とし、このため、マスクサイズより小さい寸法の異物
検出感度校正をも可能である作用が生じる。

【００１９】そして、疑似異物は、数段階に大きさを変
えて整列配置してあるため、校正できる異物の大きさ
は、マスク寸法より小さいレベルから異物検査装置の検
出可能上限までの範囲が可能となり、前記第２の問題点
(マスク寸法より小さい寸法の異物検出感度校正ができ
ないという問題点)を解消することができ、しかも、数
段階の異物検出感度の校正を、１枚のサンプルで同時に
効率良くできる。

【００２０】また、本発明では、前記したとおり、下地
基板として、成長中に欠陥が生じないエピタキシャルシ
リコンウェーハを使用するから、前記第３の問題点を解
消することができ、前記第三の目的を達成することがで
きる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照して説明するが、本発明は、以下の第
１，第２の実施形態に限定されるものではなく、前記
“発明を特定する事項”の範囲内で適宜変更，変形する
ことができるものである。

【００２２】（第１の実施形態）図１は、本発明に係る
異物検出感度校正用標準サンプルの一実施形態(第１の
実施形態)を説明する図であって、そのうち、(Ａ)は、
異物検出感度校正用ウエハの上面図、(Ｂ)は、(Ａ)のＡ
−Ａ線での一部拡大断面図［(Ａ)に図示する疑似異物群
の列部分を横から見た一部拡大詳細図］、(Ｃ)は、(Ｂ)
に図示する疑似異物を上から見た拡大詳細図、(Ｄ)は、
(Ｂ)の疑似異物を含む表面の散乱光の“信号強度”を示
すグラフである。

【００２３】第１の実施形態に係る異物検出感度校正ウ
エハ10は、図１(Ａ)に示すように、エピタキシャルシリ
コンウェーハ11(表面に突起や欠陥がない鏡面を有るウ
ェーハ11)を下地基板とし、その上に疑似異物群12を整
列配置した構造からなる。そして、この疑似異物群12
は、図１の(Ｂ)，(Ｃ)に示すように、４種類の疑似異物
12ａ，12ｂ，12ｃ，12ｄからなり、各疑似異物間は、十
分に離して構成されている。

【００２４】各疑似異物の大きさは、疑似異物12ａ：0.
25μｍ，疑似異物12ｂ：0.5μｍ，疑似異物12ｃ：0.75
μｍ，疑似異物12ｄ：1.25μｍであり、かつ、面積の大
きい疑似異物12ｃ，12ｄの内部に複数の凸部を形成した
ものであり(→図１(Ｂ)参照)、このように、鏡面反射す
るエピタキシャルシリコンウェーハ11(下地基板)と、乱
反射する４種類の疑似異物12ａ，12ｂ，12ｃ，12ｄを３
６個づつ備えた異物検出感度校正ウエハ10[→図１(Ａ)
参照]である。

【００２５】上記異物検出感度校正ウエハ10の製造方法
について説明すると、まず、下地基板として、エピタキ
シャルシリコンウェーハ11を準備する。（このエピタキ
シャルシリコンウェーハ11は、成長中に突起や欠陥が生
じることなく、鏡面状の表面を有するので、下地基板と
して特に好ましい。）そして、このエピタキシャルシリコンウェーハ11上にＳ
ｉＯ₂の膜を形成し、フォトリソグラフィーおよびサイ
ドエッチの入るドライエッチングとウェットエッチング
により、図１の(Ｂ)，(Ｃ)に示す４種類の疑似異物12
ａ，12ｂ，12ｃ，12ｄを形成する。

【００２６】この４種類の疑似異物は、疑似異物12ａ，
12ｂは１段で、疑似異物12ｃは２段で、疑似異物12ｄは
３段で、それぞれ形成する。大きさは、各々0.25μｍ，
0.5μｍ，0.75μｍ，1.25μｍである。特に大きな疑似
異物12ｄの場合、その表面が凸凹になるように市松模様
にマスクを重ね合わせて、図１の(Ｂ)，(Ｃ)に示す疑似
異物12ｄの形状に形成する。

【００２７】この形成方法について更に説明すると、エ
ピタキシャルシリコンウェーハ11上に、前記大きさの４
種類の疑似異物12ａ，12ｂ，12ｃ，12ｄを整列配置する
ように形成するが、この形成手段として、各疑似異物よ
り、0.1μｍ程度大きいフォトレジストマスクを用い、
常用のフォトリソグラフィーを行う。

【００２８】そして、サイドエッチを入れながらドライ
エッチし、続いて、フォトレジストを除去した後、ウェ
ットエッチでさらにエッチングし、その表面に丸みをお
びさせて１段目を形成する。次に、疑似異物12ｃ，12ｄ
の２段目を同様にして形成し、さらに、同様にして疑似
異物12ｄの３段目を形成する。

【００２９】第１の実施形態で用いるフォトレジストマ
スクの形状は、0.35μｍ□を最小単位として用い、疑似
異物12ｃ，12ｄの形成には、これを市松模様に並べて形
成する。その際、高さ方向にもより小さい疑似異物をの
せることで、高さの有る疑似異物12ｃ，12ｄを形成す
る。以上のようにして、４種類の疑似異物12ａ，12ｂ，
12ｃ，12ｄで構成される疑似異物群12を備えた異物検出
感度校正ウエハ10[図１(Ａ)，(Ｂ)参照]を得る。

【００３０】なお、この第１の実施形態において、疑似
異物をＳｉＯ₂で形成した例を示したが、本発明は、こ
れにのみ限定されるものではなく、ＳｉＯ₂以外に、疑
似異物の材質として、エッチング加工が容易で［つま
り、下地基板(第１の実施形態ではエピタキシャルシリ
コンウェーハ11)に対して選択エッチングしやすく］サ
イドエッチが入りやすく、かつ光を反射する性質を有す
る、例えば“アモルファスシリコン，ポリシリコン，Ａ
ｌ”のような材質を使用することもできる。

【００３１】この第１の実施形態に係る異物検出感度校
正ウエハ10では、図１の(Ｄ)［該ウエハ10の表面におけ
る散乱光の“信号強度”を示すグラフ］に示すように、
走査する検出光14が疑似異物12ａ，12ｂ，12ｃ，12ｄに
よって散乱し、その散乱光15を集めて検出する散乱光デ
ィテクター16の信号強度から異物の大きさが判別できる
ため、各疑似異物の大きさに合わせて、表面異物検査装
置の“異物検出感度の校正”を行うことができる。この
ように、疑似異物は、数段階に大きさを変えて整列して
あるため(図１参照)、数段階の異物検出感度の校正を１
枚のサンプルで同時に効率良くでき、しかも、校正でき
る異物の大きさについては、マスク寸法より小さいレベ
ルから表面異物検査装置の検出可能上限までの範囲が可
能となる。

【００３２】（第２の実施形態）図２は、本発明に係る
異物検出感度校正用標準サンプルの他の実施形態(第２
の実施形態)を説明する図であって、そのうち、(Ａ)
は、異物検出感度校正用ウエハの上面図、(Ｂ)は、(Ａ)
のＡ−Ａ線での一部拡大断面図［(Ａ)に図示する疑似異
物群の列部分を横から見た一部拡大詳細図］、(Ｃ)は、
(Ｂ)に図示する疑似異物を上から見た拡大詳細図、(Ｄ)
は、(Ｂ)の疑似異物を含む表面の散乱光の“信号強度”
を示すグラフである。

【００３３】この第２の実施形態に係る異物検出感度校
正ウエハ20は、図２(Ａ)に示すように、エピタキシャル
シリコンウェーハ21（表面に突起や欠陥が無い鏡面を有
るウェーハ21）を下地基板とし、その上に疑似異物群22
を整列配置した構造からなる。そして、この疑似異物群
22は、図２(Ｂ)，(Ｃ)に示すように、５種類の疑似異物
22ａ，22ｂ，22ｃ，22ｄ，22ｅから構成されている。各
疑似異物の大きさは、疑似異物22ａ：0.10μｍ，疑似異
物22ｂ：0.20μｍ，疑似異物22ｃ：0.30μｍ，疑似異物
22ｄ：0.50μｍ，疑似異物22ｄ：0.75μｍであり、そし
て、疑似異物22ｂ，22ｃ，12ｄ，22eの内部に複数の凸
部を形成したものである[→図１(Ｂ)，(Ｃ)参照]。

【００３４】上記異物検出感度校正ウエハ20の製造方法
について、図３を参照して説明する。なお、図３は、上
記第２の実施形態に係る異物検出感度校正ウエハ20を製
造する[工程Ａ]〜[工程Ｄ]からなる製造工程順断面図で
ある。

【００３５】まず、図３の[工程Ａ]に示すように、表面
に突起や欠陥が無い鏡面を有るエピタキシャルシリコン
ウェーハ31を準備し、このウェーハ31の表面にアモルフ
ァスシリコン膜32を3000Å成膜する。次に、フォトレジ
スト33により、0.25μｍ，0.35μｍ，0.45μｍ，0.65μ
ｍ，0.9μｍの各直径を有する円形のパターンを付け
る。

【００３６】続いて、図３の[工程Ｂ]に示すように、サ
イドエッチを入れながらドライエッチして疑似異物パタ
ーン32-1ａ〜32-1ｅを形成し、さらに、図３の[工程Ｃ]
に示すように、各疑似異物パターンをウェットエッチし
て、各疑似異物パターンの直径を0.15μｍ減らし、疑似
異物パターン32-2ａ〜32-2ｅを形成する。

【００３７】その後、570℃でアニールし、アモルファ
スシリコン32で形成した各疑似異物パターンをＨＳＧ(h
emispherical grain)化し、図３の[工程Ｄ]に示す疑似
異物パターン32-3ａ〜32-3ｅを形成し、前記した大きさ
の疑似異物22ａ〜22ｅ[前掲の図２(Ｂ)，(Ｃ)参照]を形
成する。なお、寸法が大きく、高さの高いＨＳＧ−Ｓｉ
の疑似異物を形成するには、図３の[工程Ｂ]におけるド
ライエッチ後、２段目を同様にして形成して高さを３倍
にすることもできる。

【００３８】この第２の実施形態に係る異物検出感度校
正ウエハ20では、図２の(Ｄ)［該ウエハ20の表面におけ
る散乱光の“信号強度”を示すグラフ］に示すように、
走査する検出光24が疑似異物22ａ，22ｂ，22ｃ，22ｄ，
22ｅによって散乱し、その散乱光25を集めて検出する散
乱光ディテクター26の信号強度から異物の大きさが判別
できるため、前記第１の実施形態と同様、各疑似異物の
大きさに合わせて、表面異物検査装置の“異物検出感度
の校正”を行うことができる。

【００３９】本発明において、特に小さな微細な疑似異
物を形成するためには、材質をアモルファスシリコンと
し、ドライエッチ及びウェットエッチでオーバーエッチ
して十分に小さくし、570〜580℃でアニールしてＨＳＧ
化することで、光を乱反射することができるようにす
る。これにより、マスク寸法に比べ十分小さな疑似異物
を形成することができ、同時に大きな疑似異物も形成で
きる。なお、各々の疑似異物の間は十分に距離が有り、
異物検査装置の分解能よりも広いため、複数の疑似異物
を“ひとつ”として検出しないようにしてある。

【００４０】

【発明の効果】本発明に係る異物検出感度校正用標準サ
ンプルは、以上詳記したとおり、直径の大きい(面積の
大きい)疑似異物の内部に複数の凸部を形成してなるこ
と、つまり、その表面に平らな所がない構造からなるこ
とを特徴とし、これにより、大きい疑似異物であって
も、その表面で検出光を全て乱反射することができ、そ
の結果、１枚の異物検出感度校正サンプルで、複数の寸
法の“異物検出感度校正”ができるという効果が生じ
る。

【００４１】また、本発明によれば、マスクサイズより
も十分に小さい微細な疑似異物をも形成することを特徴
とし、これにより、表面異物検査装置で検出可能な最小
の大きさの異物から大きい異物までの複数の“異物検出
感度校正”ができるという効果が生じる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る異物検出感度校正用標準サンプル
の一実施形態(第１の実施形態)を説明する図であって、
(Ａ)は、異物検出感度校正用ウエハの上面図、(Ｂ)は、
(Ａ)のＡ−Ａ線での一部拡大断面図、(Ｃ)は、(Ｂ)に図
示する疑似異物を上から見た拡大詳細図、(Ｄ)は、(Ｂ)
の疑似異物を含む表面の散乱光の“信号強度”を示すグ
ラフである。

【図２】本発明に係る異物検出感度校正用標準サンプル
の他の実施形態(第２の実施形態)を説明する図であっ
て、(Ａ)は、異物検出感度校正用ウェーハの上面図、
(Ｂ)は、(Ａ)のＡ−Ａ線での一部拡大断面図、(Ｃ)は、
(Ｂ)に図示する疑似異物を上から見た拡大詳細図、(Ｄ)
は、(Ｂ)の疑似異物を含む表面の散乱光の“信号強度”
を示すグラフである。

【図３】図２に示す異物検出感度校正用ウェーハの製造
方法を説明する図であって、[工程Ａ]〜[工程Ｄ]からな
る製造工程順断面図である。

【図４】従来の異物検出感度校正用ウェーハを説明する
図であって、(Ａ)は、該ウェーハの上面図、(Ｂ)は、
(Ａ)のＢ−Ｂ線での部分拡大断面図、(Ｃ)は、(Ｂ)の疑
似異物を含む表面の散乱光の“信号強度”を示すグラフ
である。

【符号の説明】

１０，２０，４０異物検出感度校正ウェーハ１１，２１ − エピタキシャルシリコンウェーハ − − ４１半導体ウェーハ１２，２２，４２疑似異物群１２ａ〜１２ｄ，２２ａ〜２２ｅ，４２ａ疑似異物 − − ４３ＬＳＩ回路パターン１４，２４，４４検出光１５，２５，４５散乱光１６，２６，４６散乱光ディテクタ１７，２７， − 鏡面反射光ディテクタ − − ４７異物 − − ４８欠陥(凹部) １９，２９，４９しきい値３１エピタキシャルシリコンウェーハ３２アモルファスシリコン３２-1ａ〜３２-1ｅ疑似異物パターン３２-2ａ〜３２-2ｅ疑似異物パターン３２-3ａ〜３２-3ｅ疑似異物パターン３３フォトレジスト

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】同一下地基板の表面上に、複数の大きさ
及び形状を有する疑似異物で構成される疑似異物群を複
数配置してなる異物検出感度校正用標準サンプルであっ
て、前記疑似異物のうち、直径の大きい疑似異物の内部
に複数の凸部を形成してなることを特徴とする異物検出
感度校正用標準サンプル。
【請求項２】同一下地基板の表面上に、複数の大きさ
及び形状を有する疑似異物で構成される疑似異物群を複
数配置してなる異物検出感度校正用標準サンプルであっ
て、前記疑似異物群を構成する疑似異物が、マスクサイ
ズよりも微細な直径の小さい疑似異物から直径の大きい
疑似異物にわたって、大きさの異なる複数個の疑似異物
からなり、かつ、直径の大きい疑似異物の内部に複数の
凸部を形成してなることを特徴とする異物検出感度校正
用標準サンプル。
【請求項３】前記下地基板が、エピタキシャルシリコ
ンウェーハであることを特徴とする請求項１または２に
記載の異物検出感度校正用標準サンプル。
【請求項４】前記疑似異物群を構成する疑似異物が、
下地基板に対して選択エッチングし易く光を反射する材
質で形成してなることを特徴とする請求項１または２に
記載の異物検出感度校正用標準サンプル。
【請求項５】前記材質がアモルファスシリコン，ポリ
シリコン，ＳｉＯ₂またはＡｌであることを特徴とする
請求項４に記載の異物検出感度校正用標準サンプル。
【請求項６】同一下地基板の表面上に、複数の大きさ
及び形状を有する疑似異物で構成される疑似異物群を複
数配置してなる異物検出感度校正用標準サンプルの製造
方法において、(1) 下地基板上に、該基板に対して選択
エッチングし易く光を反射する材質からなる膜を形成す
る工程と、(2) フォトリソグラフィーおよびサイドエッ
チングの入るドライエッチングとウェットエッチングに
てエッチングする工程と、(3) 前記(1)，(2)と同様の工
程を繰り返して、マスクサイズよりも微細な直径の小さ
い疑似異物から直径の大きい疑似異物にわたって、大き
さが異なる複数個の疑似異物を形成する工程と、を含む
ことを特徴とする異物検出感度校正用標準サンプルの製
造方法。
【請求項７】前記“マスクサイズよりも微細な直径の
小さい疑似異物”を形成する手段として、サイドエッチ
ングを入れながらドライエッチングし、さらにウェット
エッチングでオーバーエッチングすることにより、マス
クサイズより小さい疑似異物を形成し、その後、アニー
ルし、ＨＳＧ化することを特徴とする請求項６記載の異
物検出感度校正用標準サンプルの製造方法。
【請求項８】前記“直径の大きい疑似異物”を形成す
る手段として、該疑似異物の表面が凸凹になるよう
に、市松模様にマスクを重ね合わせることを特徴とする
請求項６記載の異物検出感度校正用標準サンプルの製造
方法。
【請求項９】前記下地基板が、エピタキシャルシリコ
ンウェーハであることを特徴とする請求項６記載の異物
検出感度校正用標準サンプルの製造方法。
【請求項１０】前記“基板に対して選択エッチングし
易く光を反射する材質”が、アモルファスシリコン，ポ
リシリコン，ＳｉＯ₂またはＡｌで形成することを特徴
とする請求項６記載の異物検出感度校正用標準サンプル
の製造方法。