KR970017642A - 비트라인 프리차아지 회로 - Google Patents
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- G11C16/28—Sensing or reading circuits; Data output circuits using differential sensing or reference cells, e.g. dummy cells
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Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
비트라인의 방전상태에서 차아지되는데 걸리는 시간을 단출시킬 수 있는 반도체 메모리 장치를 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
데이타를 독출할 수 있는 복수개의 메모리 트랜지스터와 상기 메모리 트랜지스터를 선택하기 위한 스트링 선택 트랜지스터로 구성된 메모리 셀 어레이와 접속된 비트라인과 전원전압사이에 접속되어 외부의 기준전압에 응답하여 상기 비트라인을 프리차아지시키기 위한 제1트랜지스터와, 상기 메모리 셀 어레이의 온셀전류의 약 절반값을 갖는 더미 셀 어레이와 접속된 더미라인과 전원전압사이에 접속되어 상기 더미라인을 프리차아지시키기 위한 제2트랜지스터를 구비한다.
4. 발명의 중요한 용도
고속동작을 요구하는 반도체 메모리 장치에 적합하게 사용된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 기술에 따라 비트라인을 충·방전시키기 위한 프리차아지 회로도,
제4도는 제3도의 타이밍도.
Claims (4)
- 데이타를 독출할 수 있는 복수개의 메모리 트랜지스터와 상기 메모리 트랜지스터를 선택하기 위한 스트링 선택 트랜지스터로 구성된 메모리 셀 어레이 및 상기 메모리 셀 어레이의 온 셀전류의 약 절반값을 갖는 더미 셀 어레이의 전류값에 따라 정해지는 상기 메모리 셀 어레이의 비트라인과 상기 더미 셀 어레이의 더미 라인의 전압 차이를 감지하여 증폭시키는 감지 증폭기를 가지는 반도체 메모리 장치에 있어서 : 외부의 기준전압을 수신하는 게이트단자를 가지며 전원전압과 상기 비트라인사이에 드레인-소오스간의 채널이 직렬로 접속되어 상기 비트라인을 통해 데이타를 독출하기전에 프리차아지시키기 위한 제1트랜지스터와, 상기 기준전압을 수신하는 게이트단자를 가지며 전원전압과 상기 더미 라인사이에 드레인-소오스간의 채널이 직렬로 접속되어 상기 더미라인을 프리차아지시키기 위한 제2트랜지스터를 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1,2트랜지스터는 피채널 모오스 트랜지스터 또는 엔채널 모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 기준전압은 어드레스의 천이를 감지하여 상기 기준전압을 출력하는 어드레스 천이 감지기로부터 발생됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1, 2트랜지스터로 비트라인 및 더미라인을 프리차아지 할때 메모리 쎌 어레이의 스트링 선택 트랜지스터와 상기 더미 셀 어레이가 낸드구조로 직렬 접속된 트랜지스터들 중 적어도 어느 한개의 트랜지스터를 제어하는 제어신호가 상기 어드레서 천이 감지기의 제어를 받아 한 사이클내에서 일정구간만 펄스로 동작되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950030756A KR0154742B1 (ko) | 1995-09-19 | 1995-09-19 | 비트라인 프리차아지 회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950030756A KR0154742B1 (ko) | 1995-09-19 | 1995-09-19 | 비트라인 프리차아지 회로 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970017642A true KR970017642A (ko) | 1997-04-30 |
| KR0154742B1 KR0154742B1 (ko) | 1998-12-01 |
Family
ID=19427264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950030756A KR0154742B1 (ko) | 1995-09-19 | 1995-09-19 | 비트라인 프리차아지 회로 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0154742B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100365644B1 (ko) * | 2000-06-28 | 2002-12-26 | 삼성전자 주식회사 | 멀티비트 불휘발성 메모리 장치 |
-
1995
- 1995-09-19 KR KR1019950030756A patent/KR0154742B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100365644B1 (ko) * | 2000-06-28 | 2002-12-26 | 삼성전자 주식회사 | 멀티비트 불휘발성 메모리 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0154742B1 (ko) | 1998-12-01 |
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