KR970003218A - 센싱동작이 효율적으로 이루어지는 반도체 메모리장치 - Google Patents

센싱동작이 효율적으로 이루어지는 반도체 메모리장치 Download PDF

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KR970003218A
KR970003218A KR1019950016174A KR19950016174A KR970003218A KR 970003218 A KR970003218 A KR 970003218A KR 1019950016174 A KR1019950016174 A KR 1019950016174A KR 19950016174 A KR19950016174 A KR 19950016174A KR 970003218 A KR970003218 A KR 970003218A
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Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야
격리제어신호에 응답하여 센싱동작이 효율적으로 이루어지도록 하는 반도체 메모리 장치에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
고속으로 센싱동작을 수행하는 반도체 메모리장치를 제공함에 있다.
3, 발명의 해결방법의 요지
다수의 메모리셀과, 다수의 비트라인쌍과, 스탠바이동작시 비트라인쌍을 소정전압레베로 프리차아지 및 등화하는 프리차아지 및 동화회로와 엑세스동작시 낮은 전압레벨의 비트라인을 접지전압레벨로 방전하는 엔형센스앰프와, 엑세스동작시 높은 전압레벨의 비트라인을 전원전압레벨로 충전하는 피형센스앰프회로와, 비트라인쌍상에 형성되고 엑세스동작시 엑세스동작의 소정시간동안 디스에이블되는 신호를 칩외부에서 전달받아 비트라인의 로딩이 분산되도록 하는 격리제어신호가 입력되는 격리트랜지스터를 구비하는 것을 요지로 한다.
4. 발명의 중요한 용도
고속으로 센싱동작을 수행하는 반도체 메모리장치에 적합하다.

Description

센싱동작이 효율적으로 이루어지는 반도체 메모리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 센스앰프회로를 포함하는 반도체 메모리장치의 코아부구성을 보여주는 회로도.

Claims (4)

  1. 다수의 메모리셀과, 다수의 비트라인쌍과, 스탠바이동작시 비트라인쌍을 소정전압레벨로 프리차아지 및 등화하는 프리차아지 및 동화회로와 엑세스동작시 낮은 전압레벨의 비트라인을 접지전압레벨로 방전하는 엔형센스앰프와, 엑세스동작시 높은 전압레벨의 비트라인을 전원전압레벨로 충전하는 피형센스앰프회로를 구비하는 반도체 메모리 장치에 있어서, 비트라인쌍상에 형성되고 엑세스동작시 상기 격리트랜지스터로 입력되는 격리제어신호를 엑세스동작의 소정시간동안 디스에이블시켜 비트라인을 격리시키므로써 비트라인의 로딩을 분산시키는 격리트랜지스터를 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 격리제어신호가 칩외부에서 전답되는 제어신호에 응답하여 발생되고 소정폭을 지니는 펄스신호임을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 소정시간이 비트라인과 메모리셀간의 차아지세어링 동작을 보장하는데 걸리는 시간임을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 소정시간이 수 나노초임을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950016174A 1995-06-17 1995-06-17 센싱동작이 효율적으로 이루어지는 반도체 메모리장치 KR0164804B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100365428B1 (ko) * 1999-06-30 2002-12-18 주식회사 하이닉스반도체 데이타 버스라인 센스 앰프

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