KR970023619A - 기판의 회수방법 - Google Patents
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Abstract
표면층 물질이 제거될 때까지 회전패드 및 연마슬러리를 사용하여 표면에 미세파열을 유발함으로써 웨이퍼로부터 표면층물질을 제거하고 미세파열이 제거될 때까지 웨이퍼의 표면을 화학적으로 에칭하는 것으로 이루어지는 방법. 에지 물질은연마 테이프로 제거한다. 재생 동안의 웨이퍼 두께 감소량은 사이클 당 30미크론 미만이다. 웨이퍼 기판의 앞면과 뒷면중 한쪽을 연마하는데 연마되지 않은 쪽에는 어떤 점 또는 홈이 있다. 연마슬러리는 6부피%보다 많은 연마입자를 함유하며 연마슬러리는 약 2cP보다 큰 점도를 갖는다. 바람직한 패드는 쇼어 디 스케일에서 약 45보다 큰 경도를 갖는 유기 중합체이며, 최적으로는 폴리우레탄이다. 웨이퍼 표면에 대한 패드의 압력은 약 3psi를 초과하지 않는 것이 바람직하다. 바람직하게는 화학적 에칭용액은 수산화칼륨을 함유한다. 웨이퍼 표면에 이어서 산성용액을 적용할 수도 있다. 재생 실리콘 웨이퍼는 폭이 20미크론을 초과하지 않는 에칭 피트를 가지며 평균 조도가 0.5미크론을 초과하지 않고 피크 대 밸리 조도가5미크론을 초과하지 않는 광택이 없는 쪽을 갖는다. 원웨이퍼로부터의 어떤 레이저 표지든지 웨이퍼의 광택이 없는 쪽에존재한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제9도는 본 발명의 패드 및 연마 공정으로 인한 표면하 손상을 나타내는 개략도이다.
Claims (26)
- 표면층을 갖는 기판으로 이루어진 웨이퍼의 재생방법에 있어서, a) 회전패드 및 연마 슬러리에 의해 웨이퍼의 앞면과 뒷면중 적어도 한쪽으로부터 표면층 물질을 제거하는 단계; 및 b) 웨이퍼의 표면을 화학적으로 에칭하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 재생방법.
- 제1항에 있어서, 표면층 물질은 표면층 물질이 모두 제거될 때까지 회전패드 및 연마 슬러리를 사용하여표면에 미세파열을 도입함으로써 제거되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 단계(a)전에 웨이퍼의 에지로부터 표면층 물질을 모두 기계적으로 제거하여 노출된 기판에지를 남기는 추가의 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제3항에 있어서, 표면층 물질은 웨이퍼의 에지와 이것과 접촉하는 연마 테이프의 상대 운동에 의해 웨이퍼의 에지로부터 제거되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제4항에 있어서, 연마 테이프는 테이프 표면에 부착된 연마 입자를 포함하며, 연마 입자는 약 6미크론의 평균입자크기를 갖는 탄화규소, 산화알루미늄 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 단계(b)에서 제조된 웨이퍼의 상기 앞면과 뒷면중 적어도 한쪽을 연마하는 추가 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제6항에 있어서, 방법을 완료한 후의 두께 감소량은 30미크론 이하인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제7항에 있어서, 웨이퍼 표면중 한쪽은 레이저 표지점 및 또는 홈을 가지며 다른쪽 표면은 상기 점 또는홈을 갖지 않고, 연마되는 표면은 상기 다른쪽 표면인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 연마 슬러리는 6부피% 보다 많은 연마입자를 함유하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 연마 슬러리는 주위온도에서 약 2cP보다 큰 점도를 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 슬러리중의 연마입자는 산화지르코늄, 탄화규소, 산화알루미늄 및 이들의 두가지 이상의혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 연마입자의 평균크기는 약 5 내지 16미크론의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는방법.
- 제1항에 있어서, 패드는 쇼어 디 스케일에서 약 45보다 큰 경도를 갖는 유기 중합체로 이루어지는 것을특징으로 하는 방법.
- 제13항에 있어서, 중합체는 폴리우레탄인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 웨이퍼 표면에 대한 패드의 압력은 약 3psig를 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 화학적 에칭단계는 온도가 약 50 내지 약 100℃인 약 20 내지 약 45중량%의 수산화칼륨을 함유하는 수성에칭용액을 적용하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제16항에 있어서, 상기 수산화칼륨의 용액을 적용한 후에 웨이퍼 표면에 산성용액을 적용하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제17항에 있어서, 산성용액은 온도가 약 40 내지 약 140℃인 약 50 내지 약 100중량%의 인산을 함유하는것을 특징으로 하는 방법.
- 광택이 없는 쪽과 연마된 쪽을 가지며, 광택이 없는 쪽은 폭이 20미크론을 초과하지 않는 에치 피트를 갖는 것을 특징으로 하는 재생 반도체 웨이퍼.
- 제19항에 있어서, 광택이 없는 쪽 표면은 평균조도가 0.5미크론을 초과하지 않으며 피크 대 밸리 조도가5미크론을 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 재생 웨이퍼.
- 제19항에 있어서, 원 웨이퍼로부터의 레이저 표지는 웨이퍼의 광택이 없는 쪽에 존재하는 것을 특징으로 하는 재생 웨이퍼.
- 광택이 없는 쪽과 연마된 쪽을 가지며, 광택이 없는 쪽은 폭이 20미크론을 초과하지 않는 에치 피트를 갖고, 재생되는 웨이퍼로부터 30미크론 이하의 표면물질을 제거하는 재생방법의 산물인 것을 특징으로 하는 재생 반도체 웨이퍼.
- 광택이 없는 쪽과 연마된 쪽을 가지며, 광택이 없는 쪽은 폭이 20미크론을 초과하지 않는 에치 피트를 갖고, 광택이 없는 쪽 표면은 평균조도가 0.5미크론을 초과하지 않으며 피크 대 밸리 조도가 0.5미크론을 초과하지 않고, 재생되는 웨이퍼로부터 30미크론 이하의 표면물질을 제거하는 재생방법의 산물인 것을 특징으로 하는 재생 반도체 웨이퍼.
- 동일 직경의 최상급 웨이퍼의 표준 두께보다 30미크론 이하 만큼 더 얇은 두께를 가지며, 폭이 20미크론을초과하지 않는 에치 피트를 갖는 광택이 없는 쪽을 갖는 것을 특징으로 하는 재생 반도체 웨이퍼.
- 광택이 없는 쪽과 연마된 쪽을 가지며 광택이 없는 쪽은 폭이 20미크론을 초과하지 않는 에치 피트를 갖는 것을 특징으로 하는 재생 실리콘 웨이퍼.
- 제25항에 있어서, 광택이 없는 쪽 표면은 평균조도가 0.5미크론을초과하지 않으며 피크 대 밸리 조도가5미크론을 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 재생 웨이퍼.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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