KR970017636A - 저전압 반도체 메모리 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 저전압 반도체 메모리 장치에 관한 것으로서, 특히 워드라인 구동신호에 응답하여 셀과 제1비트라인을 연결하는 스위칭 트랜지스터; 제1비트라인과 제2비트라인의 사이에 연결되어 비트라인 등화신호에 응답하여 제1 및 제2비트라인을 소정의 등화전압 레벨로 등화시키는 등화수단; 제1비트라인과 제2비트라인의 사이에 연결되어 제1비트라인에 전개된 셀데이타를 센싱하기 위한 센스증폭수단; 및 인에이블시에는 상기 센스증폭 수단에 전원전압과 접지전압을 공급하고 디스에이블시에는 등화 인에이블시에 접지전압 디스에이블이 전원전압 디스에이블보다 소정 시간 지연되도록 공급하여 상기 제1 및 제2비트라인을 1/2전원전압을 보다 낮은 레벨로 프리차지되도록 하는 센스전원전압 공급수단을 구비한 것을 특징으로 한다.
따라서. 본 발명에서는 비트라인의 프리차지전압 레벨을 1/2전원전압 레벨 보다도 낮게 할 수 있어서 다음 사이클의 데이타 “1” 동작 특성을 저전압에서 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 저전압 반도체 메모리 장치의 코아부의 회로구성을 설명하기 위한 회로도.
Claims (1)
- 워드라인 구동신호에 응답하여 셀과 제1비트라인을 연결하는 스위칭 트랜지스터, 제1비트라인과 제2비트라인의 사이에 연결되어 비트라인 등화신호에 응답하여 제1 및 제2비트라인을 소정의 등화전압 레벨로 등화시키는 등화수단; 제1비트라인과 제2비트라인의 사이에 연결되어 제1비트라인에 전개된 셀데이타를 센싱하기 위한 센스증폭수단; 및 인에이블시에는 상기 센스증폭수단에 전원전압과 접지전압을 공급하고 디스에이블시에는 등화 인에이블시에 접지전압 디스에이블이 전원전압 디스에이블보다 소정 시간 지연되도록 공급하여 상기 제1 및 제2비트라인을 1/2전원전압보다 낮은 레벨로 프리 차지되도록 하는 센스전원전압 공급수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 저전압 반도체 메모리 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950030042A KR970017636A (ko) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 저전압 반도체 메모리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950030042A KR970017636A (ko) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 저전압 반도체 메모리 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970017636A true KR970017636A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66615679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950030042A KR970017636A (ko) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | 저전압 반도체 메모리 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970017636A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100483026B1 (ko) * | 2002-07-11 | 2005-04-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 |
-
1995
- 1995-09-14 KR KR1019950030042A patent/KR970017636A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100483026B1 (ko) * | 2002-07-11 | 2005-04-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 |
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| WITN | Withdrawal due to no request for examination |