KR970018068A - 반도체 공정에서의 접촉창 매몰방법 - Google Patents

반도체 공정에서의 접촉창 매몰방법 Download PDF

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KR970018068A
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KR1019950032936A
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박인선
위영진
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 공정에 관한 것으로, 특히 보다 높은 종횡비(ASPECTRATIO)를 갖도록 하기 위한 접촉창 매몰방법에 관한 것으로, 장벽메탈 및 습윤층을 증착하는 제1공정; 및 Al을 상온에서 증착하고, 리플로우하여 접촉창을 매몰시키는 제2공정을 포함하며, 상기 제1공정에서 습윤층은 Si, Ge, 또는 GeSi가 스퍼트방법에 의하여 증착됨을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 접촉창 매몰방법에 의하면, Al과의 습윤성이 우수하면서도 후속 열처리 공정에서 Al과의 반응 생성물이 Al의 녹는점보다 낮아서 Al의 이동도를 떨어뜨리지 않는 습윤층을 사용하여 보다 높은 종횡비를 갖도록 할 수 있다.

Description

반도체 공정에서의 접촉창 매몰방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도에서 제2C도는 본 발명에 의한 접촉창 매몰방법을 설명하기 위한 도면,

Claims (1)

  1. 장벽메탈 및 습윤층을 증착하는 제1공정; 및 Al을 상온에서 증착하고, 리플로우하여 접촉창을 매몰시키는 제2공정을 포함하며, 상기 제1공정에서 습윤층은 Si, Ge, 또는 GeSi가 스퍼트방법에 의하여 증착됨을 톡징으로 하는 접촉창 매몰방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950032936A 1995-09-29 1995-09-29 반도체 공정에서의 접촉창 매몰방법 KR970018068A (ko)

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