KR970013211A - 고집적 반도체 소자의 배선층 - Google Patents

고집적 반도체 소자의 배선층 Download PDF

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KR970013211A KR1019950024707A KR19950024707A KR970013211A KR 970013211 A KR970013211 A KR 970013211A KR 1019950024707 A KR1019950024707 A KR 1019950024707A KR 19950024707 A KR19950024707 A KR 19950024707A KR 970013211 A KR970013211 A KR 970013211A
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Abstract

2회 이상의 열처리를 받는 절연층 위에 형성되는 도전층인 비트라인 패턴의 쉬프트를 방지하는 배선층의 레이아웃에 관한 발명을 개시한 것으로, 제1도전층, 절연층 및 제2도전층이 순차적으로 형성된 반도체장치는, 상기 제1도전층의 에지와 상기 제2도전층의 에지가 상기 제1 및 제2도전층의 신장방향과 수직인 방향으로 소정거리 이격되어 있어, 상기 절연층이 후속 열치리에 의해 리플로우되어도 제2도전층 패턴의 쉬프트가 생기지 않는다.

Description

고집적 반도체 소자의 배선층
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 배선층패턴의 제1실시예를 나타낸다.

Claims (8)

  1. 제1도전층, 절연층 및 제2도전층이 순차적으로 형성된 반도체장치에 있어서, 상기 제1도전층의 에지와 상기 제2도전층의 에지가 상기 제1 및 제2도전층의 신장방향과 수직인 방향으로 소정거리 이격되어 있음을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선층.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2도전층의 배선이, 상기 제1도전층 배선 중앙부분에 대칭적으로 배치되어 있음을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선층.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2도전층 배선이, 상기 제1도전층 배선이 형성되지 않고 평탄화된 상기 절연층 위에 배치되어 있음을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선층.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1도전층 배선과 동일평면에 상기 제2도전층 배선을 중심으로 상기 제1도전층과 대칭하는 제3도전층 배선을 배치함을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선층.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 및 제3도전층 배선의 예지와 상기 제2도전층 배선의 예지가 소정거리 이격되어 있음을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선층.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제1 및 제3도전층 배선의 예지와 상기 제2도전층 배선의 예지가 접하고 있음을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선층.
  7. 제1항 내지 제4항의 어느 한 항에 있어서, 상기 제1도전층은 게이트패턴이고, 상기 제2도전층은 비트라인 패턴임을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선층.
  8. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 제1 및 제3도전층은 게이트패턴이고, 상기 제2도전층은 비트라인패턴임을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선층.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100243290B1 (ko) * 1997-03-31 2000-03-02 윤종용 배선층의 이동을 방지할 수 있는 구조의 반도체장치

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