KR970022544A - 3성분계 화학증폭형 포토레지스트 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 원자외선(deep UV) 또는 248nm의 KrF 엑시머 레이저 등 방사선어 감응하는 3성분계 화학증폭형 포토레지스트의 조성물에 관한 것으로 알칼리 가용성 수지, 산에 의해 분해될 수 있는 기를 적어도 2개 이상 갖고 있는 산분해성 용해억제제 그리고 오니움염으로부터 선택된 광산발생제로 조성되어 있다. 본 발명의 3성분계 화학증폭형 레지스트 조성물은 고감도, 양호한 프로파일, 레지스트의 보존 안정성, 내열성이 우수하다.

Description

3성분계 화학증폭형 포토레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (4)

  1. 알칼리 가용성 수지, 용해억제제 및 광산발생제로 이루어진 3성분계 화학증폭형 포토레지스트 조성물에 있어서, 알칼리 가용성 수지 하기의 일반식(I)로 표시되는 방향족 폴리히드록시 화합물의 수산기의 수소 위치에 구조식(Ⅱ)-1, (Ⅱ)-2, (Ⅱ)-3, (Ⅱ)-4로 표시되는 산분해성 화합물을 치환시킨 용해억제제와 일반식(Ⅲ)의 오니움염 광산발생제로 조성된 3성분계 화학증폭형 포토레지스트 조성물.
    여기에서 R1과 R2는 수소, 할로겐, 알킬기 또는 알콕시기를 나타내며 R1과 R2는 각각 독립적이다. a는 1~3의 정수이고, b는 1∼8의 정수이며, c는 1∼12의 정수이다. R3는 알킬기나 에테르, 멜캅토기, 술폭시드기, 술폰기, 아릴기, 히드록시기를 포함하는 알킬기이다.
    여기에서 Ar은 방향족탄화수소기, 할로겐 치환방향족 탄화수소기 중 어느 하나이고, X는 할로겐, 설퍼(S), 셀레니움(Se) 중의 어느 하나이며, Y는 BF4, PF6, AsF6, SbF6또는 CF3S03중의 어느 하나이다.
  2. 제1항에 있어서, 구조식(Ⅱ)-1, (Ⅱ)-2, (Ⅱ)-3, (Ⅱ)-4 중에서 선택된 라디칼이 적어도 2개 이상이 일반식(I)에 도입된 용해억제제를 포함하는 3성분계 화학증폭형 포토레지스트 조성물. 여기에서 일반식(I)에 도입된 라디칼은 서로 같거나 다를 수 있다.
  3. 제1항에 있어서, 알칼리 가용성 수지 100중량부에 대하여 10-40중량부의 용해억제제와 0.5∼30중량부의 광산발생제로 이루어진 3성분계 화학증폭형 포토레지스트 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 알칼리 가용성 수지가 표준 폴리스틸렌 환산 평균 분자량으로 2,000∼20,000인 폴리비닐페놀인 3성분계 화학증폭형 포토레지스트 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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