KR950025478A - 현상방법 및 장치 - Google Patents

현상방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR950025478A
KR950025478A KR1019950001839A KR19950001839A KR950025478A KR 950025478 A KR950025478 A KR 950025478A KR 1019950001839 A KR1019950001839 A KR 1019950001839A KR 19950001839 A KR19950001839 A KR 19950001839A KR 950025478 A KR950025478 A KR 950025478A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
prewet
developing
solution
supplying
Prior art date
Application number
KR1019950001839A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0150596B1 (ko
Inventor
겐지 스기모토
Original Assignee
이시다 아키라
다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이시다 아키라, 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 filed Critical 이시다 아키라
Publication of KR950025478A publication Critical patent/KR950025478A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0150596B1 publication Critical patent/KR0150596B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

감광성수지막이 형성된 기판표면에 대해 소망패턴을 노광한 후, 현상액의 공급에 앞서서, 프리웨트액 공급노즐 내에 부설된 진동판에 의해 프리웨트액에 초음파진동이 인가되며, 이것이 기판표면에 공급된다. 이 초음파를 인가하는 것에 의해 프리웨트 액이 기판표면에 공급될 때 발생한 수 ㎛정도의 크기의 미소기포를 진동시켜, 프리웨트액의 표면에 부상시켜서 소멸시킨다. 따라서 기판표면은 친수성으로 성질이 변하게 되고, 미소기포가 존재하지 않는 상태로 되어 있다. 그후에 현상액 공급노즐에서 공급되는 현상액을 미소기포에 방해받지 않는 기판표면을 전면에 걸쳐서 균일하게 덮어서 그 결과 현상불균일을 방지할 수 있다.

Description

현상방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예에 관한 회전식 기판현상장치의 평면도.

Claims (12)

  1. 감광성수지막이 형성된 기판표면에 대해 소망패턴을 노광한 후, 프리웨트액과 현상액 등을 순차로 공급하는 것에 의해 기판표면에 상기 패턴을 작성하는 현상방법에 있어서, 감광성수지막이 형성된 기판표면에 대해서 소망패턴이 노광된 상기 기판의 표면에 초음파를 인가한 프리웨트액을 공급하는 프리웨트처리과정과, 상기 프리웨트액의 공급후에 상기 기판표면에 현상액을 공급하는 현상처리과정을 포함하는 현상방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 프리웨트 처리과정은 수평자세로 회전되어 있는 상기 기판표면에, 상기 기판의 상방에서 초음파를 인가한 프리웨트액을 아래로 흘려 공급하는 것에 의해 행해지는 현상방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 프리웨트 처리과정은 수평자세로 정지되어 있고 상기 기판의 표면에, 상기 기판의 상방에서 초음파를 인가한 프리웨트액을 아래로 흘려서 공급하는 것에 의해 행해지는 현상방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 프리웨트 처리공정은 초음파를 인가한 프리웨트액 중에 상기 기판을 침지하는 것에 의해 행해지는 현상방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 프리웨트액은 순수인 현상방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 프리웨트액은 상기 현상액을 희석한 수용액인 현상방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 프리웨트액은 계면활성제를 포함하는 현상방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 현상처리 과정은 프리웨트액의 공급이 종료하기 직전에 개시되며, 상기 현상처리과정과 상기 프리웨트처리과정들이 일부 중복하는 현상방법.
  9. 감광성수지막이 형성된 기판표면에 대해서 소망패턴을 노광한 후, 프리웨트액과 현상액 등을 순차로 공급하는 것에 의해 기판표면에 상기 패턴을 작성하는 현상장치에 있어서, 감광성수지막이 형성된 기판 표면에 대해서 소망패턴이 노광된 기판을 지지하는 기판지지수단과, 상기 기판의 표면에 프리웨트액을 공급하는 프리웨트액 공급수단과, 상기 프리웨트액에 초음파를 인가하는 초음파 인가수단과, 상기기판의 표면에 현상액을 공급하는 현상액 공급수단을 포함하는 현상장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 기판지지수단은 상기 기판을 거의 수평자세로 유지해서 회전구동되는 회전지지기구이고, 상기 프리웨트액 공급수단은 상기 프리웨트액공급노즐에 부설되어 있고, 상기 현상액공급수단은 상기 회전지지기구의 상방에서 상기 기판표면에 현상액을 공급하는 현상액 공급노즐인 현상장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 프리웨트액 공급노즐은 프리웨트액 공급파이프가 연이어 접속되는 통모양의 노즐동부와, 상기 노즐동부의 하단에 연결된 앞이 가는 모양의 노즐선단부로 구성되며, 상기 초음파 인가수단은 압전효과 또는 전기왜곡효과를 가지는 진동판과, 상기 진동판에 접속되어서 고주파 전압을 공급하는 케이블로 구성되며, 상기 진동판은 상기 노즐동부에 연이어 접속되는 프리웨트액 공급파이프의 접속구보다 약간 상위 위치에서 노즐동부를 폐쇄하도록 부착되어 있는 현상장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 진동판의 적어도 프리웨트액을 접촉하는 면에 탄탈이 피착되어 있는 현상장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950001839A 1994-02-17 1995-02-02 현상방법 및 장치 KR0150596B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6045075A JPH07230173A (ja) 1994-02-17 1994-02-17 現像方法及びその装置
JP94-45075 1994-02-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950025478A true KR950025478A (ko) 1995-09-15
KR0150596B1 KR0150596B1 (ko) 1998-10-01

Family

ID=12709223

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950001839A KR0150596B1 (ko) 1994-02-17 1995-02-02 현상방법 및 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5555234A (ko)
JP (1) JPH07230173A (ko)
KR (1) KR0150596B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100768655B1 (ko) * 2006-08-28 2007-10-18 동부일렉트로닉스 주식회사 웨이퍼의 현상 공정을 위한 시스템의 현상액 분사용 노즐어셈블리

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5826129A (en) * 1994-06-30 1998-10-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing system
US5689749A (en) * 1994-08-31 1997-11-18 Tokyo Electron Limited Apparatus for developing a resist-coated substrate
JP3359208B2 (ja) * 1995-11-28 2002-12-24 大日本スクリーン製造株式会社 現像装置
JP3377909B2 (ja) * 1996-02-28 2003-02-17 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP3280883B2 (ja) * 1996-05-08 2002-05-13 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法及び現像処理装置
TW359854B (en) * 1996-06-21 1999-06-01 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus and processing method
US5925260A (en) * 1997-01-02 1999-07-20 Micron Technology, Inc. Removal of polyimide from dies and wafers
US6210050B1 (en) 1998-12-01 2001-04-03 Advanced Micro Devices, Inc. Resist developing method and apparatus with nozzle offset for uniform developer application
JP2001023893A (ja) 1999-07-12 2001-01-26 Nec Corp フォトレジストパターンの形成方法
US6248175B1 (en) 1999-10-29 2001-06-19 Advanced Micro Devices, Inc. Nozzle arm movement for resist development
US6270579B1 (en) 1999-10-29 2001-08-07 Advanced Micro Devices, Inc. Nozzle arm movement for resist development
US6322009B1 (en) 1999-10-29 2001-11-27 Advanced Micro Devices, Inc. Common nozzle for resist development
US6533865B1 (en) 2000-03-08 2003-03-18 Advanced Micro Devices, Inc. Acoustic/ultrasonic agitation to reduce microbubbles in developer
US6951221B2 (en) * 2000-09-22 2005-10-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
GB0026950D0 (en) 2000-11-03 2000-12-20 Eastman Kodak Co Processing photographic material
JP4607521B2 (ja) * 2004-08-25 2011-01-05 コダック株式会社 平版印刷版原版の現像処理方法及び装置
US7255747B2 (en) 2004-12-22 2007-08-14 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with independent stations
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
JP2007071099A (ja) * 2005-09-07 2007-03-22 Alps Electric Co Ltd ダイヤフラムポンプ
US20070059640A1 (en) * 2005-09-15 2007-03-15 Masakazu Sanada Processing method of substrate and processing apparatus of substrate
JP4527037B2 (ja) * 2005-09-15 2010-08-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板の現像処理方法および基板の現像処理装置
US8282999B2 (en) * 2008-04-04 2012-10-09 Micron Technology, Inc. Spin-on film processing using acoustic radiation pressure
US9455139B2 (en) 2009-06-17 2016-09-27 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating
US8962085B2 (en) * 2009-06-17 2015-02-24 Novellus Systems, Inc. Wetting pretreatment for enhanced damascene metal filling
US9677188B2 (en) 2009-06-17 2017-06-13 Novellus Systems, Inc. Electrofill vacuum plating cell
US9138784B1 (en) 2009-12-18 2015-09-22 Novellus Systems, Inc. Deionized water conditioning system and methods
JP5315320B2 (ja) * 2010-11-09 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理装置
US8703403B2 (en) * 2011-12-22 2014-04-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for drying a wafer
US9613833B2 (en) 2013-02-20 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating
US9435049B2 (en) 2013-11-20 2016-09-06 Lam Research Corporation Alkaline pretreatment for electroplating
US9481942B2 (en) 2015-02-03 2016-11-01 Lam Research Corporation Geometry and process optimization for ultra-high RPM plating
US9617648B2 (en) 2015-03-04 2017-04-11 Lam Research Corporation Pretreatment of nickel and cobalt liners for electrodeposition of copper into through silicon vias
US20200141298A1 (en) * 2017-07-07 2020-05-07 Plastic Omnium Advanced Innovation And Research Tank for storing a solution and method for measuring a value in such a tank

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6053305B2 (ja) * 1979-01-17 1985-11-25 松下電器産業株式会社 現像方法
US4326553A (en) * 1980-08-28 1982-04-27 Rca Corporation Megasonic jet cleaner apparatus
JPS57136646A (en) * 1981-02-18 1982-08-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Positive type photoresist developing method
US4544446A (en) * 1984-07-24 1985-10-01 J. T. Baker Chemical Co. VLSI chemical reactor
US4647172A (en) * 1985-05-17 1987-03-03 Gca Corporation Resist development method
JPH0238441A (ja) * 1988-07-28 1990-02-07 Nippon Oil & Fats Co Ltd 熱可塑性樹脂組成物
JP2653511B2 (ja) * 1989-03-30 1997-09-17 株式会社東芝 半導体装置の洗浄方法及びその洗浄装置
JPH069195B2 (ja) * 1989-05-06 1994-02-02 大日本スクリーン製造株式会社 基板の表面処理方法
JPH03136232A (ja) * 1989-08-31 1991-06-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の表面処理装置
JP3002255B2 (ja) * 1990-11-28 2000-01-24 三菱電機株式会社 パターン形成方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100768655B1 (ko) * 2006-08-28 2007-10-18 동부일렉트로닉스 주식회사 웨이퍼의 현상 공정을 위한 시스템의 현상액 분사용 노즐어셈블리

Also Published As

Publication number Publication date
US5555234A (en) 1996-09-10
JPH07230173A (ja) 1995-08-29
KR0150596B1 (ko) 1998-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950025478A (ko) 현상방법 및 장치
KR940015605A (ko) 액정표시소자의 러빙 방법 및 장치
KR970022557A (ko) 포토레지스트 인화 및 현상 시스템 및 방법
US6010255A (en) Acoustic wave enhanced developer
JPH0314230A (ja) 半導体ウェーハの洗浄方法及び装置
JPH1154427A (ja) フォトリソグラフィー工程における現像処理方法
KR100790253B1 (ko) 감광막 현상 장치 및 방법
JP3288464B2 (ja) 現像残滓の超音波洗浄方法
JP2000275870A (ja) 端部塗膜除去装置及びそれを用いた電子写真感光体の製造方法
KR20000042115A (ko) 포토마스킹의 현상 방법 및 그 장치
JPH03212930A (ja) レジスト現像装置
JP2003212293A (ja) タンクの流体表面上の物質を除去するための装置及び方法
JP2692140B2 (ja) 現像方法
KR100713398B1 (ko) 음파를 이용한 반도체 웨이퍼의 현상장치
KR960034207A (ko) 현상기 및 이에 적용되는 현상방법
KR970025857A (ko) 웨이퍼 에지(edge)의 감광막 제거장치
JPS63123465A (ja) 感光性樹脂塗布方法およびその装置
JPH03186851A (ja) フォトレジストの現像方法
KR960024677A (ko) 사진 식각 공정의 현상액 도포장치
JPH10270319A (ja) 液膜形成方法および装置
JPH09201557A (ja) 超音波ノズル
JP2614608B2 (ja) 感光層の端部剥離方法
KR960026082A (ko) 금속시트재의 노광막 제거장치와 제거방법
KR20010048187A (ko) 패턴 현상 장치
JPS63309947A (ja) レジストパタ−ンの現像方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060612

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee