KR970018097A - 반도체장치의 접촉구 매몰방법 - Google Patents
반도체장치의 접촉구 매몰방법 Download PDFInfo
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Abstract
금속 접촉구를 금속물질로 매몰하기 위한 반도체장치의 접촉구 매몰방법에 대해 기재되어 있다.
이는, 반도체기판 상에 형성된 접촉구에 TiNX으로 구성된 웨팅층을 형성하는 단계 및 웨팅층이 형성된 결과물 상에 배선형성을 위한 금속물질을 증착하여 접촉구를 매몰하는 단계를 포함하여 이루어진다.
따라서, 고단차 접촉구에서도 매몰특성이 양호할 뿐만 아니라, 저항, 신뢰성등에 영향을 미치지 않고 좋은 접촉특성을 얻을 수 있으며, 금속 배선층의 표면막질이 평탄하여, 후속 공정 진행이 용이한 이점이 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제3도는 본 발명에 의한 접촉구 매몰방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.
Claims (5)
- 반도체기판 상에 형성된 접촉구에 TiNχ으로 구성된 웨팅층을 형성하는 단계; 및 상기 웨팅층이 형성된 결과물 상에 배선형성을 위한 금속물질을 증착하여 상기 접촉구를 매몰하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 접촉구 매몰방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속물질을 고진공에서 인-사이튜(in-situ)로 증착시키는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 접촉구 매몰방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 금속물질을 저온 증착 후, 고온 플로우시키는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 접촉구 매몰방법.
- 제1항에 있어서, 상기 TiNχ을 400℃ 이하의 온도에서 1,000Å 이하의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 접촉구 매몰방법.
- 제1항에 있어서, 상기 TiNχ에서 χ의 범위가 0.05∼0.95인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 접촉구 매몰방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950029517A KR970018097A (ko) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 반도체장치의 접촉구 매몰방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950029517A KR970018097A (ko) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 반도체장치의 접촉구 매몰방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018097A true KR970018097A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66597279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950029517A KR970018097A (ko) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 반도체장치의 접촉구 매몰방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018097A (ko) |
-
1995
- 1995-09-11 KR KR1019950029517A patent/KR970018097A/ko not_active Application Discontinuation
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