JPH1114534A - パーティクルカウンタの検査方法とそれに用いる校正基準ウェハ - Google Patents
パーティクルカウンタの検査方法とそれに用いる校正基準ウェハInfo
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- JPH1114534A JPH1114534A JP16363897A JP16363897A JPH1114534A JP H1114534 A JPH1114534 A JP H1114534A JP 16363897 A JP16363897 A JP 16363897A JP 16363897 A JP16363897 A JP 16363897A JP H1114534 A JPH1114534 A JP H1114534A
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パーティクルカウンタの状態を正確に把握で
きるパーティクルカウンタの検査方法と、製造性ならび
に精度的にも優れた校正基準ウェハを得る。 【解決手段】 シリコンウェハ２の酸化膜３上の一定微
小領域４内に、粒径を規定された標準粒子の散乱する光
強度と同等の散乱光強度を有した１個または複数個の略
同一の大きさの微小ピット５を生成して、微小ピット群
６を形成した校正基準ウェハ１を準備し、校正基準ウェ
ハ１に、パーティクルカウンタよりレーザー光を照射し
その散乱光の測定結果に基づいて、パーティクルカウン
タを校正するものである。
きるパーティクルカウンタの検査方法と、製造性ならび
に精度的にも優れた校正基準ウェハを得る。 【解決手段】 シリコンウェハ２の酸化膜３上の一定微
小領域４内に、粒径を規定された標準粒子の散乱する光
強度と同等の散乱光強度を有した１個または複数個の略
同一の大きさの微小ピット５を生成して、微小ピット群
６を形成した校正基準ウェハ１を準備し、校正基準ウェ
ハ１に、パーティクルカウンタよりレーザー光を照射し
その散乱光の測定結果に基づいて、パーティクルカウン
タを校正するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、パーティクルカ
ウンタの検査方法とそれに用いる校正基準ウェハに関す
るものである。
ウンタの検査方法とそれに用いる校正基準ウェハに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＶＬＳＩデバイスの歩留まり向上
および装置管理のために、製造ラインのクリーン化が必
要不可欠となってきており、パーティクル管理が重要な
ポイントとなっている。それにともなって、高精度のパ
ーティクルカウンタの使用が必要不可欠である。また、
パーティクルカウンタを用いる上で、精度とトレーサビ
リティとを保持するためには、パーティクルカウンタの
検査を行う校正基準ウェハが欠かせない。
および装置管理のために、製造ラインのクリーン化が必
要不可欠となってきており、パーティクル管理が重要な
ポイントとなっている。それにともなって、高精度のパ
ーティクルカウンタの使用が必要不可欠である。また、
パーティクルカウンタを用いる上で、精度とトレーサビ
リティとを保持するためには、パーティクルカウンタの
検査を行う校正基準ウェハが欠かせない。
【０００３】以下、従来のパーティクルカウンタの検査
方法とそれに用いる校正基準ウェハについて説明する。
図９は従来の校正基準ウェハ２１の平面図であり、シリ
コンウェハ上に成膜した酸化膜をエッチングすることに
より、特定の大きさの微小ピット群２２が作られてい
る。通常、この微小ピット群２２は、例えば０．１μｍ
φ，０．３μｍφ，０．５μｍφ，１．０μｍφの４種
類の大きさを持った微小ピットからなる。これらの微小
ピットは、複数の校正基準ウェハ２１に各々１種類ずつ
配置されていることもあれば、１枚の校正基準ウェハ２
１に数種類配置されていることもある。
方法とそれに用いる校正基準ウェハについて説明する。
図９は従来の校正基準ウェハ２１の平面図であり、シリ
コンウェハ上に成膜した酸化膜をエッチングすることに
より、特定の大きさの微小ピット群２２が作られてい
る。通常、この微小ピット群２２は、例えば０．１μｍ
φ，０．３μｍφ，０．５μｍφ，１．０μｍφの４種
類の大きさを持った微小ピットからなる。これらの微小
ピットは、複数の校正基準ウェハ２１に各々１種類ずつ
配置されていることもあれば、１枚の校正基準ウェハ２
１に数種類配置されていることもある。
【０００４】以上のように構成された校正基準ウェハ２
１を用いてパーティクルカウンタの検査を行う。すなわ
ち、校正基準ウェハ２１の微小ピット群２２内に４種類
の微小ピットを形成した校正基準ウェハ２１を用いてレ
ーザー散乱型表面異物検査装置（以下パーティクルカウ
ンタ）を検査すると、図１０に示すような各微小ピット
群２２における微小ピットの検出個数分布図が得られ
る。２３は０．１μｍφの微小ピット，２４は０．３μ
ｍφの微小ピット，２５は０．５μｍφの微小ピット，
２６は１．０μｍφの微小ピットである。
１を用いてパーティクルカウンタの検査を行う。すなわ
ち、校正基準ウェハ２１の微小ピット群２２内に４種類
の微小ピットを形成した校正基準ウェハ２１を用いてレ
ーザー散乱型表面異物検査装置（以下パーティクルカウ
ンタ）を検査すると、図１０に示すような各微小ピット
群２２における微小ピットの検出個数分布図が得られ
る。２３は０．１μｍφの微小ピット，２４は０．３μ
ｍφの微小ピット，２５は０．５μｍφの微小ピット，
２６は１．０μｍφの微小ピットである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
校正基準ウェハ２１の場合、酸化膜をエッチングして、
０．１μｍφ，０．３μｍφ，０．５μｍφ，１．０μ
ｍφの４種類の大きさの異なる微小ピットを正確に複数
個作成することは非常に困難であり、製造性ならびに精
度的にも劣るという問題があった。このように、精度的
に劣る校正基準ウェハを用いてパーティクルカウンタの
検査を行っても、得られる検査結果の精度も低く、パー
ティクルカウンタの状態を正確に把握し難いという問題
があった。
校正基準ウェハ２１の場合、酸化膜をエッチングして、
０．１μｍφ，０．３μｍφ，０．５μｍφ，１．０μ
ｍφの４種類の大きさの異なる微小ピットを正確に複数
個作成することは非常に困難であり、製造性ならびに精
度的にも劣るという問題があった。このように、精度的
に劣る校正基準ウェハを用いてパーティクルカウンタの
検査を行っても、得られる検査結果の精度も低く、パー
ティクルカウンタの状態を正確に把握し難いという問題
があった。
【０００６】この発明は上記従来の問題点を解決するも
ので、パーティクルカウンタの状態を正確に把握できる
パーティクルカウンタの検査方法と、製造性ならびに精
度的にも優れた校正基準ウェハを提供することを目的と
する。
ので、パーティクルカウンタの状態を正確に把握できる
パーティクルカウンタの検査方法と、製造性ならびに精
度的にも優れた校正基準ウェハを提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のパーティ
クルカウンタの検査方法は、基板の薄膜上の一定微小領
域内に、粒径を規定された標準粒子の散乱する光強度と
同等の散乱光強度を有した１個または複数個の略同一の
大きさの微小ピットを生成して、微小ピット群を形成し
た校正基準ウェハを準備し、校正基準ウェハに、パーテ
ィクルカウンタよりレーザー光を照射しその散乱光の測
定結果に基づいて、パーティクルカウンタを校正するも
のである。
クルカウンタの検査方法は、基板の薄膜上の一定微小領
域内に、粒径を規定された標準粒子の散乱する光強度と
同等の散乱光強度を有した１個または複数個の略同一の
大きさの微小ピットを生成して、微小ピット群を形成し
た校正基準ウェハを準備し、校正基準ウェハに、パーテ
ィクルカウンタよりレーザー光を照射しその散乱光の測
定結果に基づいて、パーティクルカウンタを校正するも
のである。
【０００８】請求項１記載のパーティクルカウンタの検
査方法によると、薄膜上の一定微小領域内に、略同一の
大きさの１個または複数個の微小ピットを生成すること
で、散乱光強度の異なる微小ピット群を形成した校正基
準ウェハを用いるので、従来のように大きさの異なる微
小ピットを生成するのに比べ、校正基準ウェハの製造が
容易となり、かつ精度も向上する。よって、精度の良い
校正基準ウェハでもってパーティクルカウンタを検査す
ることで、検査結果の精度も向上する。
査方法によると、薄膜上の一定微小領域内に、略同一の
大きさの１個または複数個の微小ピットを生成すること
で、散乱光強度の異なる微小ピット群を形成した校正基
準ウェハを用いるので、従来のように大きさの異なる微
小ピットを生成するのに比べ、校正基準ウェハの製造が
容易となり、かつ精度も向上する。よって、精度の良い
校正基準ウェハでもってパーティクルカウンタを検査す
ることで、検査結果の精度も向上する。
【０００９】請求項２記載のパーティクルカウンタの検
査方法は、基板の薄膜上の一定微小領域内に、粒径を規
定された標準粒子の散乱する光強度と同等の散乱光強度
を有した１個または複数個の略同一の大きさの微小ピッ
トを生成して、微小ピット群を形成した校正基準ウェハ
を準備し、校正基準ウェハに、パーティクルカウンタよ
りレーザー光を照射しその散乱光の測定結果と、校正基
準ウェハの天地を反転してパーティクルカウンタよりレ
ーザー光を照射しその散乱光の測定結果とに基づいて、
パーティクルカウンタを校正するものである。
査方法は、基板の薄膜上の一定微小領域内に、粒径を規
定された標準粒子の散乱する光強度と同等の散乱光強度
を有した１個または複数個の略同一の大きさの微小ピッ
トを生成して、微小ピット群を形成した校正基準ウェハ
を準備し、校正基準ウェハに、パーティクルカウンタよ
りレーザー光を照射しその散乱光の測定結果と、校正基
準ウェハの天地を反転してパーティクルカウンタよりレ
ーザー光を照射しその散乱光の測定結果とに基づいて、
パーティクルカウンタを校正するものである。
【００１０】請求項２記載のパーティクルカウンタの検
査方法によると、薄膜上の一定微小領域内に、略同一の
大きさの１個または複数個の微小ピットを生成すること
で、散乱光強度の異なる微小ピット群を形成した校正基
準ウェハを用いるので、従来のように大きさの異なる微
小ピットを生成するのに比べ、校正基準ウェハの製造が
容易となり、かつ精度も向上する。よって、精度の良い
校正基準ウェハでもってパーティクルカウンタを検査す
ることで、検査結果の精度も向上する。しかも、校正基
準ウェハの天地を反転して、パーティクル測定を２度行
うことで、検査結果の精度がより一層向上する。
査方法によると、薄膜上の一定微小領域内に、略同一の
大きさの１個または複数個の微小ピットを生成すること
で、散乱光強度の異なる微小ピット群を形成した校正基
準ウェハを用いるので、従来のように大きさの異なる微
小ピットを生成するのに比べ、校正基準ウェハの製造が
容易となり、かつ精度も向上する。よって、精度の良い
校正基準ウェハでもってパーティクルカウンタを検査す
ることで、検査結果の精度も向上する。しかも、校正基
準ウェハの天地を反転して、パーティクル測定を２度行
うことで、検査結果の精度がより一層向上する。
【００１１】請求項３は、請求項１または請求項２記載
のパーティクルカウンタの検査方法に用いる校正基準ウ
ェハであって、基板と、この基板上に成膜した薄膜と、
この薄膜上に形成した微小ピット群とを備え、微小ピッ
ト群は、薄膜上の一定微小領域内に、粒径を規定された
標準粒子の散乱する光強度と同等の散乱光強度を有した
１個または複数個の略同一の大きさの微小ピットを生成
してなることを特徴とするものである。
のパーティクルカウンタの検査方法に用いる校正基準ウ
ェハであって、基板と、この基板上に成膜した薄膜と、
この薄膜上に形成した微小ピット群とを備え、微小ピッ
ト群は、薄膜上の一定微小領域内に、粒径を規定された
標準粒子の散乱する光強度と同等の散乱光強度を有した
１個または複数個の略同一の大きさの微小ピットを生成
してなることを特徴とするものである。
【００１２】なお、薄膜が酸化膜であり、この酸化膜上
にエッチングにより微小ピットを生成する。また、薄膜
がレジストであり、このレジスト上にパターンニングに
より微小ピットを生成する。さらに、校正基準ウェハ
は、微小ピット群を、散乱光強度の小さい順に、基板の
中心から同心円状に配列してもよい。
にエッチングにより微小ピットを生成する。また、薄膜
がレジストであり、このレジスト上にパターンニングに
より微小ピットを生成する。さらに、校正基準ウェハ
は、微小ピット群を、散乱光強度の小さい順に、基板の
中心から同心円状に配列してもよい。
【００１３】請求項３記載の校正基準ウェハによると、
薄膜上の一定微小領域内に、略同一の大きさの１個また
は複数個の微小ピットを生成することで、散乱光強度の
異なる微小ピット群を形成したので、従来のように大き
さの異なる微小ピットを生成するのに比べ、校正基準ウ
ェハの製造が容易となり、かつ精度も向上する。
薄膜上の一定微小領域内に、略同一の大きさの１個また
は複数個の微小ピットを生成することで、散乱光強度の
異なる微小ピット群を形成したので、従来のように大き
さの異なる微小ピットを生成するのに比べ、校正基準ウ
ェハの製造が容易となり、かつ精度も向上する。
【００１４】
第１の実施の形態 この発明の第１の実施の形態について、図１ないし図３
を参照しながら説明する。図１は、校正基準ウェハ１の
斜視図を示しており、基板となる８インチシリコンウェ
ハ２上に、薄膜となる１００ｎｍ厚の酸化膜３を熱酸化
法により成膜してなる。酸化膜３の上面をドライエッチ
ングすることにより、２０μｍ□の微小領域４内に略同
一の大きさ（平均値±２０％以内）の３個の微小ピット
５を生成して微小ピット群６を形成している。
を参照しながら説明する。図１は、校正基準ウェハ１の
斜視図を示しており、基板となる８インチシリコンウェ
ハ２上に、薄膜となる１００ｎｍ厚の酸化膜３を熱酸化
法により成膜してなる。酸化膜３の上面をドライエッチ
ングすることにより、２０μｍ□の微小領域４内に略同
一の大きさ（平均値±２０％以内）の３個の微小ピット
５を生成して微小ピット群６を形成している。
【００１５】ここで、パーティクルカウンタでの測定に
おいて、１個の微小ピット５から散乱される散乱光強度
は、０．１μｍφの粒径を持つ標準粒子のラテックス球
からの散乱光量と一致するように構成されている。ま
た、この微小ピット５を２０μｍ□の微小領域４内に３
個作ることにより、パーティクルカウンタの測定スポッ
トエリアが、走査１回につき２０μｍ□である場合、パ
ーティクルカウンタはこのスポットエリア内には標準粒
子０．３μｍφ相当の異物（凹型あるいは凸型の異物）
があると認識するように構成されている。
おいて、１個の微小ピット５から散乱される散乱光強度
は、０．１μｍφの粒径を持つ標準粒子のラテックス球
からの散乱光量と一致するように構成されている。ま
た、この微小ピット５を２０μｍ□の微小領域４内に３
個作ることにより、パーティクルカウンタの測定スポッ
トエリアが、走査１回につき２０μｍ□である場合、パ
ーティクルカウンタはこのスポットエリア内には標準粒
子０．３μｍφ相当の異物（凹型あるいは凸型の異物）
があると認識するように構成されている。
【００１６】さらに、この３個の微小ピット５を含んだ
微小ピット群６を校正基準ウェハ１の約半面に１０００
個程度作る（図２）。これにより、この校正基準ウェハ
１は、パーティクルカウンタで測定した場合、標準粒子
０．３μｍφのラテックス球を１０００個程度持ったウ
ェハと同等の散乱光強度を与えることができる（図
３）。
微小ピット群６を校正基準ウェハ１の約半面に１０００
個程度作る（図２）。これにより、この校正基準ウェハ
１は、パーティクルカウンタで測定した場合、標準粒子
０．３μｍφのラテックス球を１０００個程度持ったウ
ェハと同等の散乱光強度を与えることができる（図
３）。
【００１７】以上のように構成された校正基準ウェハ１
を用いてパーティクルカウンタの検査を行う。まず、校
正基準ウェハ１のノッチ部７を手前側に向けて水平に設
置し、通常のパーティクルカウンタの検査を行なう。こ
の際、パーティクルカウンタには、波長４８８ｎｍのＡ
ｒレーザー斜め入射を照射部に持ち、その受光部は入射
光と反対側の一方にしかない集光系を持つレーザー散乱
型表面異物検査装置を用いる。そして、検査結果とし
て、図２に示すようなパーティクルマップおよび図３の
粒径０．３μｍφに対する検出個数の分布図が得られ
る。ここでもし、測定結果が図２のようにならなかった
り、図３に示すように０．３μｍのところに分布が得ら
れなかった場合には、レーザーの強度校正が不十分であ
るということなので、パーティクルカウンターのレーザ
ーの交換や再調整が必要となる。
を用いてパーティクルカウンタの検査を行う。まず、校
正基準ウェハ１のノッチ部７を手前側に向けて水平に設
置し、通常のパーティクルカウンタの検査を行なう。こ
の際、パーティクルカウンタには、波長４８８ｎｍのＡ
ｒレーザー斜め入射を照射部に持ち、その受光部は入射
光と反対側の一方にしかない集光系を持つレーザー散乱
型表面異物検査装置を用いる。そして、検査結果とし
て、図２に示すようなパーティクルマップおよび図３の
粒径０．３μｍφに対する検出個数の分布図が得られ
る。ここでもし、測定結果が図２のようにならなかった
り、図３に示すように０．３μｍのところに分布が得ら
れなかった場合には、レーザーの強度校正が不十分であ
るということなので、パーティクルカウンターのレーザ
ーの交換や再調整が必要となる。
【００１８】このように構成されたパーティクルカウン
タの検査方法とそれに用いる校正基準ウェハによると、
酸化膜３上の一定微小領域４内に、略同一の大きさの３
個の微小ピット５を生成することで、標準粒子０．３μ
ｍφに相当する散乱光強度の微小ピット群６を形成で
き、従来のように大きさの異なる微小ピットを生成する
のに比べ、校正基準ウェハ１の製造が容易となり、複製
の製造も簡単に行える。
タの検査方法とそれに用いる校正基準ウェハによると、
酸化膜３上の一定微小領域４内に、略同一の大きさの３
個の微小ピット５を生成することで、標準粒子０．３μ
ｍφに相当する散乱光強度の微小ピット群６を形成で
き、従来のように大きさの異なる微小ピットを生成する
のに比べ、校正基準ウェハ１の製造が容易となり、複製
の製造も簡単に行える。
【００１９】また、同一の大きさの微小ピット５にて微
小ピット群６を形成するので、校正基準ウェハ１の精度
が向上する。よって、精度の良い校正基準ウェハ１を用
いてパーティクルカウンタの検査を行った結果、検査結
果の精度も向上し、パーティクルカウンタの状態を正確
に把握できる。また、校正基準ウェハ１にごみが付いた
り、汚れたりした場合でも、Ｎ2 ブローやソフトな洗浄
により、簡単にウェハの清浄度を回復できる。
小ピット群６を形成するので、校正基準ウェハ１の精度
が向上する。よって、精度の良い校正基準ウェハ１を用
いてパーティクルカウンタの検査を行った結果、検査結
果の精度も向上し、パーティクルカウンタの状態を正確
に把握できる。また、校正基準ウェハ１にごみが付いた
り、汚れたりした場合でも、Ｎ2 ブローやソフトな洗浄
により、簡単にウェハの清浄度を回復できる。
【００２０】なお、校正基準ウェハ１を１８０度天地を
反転し（すなわち、水平姿勢にてノッチ部７を奥側に向
けて）、パーティクル検査を２度行ってもよい。第２の
実施の形態この発明の第２の実施の形態について、図４
ないし図８を参照しながら説明する。
反転し（すなわち、水平姿勢にてノッチ部７を奥側に向
けて）、パーティクル検査を２度行ってもよい。第２の
実施の形態この発明の第２の実施の形態について、図４
ないし図８を参照しながら説明する。
【００２１】図４は、校正基準ウェハ１１の平面図を示
している。校正基準ウェハ１１は、８インチシリコンウ
ェハ上に１００ｎｍ厚の酸化膜を熱酸化法により成膜し
てなり、この酸化膜をドライエッチングすることによ
り、略同一の大きさ（平均値±２０％以内）の微小ピッ
トからなる微小ピット群が作成されている。ここで、パ
ーティクルカウンタでの測定において、微小ピット１個
から散乱される散乱光強度は、０．１μｍφの粒径の大
きさを持つ標準粒子のラテックス球からの散乱光量と一
致するように構成されている。
している。校正基準ウェハ１１は、８インチシリコンウ
ェハ上に１００ｎｍ厚の酸化膜を熱酸化法により成膜し
てなり、この酸化膜をドライエッチングすることによ
り、略同一の大きさ（平均値±２０％以内）の微小ピッ
トからなる微小ピット群が作成されている。ここで、パ
ーティクルカウンタでの測定において、微小ピット１個
から散乱される散乱光強度は、０．１μｍφの粒径の大
きさを持つ標準粒子のラテックス球からの散乱光量と一
致するように構成されている。
【００２２】微小ピットの個数は、２０μｍ□の微小領
域内に、０．１μｍφの標準粒子と同等の散乱光強度を
持つ微小ピット群１２では１個、０．３μｍφの標準粒
子と同等の散乱光強度を持つ微小ピット群１３では３
個、０．５μｍφの標準粒子と同等の散乱光強度を持つ
微小ピット群１４では５個、１．０μｍφの標準粒子と
同等の散乱光強度を持つ微小ピット群１５では１０個作
られている。
域内に、０．１μｍφの標準粒子と同等の散乱光強度を
持つ微小ピット群１２では１個、０．３μｍφの標準粒
子と同等の散乱光強度を持つ微小ピット群１３では３
個、０．５μｍφの標準粒子と同等の散乱光強度を持つ
微小ピット群１４では５個、１．０μｍφの標準粒子と
同等の散乱光強度を持つ微小ピット群１５では１０個作
られている。
【００２３】また、２０μｍ□の微小領域内に、１個ま
たは複数個の微小ピットを作ることにより、パーティク
ルカウンターの測定スポットエリアが走査１回につき２
０μｍ□である場合、パーティクルカウンタは微小ピッ
ト群１２のスポットエリア内には標準粒子０．１μｍφ
相当の異物、微小ピット群１３内には０．３μｍφ相当
の異物、微小ピット群１４内には０．５μｍφ相当の異
物、微小ピット群１５内には１．０μｍφ相当の異物が
あると認識するように構成されている。
たは複数個の微小ピットを作ることにより、パーティク
ルカウンターの測定スポットエリアが走査１回につき２
０μｍ□である場合、パーティクルカウンタは微小ピッ
ト群１２のスポットエリア内には標準粒子０．１μｍφ
相当の異物、微小ピット群１３内には０．３μｍφ相当
の異物、微小ピット群１４内には０．５μｍφ相当の異
物、微小ピット群１５内には１．０μｍφ相当の異物が
あると認識するように構成されている。
【００２４】さらに、これらの微小ピット群１２，１
３，１４，１５は、散乱光強度の小さい順に、校正基準
ウェハ１１の中心から同心円状に配列されている。この
校正基準ウェハ１１を、まずウェハのノッチ部１６を手
前側に向けて水平に設置し、通常のパーティクル検査を
行なう。この場合、レーザー斜め入射で、受光部が入射
光と反対側の一方にしかないパーティクルカウンタ−を
用いるものとする。そして、その結果、図５に示すよう
なパーティクルマップおよび図６の各粒子に対する粒径
の検出個数の分布図が得られる。
３，１４，１５は、散乱光強度の小さい順に、校正基準
ウェハ１１の中心から同心円状に配列されている。この
校正基準ウェハ１１を、まずウェハのノッチ部１６を手
前側に向けて水平に設置し、通常のパーティクル検査を
行なう。この場合、レーザー斜め入射で、受光部が入射
光と反対側の一方にしかないパーティクルカウンタ−を
用いるものとする。そして、その結果、図５に示すよう
なパーティクルマップおよび図６の各粒子に対する粒径
の検出個数の分布図が得られる。
【００２５】次に、この同じ校正基準ウェハ１１を１８
０度天地を反転し（すなわち、水平姿勢にてノッチ部１
６を奥側に向け）パーティクル検査を行なう。その際の
測定条件は、前記反転前と同様である。その結果、図７
のパーティクルマップおよび図８の各粒子に対する粒径
の検出個数の分布図のようになったとする。すると、図
５と比べると図７のパーティクルマップでは、校正基準
ウェハ１１上の一部のパターン（０．５μｍφ）が検出
できていない様子が観察される。また、このとき、図６
と比べると図８の各粒子に対する粒径の検出個数の分布
図では、ある特定の粒径の粒子（０．５μｍφ）が十分
に検出できてない様子が観察される。
０度天地を反転し（すなわち、水平姿勢にてノッチ部１
６を奥側に向け）パーティクル検査を行なう。その際の
測定条件は、前記反転前と同様である。その結果、図７
のパーティクルマップおよび図８の各粒子に対する粒径
の検出個数の分布図のようになったとする。すると、図
５と比べると図７のパーティクルマップでは、校正基準
ウェハ１１上の一部のパターン（０．５μｍφ）が検出
できていない様子が観察される。また、このとき、図６
と比べると図８の各粒子に対する粒径の検出個数の分布
図では、ある特定の粒径の粒子（０．５μｍφ）が十分
に検出できてない様子が観察される。
【００２６】また、図７において、校正基準ウェハ１１
上の一部のパターン（１．０μｍφ）が増加している様
子が観察される。また、このとき、図８の各粒子に対す
る粒径の検出個数の分布図では、ある特定の粒径の粒子
（１．０μｍφ）が増加している様子が観察される。こ
れにより、装置の水平度に問題があることがわかる。ま
た、全体のレベルを見ることにより、レーザーの感度チ
ェックも行うことができる。このチェックは、レーザー
照射が垂直で、散乱光の受光部が一方向のみに付いてい
るパーティクルカウンターや、レーザー照射が斜め入射
であるようなパーティクルカウンターの場合に特に有効
である。
上の一部のパターン（１．０μｍφ）が増加している様
子が観察される。また、このとき、図８の各粒子に対す
る粒径の検出個数の分布図では、ある特定の粒径の粒子
（１．０μｍφ）が増加している様子が観察される。こ
れにより、装置の水平度に問題があることがわかる。ま
た、全体のレベルを見ることにより、レーザーの感度チ
ェックも行うことができる。このチェックは、レーザー
照射が垂直で、散乱光の受光部が一方向のみに付いてい
るパーティクルカウンターや、レーザー照射が斜め入射
であるようなパーティクルカウンターの場合に特に有効
である。
【００２７】このように構成されたパーティクルカウン
タの検査方法とそれに用いる校正基準ウェハによると、
酸化膜上の一定微小領域内に、略同一の大きさの１個ま
たは複数個の微小ピットを生成することで、標準粒子
０．１μｍφ，０．３μｍφ，０．５μｍφ，１．０μ
ｍφに相当する散乱光強度の微小ピット群１２，１３，
１４，１５を形成でき、従来のように大きさの異なる微
小ピットを生成するのに比べ、校正基準ウェハ１１の製
造が容易となり、複製の製造も簡単に行える。
タの検査方法とそれに用いる校正基準ウェハによると、
酸化膜上の一定微小領域内に、略同一の大きさの１個ま
たは複数個の微小ピットを生成することで、標準粒子
０．１μｍφ，０．３μｍφ，０．５μｍφ，１．０μ
ｍφに相当する散乱光強度の微小ピット群１２，１３，
１４，１５を形成でき、従来のように大きさの異なる微
小ピットを生成するのに比べ、校正基準ウェハ１１の製
造が容易となり、複製の製造も簡単に行える。
【００２８】また、同一の大きさの微小ピットにて微小
ピット群１２，１３，１４，１５を形成するので、校正
基準ウェハ１１の精度が向上する。よって、精度の良い
校正基準ウェハ１１を用いてパーティクルカウンタの検
査を行った結果、検査結果の精度も向上し、パーティク
ルカウンタの状態を正確に把握できる。また、校正基準
ウェハ１１にごみが付いたり、汚れたりした場合でも、
Ｎ2 ブローやソフトな洗浄により、簡単にウェハの清浄
度を回復できる。
ピット群１２，１３，１４，１５を形成するので、校正
基準ウェハ１１の精度が向上する。よって、精度の良い
校正基準ウェハ１１を用いてパーティクルカウンタの検
査を行った結果、検査結果の精度も向上し、パーティク
ルカウンタの状態を正確に把握できる。また、校正基準
ウェハ１１にごみが付いたり、汚れたりした場合でも、
Ｎ2 ブローやソフトな洗浄により、簡単にウェハの清浄
度を回復できる。
【００２９】また、パーティクルカウンタの検査におい
て、校正基準ウェハ１１の天地を反転して、同じ測定条
件でパーティクル測定を２度行うことで、検査結果の精
度がより一層向上し、パーティクルカウンタの水平度や
安定度、レーザーの感度等をチェックして、パーティク
ルカウンタの状態を正確に把握することができる。な
お、前記各実施の形態では、０．１μｍφの粒径の標準
粒子の散乱光量に一致する微小ピットにより、０．１μ
ｍφ，０．３μｍφ，０．５μｍφ，１．０μｍφの４
種類の微小ピット群を形成したが、これら４種類の大き
さの微小ピット群に限るものではない。また、微小ピッ
トについても、０．１μｍφの粒径の標準粒子の散乱光
量に一致するものに限るものではなく、異なる粒径の標
準粒子の散乱光量に一致する微小ピットを１個または複
数個生成して微小ピット群を形成してもよい。さらに、
基板上に薄膜となるレジストを形成し、フォトリソグラ
フィー技術によるレジストのパターニングにより微小ピ
ットを生成してもよい。
て、校正基準ウェハ１１の天地を反転して、同じ測定条
件でパーティクル測定を２度行うことで、検査結果の精
度がより一層向上し、パーティクルカウンタの水平度や
安定度、レーザーの感度等をチェックして、パーティク
ルカウンタの状態を正確に把握することができる。な
お、前記各実施の形態では、０．１μｍφの粒径の標準
粒子の散乱光量に一致する微小ピットにより、０．１μ
ｍφ，０．３μｍφ，０．５μｍφ，１．０μｍφの４
種類の微小ピット群を形成したが、これら４種類の大き
さの微小ピット群に限るものではない。また、微小ピッ
トについても、０．１μｍφの粒径の標準粒子の散乱光
量に一致するものに限るものではなく、異なる粒径の標
準粒子の散乱光量に一致する微小ピットを１個または複
数個生成して微小ピット群を形成してもよい。さらに、
基板上に薄膜となるレジストを形成し、フォトリソグラ
フィー技術によるレジストのパターニングにより微小ピ
ットを生成してもよい。
【００３０】
【発明の効果】請求項１記載のパーティクルカウンタの
検査方法によると、薄膜上の一定微小領域内に、略同一
の大きさの１個または複数個の微小ピットを生成するこ
とで、散乱光強度の異なる微小ピット群を形成した校正
基準ウェハを用いるので、従来のように大きさの異なる
微小ピットを生成するのに比べ、校正基準ウェハの製造
が容易となり、かつ精度も向上する。よって、精度の良
い校正基準ウェハでもってパーティクルカウンタを検査
することで、検査結果の精度も向上し、パーティクルカ
ウンタの状態を正確に把握することができる。
検査方法によると、薄膜上の一定微小領域内に、略同一
の大きさの１個または複数個の微小ピットを生成するこ
とで、散乱光強度の異なる微小ピット群を形成した校正
基準ウェハを用いるので、従来のように大きさの異なる
微小ピットを生成するのに比べ、校正基準ウェハの製造
が容易となり、かつ精度も向上する。よって、精度の良
い校正基準ウェハでもってパーティクルカウンタを検査
することで、検査結果の精度も向上し、パーティクルカ
ウンタの状態を正確に把握することができる。
【００３１】請求項２記載のパーティクルカウンタの検
査方法によると、薄膜上の一定微小領域内に、略同一の
大きさの１個または複数個の微小ピットを生成すること
で、散乱光強度の異なる微小ピット群を形成した校正基
準ウェハを用いるので、従来のように大きさの異なる微
小ピットを生成するのに比べ、校正基準ウェハの製造が
容易となり、かつ精度も向上する。よって、精度の良い
校正基準ウェハでもってパーティクルカウンタを検査す
ることで、検査結果の精度も向上する。しかも、校正基
準ウェハの天地を反転して、パーティクル測定を２度行
うことで、検査結果の精度がより一層向上し、パーティ
クルカウンタの状態を正確に把握することができる。
査方法によると、薄膜上の一定微小領域内に、略同一の
大きさの１個または複数個の微小ピットを生成すること
で、散乱光強度の異なる微小ピット群を形成した校正基
準ウェハを用いるので、従来のように大きさの異なる微
小ピットを生成するのに比べ、校正基準ウェハの製造が
容易となり、かつ精度も向上する。よって、精度の良い
校正基準ウェハでもってパーティクルカウンタを検査す
ることで、検査結果の精度も向上する。しかも、校正基
準ウェハの天地を反転して、パーティクル測定を２度行
うことで、検査結果の精度がより一層向上し、パーティ
クルカウンタの状態を正確に把握することができる。
【００３２】請求項３記載の校正基準ウェハによると、
薄膜上の一定微小領域内に、略同一の大きさの１個また
は複数個の微小ピットを生成することで、散乱光強度の
異なる微小ピット群を形成したので、従来のように大き
さの異なる微小ピットを生成するのに比べ、校正基準ウ
ェハの製造が容易となり、かつ精度も向上し、パーティ
クルカウンタの状態を正確に把握することができる。
薄膜上の一定微小領域内に、略同一の大きさの１個また
は複数個の微小ピットを生成することで、散乱光強度の
異なる微小ピット群を形成したので、従来のように大き
さの異なる微小ピットを生成するのに比べ、校正基準ウ
ェハの製造が容易となり、かつ精度も向上し、パーティ
クルカウンタの状態を正確に把握することができる。
【図１】この発明の第１の実施の形態における校正基準
ウェハの斜視図である。
ウェハの斜視図である。
【図２】この発明の第１の実施の形態における校正基準
ウェハを用いて検査した結果のパーティクルマップ図で
ある。
ウェハを用いて検査した結果のパーティクルマップ図で
ある。
【図３】この発明の第１の実施の形態における校正基準
ウェハを用いて検査した結果の各粒径の検出個数分布図
である。
ウェハを用いて検査した結果の各粒径の検出個数分布図
である。
【図４】この発明の第２の実施の形態における校正基準
ウェハの平面図である。
ウェハの平面図である。
【図５】この発明の第２の実施の形態における校正基準
ウェハを用いて検査した結果のパーティクルマップ図で
ある。
ウェハを用いて検査した結果のパーティクルマップ図で
ある。
【図６】この発明の第２の実施の形態における校正基準
ウェハを用いて検査した結果の各粒径の検出個数分布図
である。
ウェハを用いて検査した結果の各粒径の検出個数分布図
である。
【図７】この発明の第２の実施の形態における校正基準
ウェハを天地逆に用いて検査した結果のパーティクルマ
ップ図である。
ウェハを天地逆に用いて検査した結果のパーティクルマ
ップ図である。
【図８】この発明の第２の実施の形態における校正基準
ウェハを天地逆に用いて検査した結果の各粒径の検出個
数分布図である。
ウェハを天地逆に用いて検査した結果の各粒径の検出個
数分布図である。
【図９】従来例における校正基準ウェハの平面図であ
る。
る。
【図１０】従来例における校正基準ウェハを用いて検査
した結果の各粒径の検出個数分布図である。
した結果の各粒径の検出個数分布図である。
１，１１ 校正基準ウェハ ２ シリコンウェハ（基板） ３ 酸化膜（薄膜） ４ 微小領域 ５ 微小ピット ６，１２，１３，１４，１５ 微小ピット群
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｈ０１Ｌ 21/02 Ｈ０１Ｌ 21/02 Ｂ
Claims (6)
- 【請求項１】 基板の薄膜上の一定微小領域内に、粒径
を規定された標準粒子の散乱する光強度と同等の散乱光
強度を有した１個または複数個の略同一の大きさの微小
ピットを生成して、微小ピット群を形成した校正基準ウ
ェハを準備する工程と、 前記校正基準ウェハに、パーティクルカウンタよりレー
ザー光を照射しその散乱光の測定結果に基づいて、前記
パーティクルカウンタを校正する工程とを含むパーティ
クルカウンタの検査方法。 - 【請求項２】 基板の薄膜上の一定微小領域内に、粒径
を規定された標準粒子の散乱する光強度と同等の散乱光
強度を有した１個または複数個の略同一の大きさの微小
ピットを生成して、微小ピット群を形成した校正基準ウ
ェハを準備する工程と、 前記校正基準ウェハに、パーティクルカウンタよりレー
ザー光を照射しその散乱光の測定結果と、前記校正基準
ウェハの天地を反転して前記パーティクルカウンタより
レーザー光を照射しその散乱光の測定結果とに基づい
て、前記パーティクルカウンタを校正する工程とを含む
パーティクルカウンタの検査方法。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載のパーティ
クルカウンタの検査方法に用いる校正基準ウェハであっ
て、 基板と、この基板上に成膜した薄膜と、この薄膜上に形
成した微小ピット群とを備え、 前記微小ピット群は、前記薄膜上の一定微小領域内に、
粒径を規定された標準粒子の散乱する光強度と同等の散
乱光強度を有した１個または複数個の略同一の大きさの
微小ピットを生成してなることを特徴とする校正基準ウ
ェハ。 - 【請求項４】 薄膜が酸化膜であり、この酸化膜上にエ
ッチングにより微小ピットを生成することを特徴とする
請求項３記載の校正基準ウェハ。 - 【請求項５】 薄膜がレジストであり、このレジスト上
にパターンニングにより微小ピットを生成することを特
徴とする請求項３記載の校正基準ウェハ。 - 【請求項６】 微小ピット群を、散乱光強度の小さい順
に、基板の中心から同心円状に配列したことを特徴とす
る請求項３または請求項４または請求項５記載の校正基
準ウェハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16363897A JPH1114534A (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | パーティクルカウンタの検査方法とそれに用いる校正基準ウェハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16363897A JPH1114534A (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | パーティクルカウンタの検査方法とそれに用いる校正基準ウェハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1114534A true JPH1114534A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=15777752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16363897A Pending JPH1114534A (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | パーティクルカウンタの検査方法とそれに用いる校正基準ウェハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1114534A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107978586A (zh) * | 2016-10-25 | 2018-05-01 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 校准晶片及其制造方法 |
| KR20190019747A (ko) * | 2017-08-18 | 2019-02-27 | 주식회사삼영에스앤씨 | 광산란형 먼지 센서 |
| KR20190019746A (ko) * | 2017-08-18 | 2019-02-27 | 경상대학교산학협력단 | 광산란형 먼지 센서 교정 방법 |
| CN115266487A (zh) * | 2022-06-14 | 2022-11-01 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 标准样板定值方法、装置、终端设备及标准样板 |
-
1997
- 1997-06-20 JP JP16363897A patent/JPH1114534A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107978586A (zh) * | 2016-10-25 | 2018-05-01 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 校准晶片及其制造方法 |
| KR20190019747A (ko) * | 2017-08-18 | 2019-02-27 | 주식회사삼영에스앤씨 | 광산란형 먼지 센서 |
| KR20190019746A (ko) * | 2017-08-18 | 2019-02-27 | 경상대학교산학협력단 | 광산란형 먼지 센서 교정 방법 |
| CN115266487A (zh) * | 2022-06-14 | 2022-11-01 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 标准样板定值方法、装置、终端设备及标准样板 |
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