KR970023859A - 열처리장치 - Google Patents

열처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970023859A
KR970023859A KR1019960045984A KR19960045984A KR970023859A KR 970023859 A KR970023859 A KR 970023859A KR 1019960045984 A KR1019960045984 A KR 1019960045984A KR 19960045984 A KR19960045984 A KR 19960045984A KR 970023859 A KR970023859 A KR 970023859A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
reaction chamber
pressing member
chamber
heat treatment
Prior art date
Application number
KR1019960045984A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100335970B1 (ko
Inventor
기미히로 마츠세
츠요시 하시모토
미츠히로 다치바나
Original Assignee
히가시 데츠로
도쿄 에레쿠토론 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 히가시 데츠로, 도쿄 에레쿠토론 가부시키가이샤 filed Critical 히가시 데츠로
Publication of KR970023859A publication Critical patent/KR970023859A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100335970B1 publication Critical patent/KR100335970B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45519—Inert gas curtains
    • C23C16/45521—Inert gas curtains the gas, other than thermal contact gas, being introduced the rear of the substrate to flow around its periphery
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)
  • Furnace Details (AREA)

Abstract

본 발명은 막두께의 면내균일성을 악화시키는 일 없이 처리가스의 피처리체의 안쪽면측에 대한 돌아 들어감을 확실하게 방지할 수 있는 열처리장치에 관한 것으로서, 처리가스가 공급되는 반응실과 백 사이드가스가 공급되는 가스실을 안에 갖는 처리용기와, 이 처리용기내에 배치되어 피처리체를 이 일면이 반응실에 노출되도록 지지하는 수단과, 반응실내에 설치되어 상기 피처리체와 맞붙는 크램프위치와 피처리체와 떨어진 대기위치의 사이에서 이동가능하며 피처리체의 일면이 노출 가능한 개구를 규정하는 내주단면을 갖는 링상의 누름부재, 이 누름부재는 크램프위치에서 피처리체와 전체둘레에 걸쳐서 선접촉으로 맞붙고 반응실로부터 처리가스가 누름부재와 피처리체의 사이로부터 새는 것은 방지하는 시일수단을 갖는 것과, 상기 누름부재를 크램프위치와 대기위치의 사이에 선택적으로 이동시키는 구동수단과, 상기 반응실에 처리가스를 공급하는 수단과, 상기 가스실에 백 사이드가스를 공급하는 수단과, 상기 피처리체를 가열하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

열처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관련되는 열처리장치의 한 예를 나타내는 단면도.

Claims (15)

  1. 처리가스가 공급되는 반응실과 백사이드가스가 공급되는 가스실을 안에 갖는 처리용기와, 이 처리용기내에 배치되어 피처리체를 이 일면이 반응실에 노출되도록 지지하는 수단과, 반응실내에 설치되어 상기 피처리체와 맞붙는 크램프위치와 피처리체와 떨어진 대기위치의 사이에서 이동가능하며 피처리체의 일면이 노출가능한 개구를 규정하는 내주단면을 갖는 링 상의 누름부재, 이 누름부재는 크램프위치에서 피처리체와 전체둘레에 걸쳐서 선접촉으로 맞붙고 반응실로부터 처리가스가 누름부재와 피처리체의 사이로부터 새는 것을 방지하는 시일수단을 갖는 것과, 상기 누름부재를 크램프위치와 대기위치의 사이에 선택적으로 이동시키는 구동수단과, 상기 반응실에 처리가스를 공급하는 수단과, 상기 가스실에 백사이드 가스를 공급하는 수단과, 상기 피처리체를 가열하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 시일수단은 상기 내주단면에 형성되고 피처리체의 외주단틀과 전체 둘에 걸쳐서 선접속으로 맞붙고 반응실로부터 처리가스가 누름부재와 피처리체의 사이로부터 새는 것을 방지하는 테이퍼면을 갖는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 백사이드가스를 공급하는 수단은 반응실내보다도 높은 압력이 되도록 백사이드가스를 가스실에 공급하는 적어도 1개의 노즐을 갖는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 가스실이 소정의 압력 이상이 되었을 때에 가스실내의 백사이드가스를 외부로 벗어나게 하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 구동수단은 피처리체를 상기 지지수단에 재치 및 분리하는 수단과, 이 분리수단을 상기 누름부재와 동시에 이동시키는 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 지지수단은 상기 가스실에 설치되어 위에 피처리체가 재치되는 재치대와, 이 재치대를 처리용기에 고정하는 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 백사이드가스를 재치대의 외주를 통하여 반응실로 벗어나게 하는 가스퍼지수단을 갖는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  8. 제2항에 있어서, 상기 테이퍼면은 5∼15도의 테이퍼각도를 갖는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  9. 제2항에 있어서, 상기 누름부재의 내주단면으로부터 0.3∼1.5mm의 거리피처리체의 상기 일면의 외주부와 오버랩하고 있는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  10. 처리가스가 공급되는 반응실과 백사이드가스가 공급되는 가스실을 안에 갖는 처리용기와, 상기 반응실과 가스실의 사이에 설치되어 이들 방 사이를 구획하는 수단과, 반응실내에 설치되어 상기 피처리체와 맞붙는 크램프위치와 피처리체와 떨어진 대기위치의 사이에서 이동 가능하며 피처리체의 일면이 노출 가능한 개구를 규정하는 내주단면을 갖고 크램프위치에서 피처리체와 맞붙고, 이 피처리체를 크램프하는 링상의 누름부재와, 상기 처리용기내에 배치되어 피처리체를 이 일면이 반응실에 노출되도록 지지하는 수단과, 상기 반응실에 처리가스를 공급하는 수단과, 상기 가스실에 백사이드가스를 상기 반응실내보다도 높은 압력이 되도록 공급하는 수단과, 상기 구획하는 수단은 상기 누름부재가 크램프위치에 있을 때에 가스실에 통하는 입구와 반응실에 통하는 출구를 갖고, 피처리체와 누름부재의 맞붙음부를 지나는 가스퍼지통로를 누름부재와의 사이에서 규정하는 부재를 갖고, 이 결과 맞붙음부로 부터 샌 처리가스를 캐리하여 반응실에 되돌리도록 백사이드가스가 입구로부터 가스퍼지통로를 통하여 출구로 흘러가는 것과, 상기 피처리체를 가열하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  11. 제10항에 있어서 상기 누름부재와 규정부재는 서로 소정 간격을 갖고 대면하여 상기 가스퍼지 통로를 규정하는 평탄한 일면을 갖고, 상기 규정부재는 상기 일면을 갖는 내주부를 갖는 링 상의 어태치먼트부재를 갖는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 가스퍼지통로는 0.3∼1.0mm의 폭을 갖고, 또 입구는 0.5∼1.5mm의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 어태치먼트부재의 내주부는 가스실로부터 가스퍼지통로실에 연이어 통하고, 이들을 통하여 가스실내의 백사이드가스가 가스퍼지통로에 흐르는 복수의 가스빠짐투과구멍을 갖는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  14. 제11항에 있어서, 상기 누름부재는 이것이 크램프위치에 있을 때에 피처리체의 상기 일면과 대략 같은 면에 위치하는 다른 면을 갖는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  15. 처리가스가 공급되는 반응실과 백사이드가스가 공급되는 가스실을 안에 갖는 처리용기와, 상기 처리용기내에 배치되어 웨이퍼가 이 일면이 반응실에 노출되도록 재치되는 재치대와, 반응실내에 설치되어 상기 웨이퍼와 맛붙는 크램프위치와 웨이퍼와 떨어진 대기위치의 사이에서 이동되어 웨이퍼의 일면이 노출 가능한 개구를 규정하는 내주단면(이 내주단면은 웨이퍼의 외주단면과 상이형을 이루고, 또한 외주단면보다도 작은)을 갖는 링 상의 누름부재, 이 누름부재는 크램프위치에서 웨이퍼와 전체 들레에 걸쳐서 선접촉으로 맞붙고 반응실로부터 처리가스가 누름부재와 웨이퍼의 사이로부터 새는 것을 방지하는 시일수단을 갖는 것과, 상기 반응실에 상기 웨이퍼의 일면에 층을 형성하기 위한 원료가스를 포함하는 처리가스를 공급하는 수단과, 상기 가스실에 백사이드가스를 공급하는 수단과, 상기 누름부재가 크램프위치에 있을 때에 가스실에 통하는 입구를 갖고 웨이퍼와 누름부재의 맞붙음부를 지나는 가스퍼지통로를 누름부재와의 사이에서 규정하는 부재와, 상기 웨이퍼를 가열하여 상기 처리가스를 반응실내에서 반응시켜서 웨이퍼의 상기 일면에 처리가스에 의한 막을 형성시키는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960045984A 1995-10-18 1996-10-15 열처리 장치 KR100335970B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29487295A JP3477953B2 (ja) 1995-10-18 1995-10-18 熱処理装置
JP95-294872 1995-10-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970023859A true KR970023859A (ko) 1997-05-30
KR100335970B1 KR100335970B1 (ko) 2002-09-27

Family

ID=17813347

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960045984A KR100335970B1 (ko) 1995-10-18 1996-10-15 열처리 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5997651A (ko)
JP (1) JP3477953B2 (ko)
KR (1) KR100335970B1 (ko)
TW (1) TW366517B (ko)

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5930661A (en) * 1996-10-15 1999-07-27 Vanguard International Semiconductor Corporation Substrate clamp design for minimizing substrate to clamp sticking during thermal processing of thermally flowable layers
JPH1126432A (ja) * 1997-06-30 1999-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd ガス伝熱形プラズマ処理装置
JP4317608B2 (ja) * 1999-01-18 2009-08-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
TW457616B (en) * 1999-01-19 2001-10-01 Tokyo Electron Ltd Film-forming apparatus
US20030205192A1 (en) * 1999-01-19 2003-11-06 Tokyo Electron Limited Film forming method
US6159299A (en) * 1999-02-09 2000-12-12 Applied Materials, Inc. Wafer pedestal with a purge ring
GB2350374B (en) * 1999-05-11 2003-09-24 Trikon Holdings Ltd Deposition apparatus
JP4542641B2 (ja) * 1999-05-24 2010-09-15 株式会社アルバック 半導体製造装置及びこの装置を利用したバリアメタル膜の形成方法
JP2001053030A (ja) * 1999-08-11 2001-02-23 Tokyo Electron Ltd 成膜装置
JP3567855B2 (ja) * 2000-01-20 2004-09-22 住友電気工業株式会社 半導体製造装置用ウェハ保持体
JP3711226B2 (ja) * 2000-02-23 2005-11-02 大日本印刷株式会社 真空乾燥装置および真空乾燥方法
JP4409714B2 (ja) * 2000-04-07 2010-02-03 東京エレクトロン株式会社 枚葉式熱処理装置
US6440219B1 (en) * 2000-06-07 2002-08-27 Simplus Systems Corporation Replaceable shielding apparatus
EP1174910A3 (en) * 2000-07-20 2010-01-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dechucking a substrate
US6503331B1 (en) * 2000-09-12 2003-01-07 Applied Materials, Inc. Tungsten chamber with stationary heater
US6689221B2 (en) * 2000-12-04 2004-02-10 Applied Materials, Inc. Cooling gas delivery system for a rotatable semiconductor substrate support assembly
JP4583591B2 (ja) * 2000-12-15 2010-11-17 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理装置
JP4663110B2 (ja) * 2000-12-27 2011-03-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置
WO2002052062A1 (fr) * 2000-12-27 2002-07-04 Tokyo Electron Limited Dispositif de traitement
JP4765169B2 (ja) * 2001-01-22 2011-09-07 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置と熱処理方法
US7390366B2 (en) * 2001-11-05 2008-06-24 Jusung Engineering Co., Ltd. Apparatus for chemical vapor deposition
US20030117018A1 (en) * 2001-12-21 2003-06-26 Young James M. Current mirror seatbelt interface circuit
WO2004038777A1 (ja) * 2002-10-24 2004-05-06 Tokyo Electron Limited 熱処理装置
US20040096636A1 (en) * 2002-11-18 2004-05-20 Applied Materials, Inc. Lifting glass substrate without center lift pins
US7434712B2 (en) * 2004-07-09 2008-10-14 Blackhawk Industries Product Group Unlimited Llc Hooded holster
US20060005770A1 (en) * 2004-07-09 2006-01-12 Robin Tiner Independently moving substrate supports
KR100601988B1 (ko) 2005-02-05 2006-07-18 삼성전자주식회사 웨이퍼 가열 장비
US7978583B2 (en) * 2005-05-24 2011-07-12 Cinram International Inc. Apparatus and method for forming reflective layer of optical disc
US7378618B1 (en) * 2006-12-14 2008-05-27 Applied Materials, Inc. Rapid conductive cooling using a secondary process plane
JP5102706B2 (ja) * 2008-06-23 2012-12-19 東京エレクトロン株式会社 バッフル板及び基板処理装置
JP5443096B2 (ja) * 2009-08-12 2014-03-19 株式会社ニューフレアテクノロジー 半導体製造装置および半導体製造方法
JP5164950B2 (ja) * 2009-09-24 2013-03-21 キヤノンアネルバ株式会社 Ｃｖｄ装置
US9478428B2 (en) * 2010-10-05 2016-10-25 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for shielding a plasma etcher electrode
US20120083129A1 (en) 2010-10-05 2012-04-05 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for focusing plasma
CN107452592B (zh) * 2011-05-31 2019-11-12 应用材料公司 边缘保护板、边缘保护组件以及用于处理基板的设备
KR101248881B1 (ko) * 2011-09-26 2013-04-01 주식회사 유진테크 기판지지유닛 및 기판처리장치, 그리고 기판지지유닛을 제조하는 방법
US10069443B2 (en) * 2011-12-20 2018-09-04 Tokyo Electron Limited Dechuck control method and plasma processing apparatus
US10361097B2 (en) * 2012-12-31 2019-07-23 Globalwafers Co., Ltd. Apparatus for stressing semiconductor substrates
US9997381B2 (en) * 2013-02-18 2018-06-12 Lam Research Corporation Hybrid edge ring for plasma wafer processing
JP5602903B2 (ja) * 2013-03-14 2014-10-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置
GB201419210D0 (en) * 2014-10-29 2014-12-10 Spts Technologies Ltd Clamp assembly
JP6054470B2 (ja) * 2015-05-26 2016-12-27 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置
JP5990626B1 (ja) 2015-05-26 2016-09-14 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置
JP6050860B1 (ja) 2015-05-26 2016-12-21 株式会社日本製鋼所 プラズマ原子層成長装置
JP6054471B2 (ja) 2015-05-26 2016-12-27 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置および原子層成長装置排気部
US11802340B2 (en) * 2016-12-12 2023-10-31 Applied Materials, Inc. UHV in-situ cryo-cool chamber
US11898245B2 (en) * 2021-02-26 2024-02-13 Applied Materials, Inc. High throughput and metal contamination control oven for chamber component cleaning process

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61289623A (ja) * 1985-06-18 1986-12-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 気相反応装置
JPH04124820A (ja) * 1990-09-17 1992-04-24 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法および装置
US5304248A (en) * 1990-12-05 1994-04-19 Applied Materials, Inc. Passive shield for CVD wafer processing which provides frontside edge exclusion and prevents backside depositions
JP3186257B2 (ja) * 1992-09-30 2001-07-11 ソニー株式会社 成膜装置
US5292554A (en) * 1992-11-12 1994-03-08 Applied Materials, Inc. Deposition apparatus using a perforated pumping plate
JPH0799162A (ja) * 1993-06-21 1995-04-11 Hitachi Ltd Ｃｖｄリアクタ装置
KR100274754B1 (ko) * 1993-08-18 2000-12-15 히가시 데쓰로 성막장치 및 성막방법
US5635244A (en) * 1995-08-28 1997-06-03 Lsi Logic Corporation Method of forming a layer of material on a wafer

Also Published As

Publication number Publication date
US5997651A (en) 1999-12-07
TW366517B (en) 1999-08-11
JPH09115993A (ja) 1997-05-02
KR100335970B1 (ko) 2002-09-27
JP3477953B2 (ja) 2003-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970023859A (ko) 열처리장치
KR100711114B1 (ko) 메카니컬 씰
US6203621B1 (en) Vacuum chuck for holding thin sheet material
KR960039131A (ko) 씨브이디 장치
EP0708477A1 (en) Controlling edge deposition on semiconductor substrates
KR19980064794A (ko) 반도체 웨이퍼 아래의 후방 가스압 제어 장치
KR910001887A (ko) 피처리체 처리장치 및 처리방법
TW370702B (en) Wafer support with improved temperature control
DE69522539T2 (de) Vorrichtung zur chemischen Dampfabscheidung bei niedrigem Druck
KR960039387A (ko) 박막 증착장치
KR970013106A (ko) 매엽식 열처리장치
US6182957B1 (en) Apparatus and method for holding a flexible product in a flat and secure position
KR100697402B1 (ko) 열처리 장치
JP2000223432A (ja) 熱処理装置
KR950006969A (ko) 성막장치 및 성막방법
KR920001643A (ko) 처리장치
US5425810A (en) Removable gas injectors for use in chemical vapor deposition of aluminium oxide
US7180035B2 (en) Substrate processing device
KR20180101199A (ko) 가스 도입 기구 및 열처리 장치
KR930008956A (ko) 성막(成膜) 처리방법 및 그 장치
JPH10112448A (ja) 真空加工装置およびこれに用いられるホルダ
JP3400271B2 (ja) 基板処理装置の処理液加熱装置
KR920022388A (ko) 감압 cvd 장치
JPH02243750A (ja) エアーナイフ機構
JP2010042328A (ja) 表面処理用治具

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120418

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130404

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee