KR970012786A - 다중 비트 테스트를 위한 패턴 발생기를 가지는 메모리 테스트 시스템 - Google Patents
다중 비트 테스트를 위한 패턴 발생기를 가지는 메모리 테스트 시스템 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970012786A KR970012786A KR1019950028409A KR19950028409A KR970012786A KR 970012786 A KR970012786 A KR 970012786A KR 1019950028409 A KR1019950028409 A KR 1019950028409A KR 19950028409 A KR19950028409 A KR 19950028409A KR 970012786 A KR970012786 A KR 970012786A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- data
- memory
- test
- output
- generating means
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
반도체 메모리 장치의 메모리셀 테스트 시스템에 관한 것으로, 특히 반도체 메모리 장치의 다중 비트 테스트를 위한 패턴 발생기에 관한 것이다. 상기의 패턴 발생기는 테스트할 대상의 메모리에 어드레스를 공급하는 어드레스 발생기와, 상기 메모리에 테스트 데이타를 공급하는 데이타 발생기와, 상기 메모리에 기록 및 독출에 관련된 제어 신호를 발생하는 클럭 발생기와, 상기 어드레스 발생기와 데이타발생기와 클럭 발생수단을 제어하는 제어회로와, 상기 메모리의 출력과 기준 데이타를 비교하여 상기 메모리의 불량을 검출하는 논리 비교기로 구성된 회로에 상기 피시험 메모리의 다중 비트를 테스트시에 피시험 메모리에 공급되는 테스트 데이타와 상보적인 레벨을 갖는 기준 데이타를 발생하는 논리회로를 더 포함하여 구성된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 패턴 발생기를 가지는 메모리 테스트 시스템의 일실시예를 보여 주는 블럭도.
Claims (5)
- 피시험 메모리에 데이타를 기록하고 독출하여 메모리셀의 이상 여부를 테스트하는 반도체 메모리 테스트 시스템에 있어서, 상기 피시험 메모리내의 메모리셀을 지정하기 위한 어드레스 신호를 발생하는 어드레스 발생 수단과, 테스트 패턴 데이타를 순차적으로 발생하여 상기 피시험 메모리에 공급하는 데이타 발생수단과, 상기 피시험 메모리에 데이타의 기록 및 독출에 관련된 제어신호를 출력하여 상기 발생된 어드레스 신호에 대응하는 저장영역에 상기 발생된 데이타를 기록하고 독출하는 피시험 메모리 제어수단과, 상기 어드레스 발생수단과 데이타 발생 수단 및 피시험 메모리 제어수단을 제어하는 제어수단과, 다중 비트 테스트시 활성화되는 제어신호에 응답하여 상기 피시험 메모리에 공급되는 데이타와 상보된 데이타를 발생하는 기대 데이타 발생수단과, 상기 피시험 메모리로부터 출력되는 데이타와 상기 발생된 기대 데이타를 비교하여 상기 피시험 메모리내의 메모리셀의 불량을 검출하는 비교수단으로 구성함을 특징으로 하는 다중 비트 테스트를 위한 패턴 발생기를 가지는 메모리 테스트 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 데이타 발생수단은 상기 제어수단의 출력노드에 접속되어 테스트 패턴 데이타를 순차적으로 발생하는 데이타 발생수단과, 상기 어드레스 발생수단의 출력에 응답하여 메모리셀의 위상에 따른 데이타를 발생하는 데이타 메모리와, 상기 데이타 발생수단의 출력노드와 상기 데이타 메모리의 출력노드들로 부터 출력되는 데이타중 적어도 하나의 데이타를 선택하여 상기 피시험 메모리에 공급하는 데이타선택수단으로 구성함을 특징으로 하는 다중 비트 테스트를 위한 패턴 발생기를 가지는 메모리 테스트 시스템.
- 제2항에 있어서, 상기 기대 데이타 발생수단은 다중 비트 테스트시 활성화되는 제어신호와 상기 데이타선택수단의 출력을 논리 조합하여 상기 피시험 메모리에 공급되는 데이타와 상보적인 레벨을 갖는 기대 데이타를 상기 비교수단의 기준데이타로서 공급하는 논리합 게이트임을 특징으로 하는 다중 비트 테스트를 위한 패턴발생기를 가지는 메모리 테스트 시스템.
- 제2항에 있어서, 상기 기대 데이타 발생수단은 상기 데이타 발생수단과 상기 데이타 메모리로부터 각각 출력되는 데이타를 배타적 논리함하여 출력하는 제1배타적 논리합 게이트와, 상기 제1배타적 논리합 게이트의 출력과 다중 비트 데스트시 활성화되는 제1제어신호를 비교하여 상기 데이타선택수단의 출력과 상보적인 데이타를 발생하는 제2배타적 논리합 게이트 및, 상기 제2배타적 논리합 게이트의 출력과 상기 데이타 선택수단의 출력을 배타적 논리합하여 기준 데이타를 상기 비교수단으로 제공하는 제3배타적 논리합 게이트로 구성함을 특징으로 하는 다중 비트 테스트를 위한 패턴 발생기를 가지는 메모리 테스트 시스템.
- 반도체 메모리 테스트 시스템에 있어서, 테스트 대상 메모리에 어드레스를 공급하는 어드레스 발생기와, 상기 메모리에 테스트 데이타를 공급하는 데이타 발생 수단과, 상기 메모리에 메모리 제어 신호를 발생하는 클럭 발생수단과, 상기 어드레스 발생기와 데이타 발생 수단돠 클럭 발생수단을 제어하는 제어수단과, 상기 메모리의 출력과 기준 데이타를 비교하여 상기 메모리의 불량을 검출하는 논리 비교기와, 다중 비트 테스트시 활성화되는 제어신호와 상기 데이타 발생 수단의 출력에 응답하여 상기 메모리에 공급되는 테스트 데이타와 상보적인 관계를 갖는 기준 데이타를 상기 비교기에 공급하는 논리회로로 구성함을 특징으로 하는 다중 비트 테스트를 위한 패턴 발생기를 가지는 메모리 테스트 시스템.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950028409A KR0167677B1 (ko) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | 다중 비트 테스트를 위한 패턴 발생기를 가지는 메모리 테스트 시스템 |
US08/702,929 US5659549A (en) | 1995-08-31 | 1996-08-26 | Memory test system having a pattern generator for a multi-bit test |
JP23234396A JP3811528B2 (ja) | 1995-08-31 | 1996-09-02 | 多重ビットテスト用のメモリテストシステム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950028409A KR0167677B1 (ko) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | 다중 비트 테스트를 위한 패턴 발생기를 가지는 메모리 테스트 시스템 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970012786A true KR970012786A (ko) | 1997-03-29 |
KR0167677B1 KR0167677B1 (ko) | 1999-02-01 |
Family
ID=19425751
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950028409A KR0167677B1 (ko) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | 다중 비트 테스트를 위한 패턴 발생기를 가지는 메모리 테스트 시스템 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5659549A (ko) |
JP (1) | JP3811528B2 (ko) |
KR (1) | KR0167677B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990082686A (ko) * | 1998-04-20 | 1999-11-25 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | 메모리테스트장치및메모리테스트방법 |
KR100384890B1 (ko) * | 2000-12-27 | 2003-05-22 | 한국전자통신연구원 | 반도체소자 회로내부의 메모리를 그 외부에서 자동으로시험하는데 사용하는 시험장치 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5742513A (en) * | 1996-05-15 | 1998-04-21 | Abb Power T&D Company Inc. | Methods and systems for automatic testing of a relay |
US5940874A (en) * | 1996-08-16 | 1999-08-17 | Hughes Electronics Corporation | Memory device speed tester |
US6243779B1 (en) * | 1996-11-21 | 2001-06-05 | Integrated Device Technology, Inc. | Noise reduction system and method for reducing switching noise in an interface to a large width bus |
US6324657B1 (en) * | 1998-06-11 | 2001-11-27 | Micron Technology, Inc. | On-clip testing circuit and method for improving testing of integrated circuits |
DK2130554T3 (da) * | 1999-02-22 | 2012-12-03 | Univ Connecticut | Albuminfrie faktor VIII-præparater |
KR100435215B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2004-06-09 | 삼성전자주식회사 | 버스 인코딩/디코딩 장치 및 그 방법 |
US6539508B1 (en) | 2000-03-15 | 2003-03-25 | Xilinx, Inc. | Methods and circuits for testing programmable logic |
DE10025561A1 (de) | 2000-05-24 | 2001-12-06 | Siemens Ag | Energieautarker Hochfrequenzsender |
KR100421955B1 (ko) * | 2001-08-31 | 2004-03-11 | 엘지전자 주식회사 | 램테스팅 장치 |
JP2004185691A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-07-02 | Nec Electronics Corp | 半導体記憶装置のテスト方法、半導体記憶装置のテスト回路、半導体記憶装置及び半導体装置 |
US7075822B2 (en) * | 2002-12-31 | 2006-07-11 | Intel Corporation | High bandwidth datapath load and test of multi-level memory cells |
US8949694B2 (en) * | 2011-09-23 | 2015-02-03 | International Business Machines Corporation | Address error detection |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2527935B2 (ja) * | 1986-05-19 | 1996-08-28 | 株式会社 アドバンテスト | 半導体メモリ試験装置 |
-
1995
- 1995-08-31 KR KR1019950028409A patent/KR0167677B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-08-26 US US08/702,929 patent/US5659549A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-09-02 JP JP23234396A patent/JP3811528B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990082686A (ko) * | 1998-04-20 | 1999-11-25 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | 메모리테스트장치및메모리테스트방법 |
KR100384890B1 (ko) * | 2000-12-27 | 2003-05-22 | 한국전자통신연구원 | 반도체소자 회로내부의 메모리를 그 외부에서 자동으로시험하는데 사용하는 시험장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3811528B2 (ja) | 2006-08-23 |
US5659549A (en) | 1997-08-19 |
KR0167677B1 (ko) | 1999-02-01 |
JPH09128997A (ja) | 1997-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5153880A (en) | Field-programmable redundancy apparatus for memory arrays | |
US5161157A (en) | Field-programmable redundancy apparatus for memory arrays | |
US7366965B2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
US5604756A (en) | Testing device for concurrently testing a plurality of semiconductor memories | |
KR100679586B1 (ko) | 모니터및테스터모드를가진내장자가테스트회로를구비한집적회로메모리장치 | |
KR970012786A (ko) | 다중 비트 테스트를 위한 패턴 발생기를 가지는 메모리 테스트 시스템 | |
US5875153A (en) | Internal/external clock option for built-in self test | |
JP3804733B2 (ja) | ストレス用電圧を用いてメモリをテストする機能を有する集積回路 | |
JP3267981B2 (ja) | メモリ試験装置及びこの試験装置をram試験モードとrom試験モードとに切り替える方法 | |
KR970023464A (ko) | 테스트 회로가 설치된 반도체 메모리 | |
JP2001014892A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US5917833A (en) | Testing apparatus for semiconductor device | |
TW343282B (en) | Testing device for a semiconductor device | |
US20040145933A1 (en) | Semiconductor memory test apparatus and method for address generation for defect analysis | |
KR970051423A (ko) | 반도체 메모리의 셀프 번인(Burn-in)회로 | |
KR19990002764A (ko) | 메모리 로직 복합 반도체 장치 및 그 메모리 테스트 방법 | |
KR940006149A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
US5757815A (en) | Semiconductor memory test system | |
KR20010014986A (ko) | 반도체 기억 장치 및 번인 테스트 방법 | |
KR970017693A (ko) | 테스트 회로 | |
KR950006872A (ko) | 반도체 기억장치 및 그 시험방법 | |
KR100579049B1 (ko) | 메모리 테스트 장치 및 이를 수행하는 방법 | |
JP2820991B2 (ja) | メモリ試験装置 | |
KR100343079B1 (ko) | 테스트 모드를 갖는 반도체 기억 장치 | |
KR100238933B1 (ko) | 시험 패턴 발생기 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080904 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |