KR970022557A - 포토레지스트 인화 및 현상 시스템 및 방법 - Google Patents

포토레지스트 인화 및 현상 시스템 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970022557A
KR970022557A KR1019960046976A KR19960046976A KR970022557A KR 970022557 A KR970022557 A KR 970022557A KR 1019960046976 A KR1019960046976 A KR 1019960046976A KR 19960046976 A KR19960046976 A KR 19960046976A KR 970022557 A KR970022557 A KR 970022557A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photoresist
ultrasonic
developer
photoresist layer
applying
Prior art date
Application number
KR1019960046976A
Other languages
English (en)
Inventor
셰인 알. 팔머
Original Assignee
윌리엄 이. 힐러
텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윌리엄 이. 힐러, 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 filed Critical 윌리엄 이. 힐러
Publication of KR970022557A publication Critical patent/KR970022557A/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

액성 현상제 소스 하부에 포토레지스트층(12) 및 웨이퍼(14)를 배치함으로써 포토레지스트의 현상이 이루어진다. 상기 포토레지스트층(12)의 상부 표면(13)에 액성 현상제가 도포된 후, 초음파 결합 장치(18)에 의해 초음파 신호가 포토레지스트층(12)에 인가된다. 상부 회전자(16)은 포토레지스트층(12)로부터 액성 현상제를제거하기 위해 포토레지스트층(12) 및 웨이퍼(14)를 회전시킨다.

Description

포토레지스트 인화 및 현상 시스템 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 기술에 따라 구성된 초음파적으로 결합된 포토레지스트 현상 시스템의 한 실시예를 나타낸 도면.

Claims (20)

  1. 포토레지스트 현상 시스템에 있어서, 웨이퍼, 현상되지 않은 다수의 형상을 가지며 상기 웨이퍼 상에 배치되어 있으며, 상부 표면을 갖는 포토레지스트층; 상기 포토레지스트층의 상부 표면에 소정량의 현상제를 제공하기 위해 상기 포토레지스트층 상에 배치된 액성 현상제 소스; 상기 웨이퍼에 결합된 회전자; 및 상기 포토레지스트층 상의 현상제에 초음파 교반 신호(ultrasonic agitation signal)를 제공하기 위해 상기 회전자에 결합된 초음파 결합 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 현상 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 액성 현상제 소스는 분사 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 현상 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 액성 현상제 소스는 다수의 분사 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스 현상 시스템.
  4. 제1항에 있어서, 상기 액성 현상제 소스는 호스를 포함는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 현상 시스템.
  5. 제1항에 있어서, 상기 초음파 결합장치는 상기 현상제를 초음파적으로 여기시키기 위해 동작가능한 초음파 형태로 초음파 교반 신호를 제공하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 현상 시스템.
  6. 제1항에 있어서, 상기 초음파 결합 장치는 상기 웨이퍼 및 상기 포토레지스트층의 역학적 진동 형태로 초음파 교반 신호를 제공하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 현상 시스템.
  7. 제1항에 있어서, 상기 초음파 결합 장치는 상기 웨이퍼 및 상기 포토레지스트층의 역학적 진동 형태로 초음파 교반 신호를 제공하도록 분극된 한 쌍의 자석을 분리하는 스프링을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 현상 시스템.
  8. 제1항에 있어서, 상기 액성 현상제 소스는 분사 노즐을 포함하며, 상기 초음파 결합 장치는 상기 현상제를 초음파적으로 여기시키기 위해 동작가능한 초음파 형태로 초음파 교반 신호를 제공하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 현상 시스템.
  9. 제1항에 있어서, 상기 액성 현상제 소스는 분사 노즐을 포함하며, 상기 초음파 결합 장치는 상기 웨이퍼 및 상기 포토레지스트층의 역학적 진동 형태로 초음파 교반 신호를 제공하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 현상 시스템.
  10. 제1항에 있어서, 상기 액성 현상제 소스는 분사 노즐을 포함하며, 상기 초음파 결합 장치는 상기 웨이퍼 및 상기 포토레지스트층의 역학적 진동 형태로 초음파 교반 신호를 제공하도록 분극된 한 쌍의 자석을 분리하는 스프링을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 현상 시스템.
  11. 제1항에 있어서, 상기 액성 현상제 소스는 호스를 포함하며, 상기 초음파 결합 장치는 상기 현상제를 초음파적으로 여기시키기 위해 동작가능한 초음파 형태로 초음파 교반 신호를 제공하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 현상 시스템.
  12. 제1항에 있어서, 상기 액성 현상제 소스는 호스를 포함하며, 상기 초음파 결합 장치는 상기 웨이퍼 및 상기 포토레지스트층의 역학적 진동 형태로 초음파 교반 신호를 제공하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 현상 시스템.
  13. 제1항에 있어서, 상기 액성 현상제 소스는 호스를 포함하며, 상기 초음파 결합 장치는 상기 웨이퍼 및 상기 포토레지스트층의 역학적 진동 형태로 초음파 교반 신호를 제공하도록 분극된 한 쌍의 자석을 분리하는 스프링을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 현상 시스템.
  14. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼를 지지하는 척을 더 구비하되, 상기 상부 회전 자는 상기 척에 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 현상 시스템.
  15. 포토레지스트층에서 형상을 현상하는 방법에 있어서, 현상될 상기 포토레지스트층을 회전시키는 단계; 소정량의 현상제로 상기 포토레지스트층을 분사하는 단계; 상기 현상제에 초음파 교반 신호를 인가하는 단계; 및 상기 포토레지스트층의 상부 표면으로 상기 현상제를 회전 도포시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트층에서 형상의 현상 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 현상제에 초음파 교반 신호를 인가하는 상기 단계가 상기 현상제를 초음파적으로 여기시키기 위해 동작가능한 상기 포토레지스트층에 초음파를 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트층에서 형상의 현상 방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 현상제에 초음파 교반 신호를 인가하는 상기 단계가 상기 포토레지스트층의 역학적 진동 형태로 초음파 교반 신호를 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트층에서 형상의 현상 방법.
  18. 포토레지스트층에서 형상을 현상하는 방법에 있어서, 상기 포토레지스트층 상에 소정량의 현상제를 위치시키는 단계; 상기 현상제에 초음파 교반 신호를 인가하는 단계; 및 상기 포토레지스트층의 상부 표면으로 상기 현상제를 회전 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트층에서 형상의 현상 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 현상제에 초음파 교반 신호를 인가하는 상기 단계가 상기 현상제를 초음파적으로 여기시키기 위해 동작가능한 상기 포토레지스트풍층에 초음파를 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트층에서 형상의 현상 방법.
  20. 제18항에 있어서, 상기 현상제에 초음파 교반 신호를 인가하는 상기 단계가 상기 포토레지스트층의 역학적 진동 형태로 초음파 교반 신호를 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트층에서 형상의 현상 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960046976A 1995-10-20 1996-10-19 포토레지스트 인화 및 현상 시스템 및 방법 KR970022557A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US576295P 1995-10-20 1995-10-20
US60/005,762 1995-10-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970022557A true KR970022557A (ko) 1997-05-30

Family

ID=21717611

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960046976A KR970022557A (ko) 1995-10-20 1996-10-19 포토레지스트 인화 및 현상 시스템 및 방법

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0769725A3 (ko)
JP (1) JPH09139345A (ko)
KR (1) KR970022557A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030053376A (ko) * 2001-12-22 2003-06-28 동부전자 주식회사 감광막 제거장치와, 이를 이용하여 웨이퍼 표면의감광막을 제거하는 방법

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6372389B1 (en) 1999-11-19 2002-04-16 Oki Electric Industry Co, Ltd. Method and apparatus for forming resist pattern
US6766813B1 (en) * 2000-08-01 2004-07-27 Board Of Regents, The University Of Texas System Apparatus and method for cleaning a wafer
KR20020067260A (ko) * 2001-02-16 2002-08-22 동부전자 주식회사 원판형 감광막 현상 장치
KR20030094680A (ko) * 2002-06-07 2003-12-18 삼성전자주식회사 감광액 도포 장치
JP2006019575A (ja) 2004-07-02 2006-01-19 Sharp Corp フォトレジストの現像方法及び現像装置
JP4853537B2 (ja) * 2009-03-13 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 現像装置、現像方法及び記憶媒体
CN101791604A (zh) * 2010-03-18 2010-08-04 清华大学 基于超声波振动台的液体材料薄膜喷涂装置及方法
US10871720B2 (en) 2014-10-02 2020-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for supporting a semiconductor wafer and method of vibrating a semiconductor wafer

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6113248A (ja) * 1984-06-28 1986-01-21 Toshiba Corp 半導体ウエ−ハ感光膜の現像リンス方法
JPS6292441A (ja) * 1985-10-18 1987-04-27 Sanyo Electric Co Ltd レジスト現像装置
JPS62239532A (ja) * 1986-04-10 1987-10-20 Nec Corp フオトレジストの現像装置
JPS63274146A (ja) * 1987-05-02 1988-11-11 Oki Electric Ind Co Ltd レジストの現像方法及びその装置
US4938994A (en) * 1987-11-23 1990-07-03 Epicor Technology, Inc. Method and apparatus for patch coating printed circuit boards
JPH03212930A (ja) * 1990-01-17 1991-09-18 Mitsubishi Electric Corp レジスト現像装置
JPH05136045A (ja) * 1991-11-14 1993-06-01 Nippon Precision Circuits Kk 現像方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030053376A (ko) * 2001-12-22 2003-06-28 동부전자 주식회사 감광막 제거장치와, 이를 이용하여 웨이퍼 표면의감광막을 제거하는 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JPH09139345A (ja) 1997-05-27
EP0769725A3 (en) 1997-10-15
EP0769725A2 (en) 1997-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950025478A (ko) 현상방법 및 장치
KR970022557A (ko) 포토레지스트 인화 및 현상 시스템 및 방법
KR920016902A (ko) 부틸 부티레이트를 포함하는 유기용매
KR950015549A (ko) 평탄한 기판의 박막 코팅 방법 및 장치
KR900019277A (ko) 압전변환장치 및 발음장치
US5876875A (en) Acoustic wave enhanced developer
JPH0314230A (ja) 半導体ウェーハの洗浄方法及び装置
KR100713398B1 (ko) 음파를 이용한 반도체 웨이퍼의 현상장치
JP2789178B2 (ja) 超音波洗浄装置
JP3288464B2 (ja) 現像残滓の超音波洗浄方法
KR900015271A (ko) 반도체 장치의 세정방법 및 그 세정장치
KR960024677A (ko) 사진 식각 공정의 현상액 도포장치
KR970025857A (ko) 웨이퍼 에지(edge)의 감광막 제거장치
JPH0314221A (ja) 半導体用現像装置
JPS62239532A (ja) フオトレジストの現像装置
KR910010643A (ko) 웨이퍼 세정방법 및 그 장치
KR960012343A (ko) 건식식각공정 중의 식각 잔유물 제거방법 및 그 장치
JPH08160456A (ja) 着色フォトレジストの現像方法及び現像装置
KR970049043A (ko) 감광액도포장치
KR20030053376A (ko) 감광막 제거장치와, 이를 이용하여 웨이퍼 표면의감광막을 제거하는 방법
KR970023811A (ko) 반도체 소자의 포토레지스트 현상 방법
JPS5473036A (en) Developing device of diazo copying machine
KR970052747A (ko) 반도체 소자 제조용 감광막 현상 방법
WO2003010801A1 (fr) Procede et dispositif de developpement
KR980003854A (ko) 반도체소자의 제조방법 및 그에 사용되는 노광장치

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid