KR970052959A - 반도체 공정의 금속 배선층 형성 방법 - Google Patents
반도체 공정의 금속 배선층 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 공정의 금속 배선층 형성 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 금속 배선층 형성 방법은 반도체 기판상의 접촉창에 장벽 금속층을 형성하는 공정과, 상기 장벽 금속층 위에 MA1(M은 고융점 금속)으로 이루어지는 습윤층을 상온 또는 상온 이하에서 증착하는 단계와, 상기 습윤층 위에 Al막을 리플로우하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 금속 배선층을 형성하는 데 있어서 접촉창 내부에서 Al막의 하지막으로서 비정질 형상을 갖는 MAl막을 증착함으로써, Al막을 연속적으로 증착시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 반도체 공정의 금속 배선층 형성방법을 설명하기 위한 도면이다.
Claims (4)
- 반도체 공정의 금속 배선층 형성 방법에 있어서, 반도체 기판상의 접촉창에 장벽 금속층을 형성하는 단계와, 상기 결과물을 열처리하는 단계와, 상기 장벽 금속층 위에 MAl(M은 고융점 금속)으로 이루어지는 습윤층을 상온 또는 상온 이하에서 증착하는 단계와, 상기 습윤층 위에 Al막을 리플로우하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 배선층 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 습윤층을 증착하는 단계는 Al 내측 타겟과 고융점 금속의 외측 타겟을 이용하고, 그 전력 비(power ratio)를 조절함으로써 Al과 고융점 금속의 조성비를 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 배선층 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 습윤층을 증착하는 단계는 Ta와 Al과의 합금 상태인 복합 타겟(composite target)으로 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 배선층 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 고융점 금속은 Ti, Ta, Zr 또는 W인 것을 특징으로 하는 금속 배선층 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950066952A KR970052959A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 공정의 금속 배선층 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019950066952A KR970052959A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 공정의 금속 배선층 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052959A true KR970052959A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66637378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019950066952A KR970052959A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 공정의 금속 배선층 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052959A (ko) |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950066952A patent/KR970052959A/ko not_active Application Discontinuation
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