KR970012713A - 반도체 메모리 장치의 입출력 로드 트랜지스터 바이아스 회로 - Google Patents
반도체 메모리 장치의 입출력 로드 트랜지스터 바이아스 회로 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970012713A KR970012713A KR1019950026190A KR19950026190A KR970012713A KR 970012713 A KR970012713 A KR 970012713A KR 1019950026190 A KR1019950026190 A KR 1019950026190A KR 19950026190 A KR19950026190 A KR 19950026190A KR 970012713 A KR970012713 A KR 970012713A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- load transistor
- input
- current
- transistor
- load
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C2207/06—Sense amplifier related aspects
- G11C2207/063—Current sense amplifiers
Landscapes
- Dram (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야
본 발명은 반도체 메모리 장치의 전류센스앰프에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 종래의 전류 센스 앰프의 로드 트랜지스터가 내부전원전압레벨 또는 접지전압응의 일정한 전압레벨로 바이아스되던 것을 상기 로드 트랜지스터에 별도의 바이아스 회로가 연결되어 입출력라인쌍의 레벨 변화에 따른 로드전류의 변화를 줄여 안정된 센싱을 하도록 하는 입출력 로드 트랜지스터 바이아스 회로를 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 입출력라인쌍간의 전류차를 센싱하여 전압레벨차이로 변환하는 전류센스앰프와 상기 전류센스앰프의 제1 및 제2로드 트랜지스터에 바이아스를 공급하기 위한 반도체 메모리 장치의 입출력 로드 트랜지스터 바이아스 회로에 있어서, 외부에서 입력되는 바이아스 활성화신호를 입력으로 하고 상기 제1로드 트랜지스터를 활성화시키기 위한 제1인버터와, 상기 입출력라인쌍중 상기 제2로드 트랜지스터가 접속된 입출력라인에 직렬로 다이오드접속되어 상기 제1로드 트랜지스터의 게이트로 전류를 공급하여 상기 제2로드 트랜지스터와의 전류차를 감소시키는 제1엔모오스 트랜지스터와, 외부에서 입력되는 바이아스 활성화신호를 입력으로 하고 상기 제2로드 트랜지스터를 활성화시키기 위한 제2인버터와, 상기 입출력라인쌍중 상기 제1로드 트랜지스터가 접속된 입출력라인에 직렬로 다이오드접속되어 상기 제1로드 트랜지스터의 게이트로 전류를 공급하여 상기 제1로드 트랜지스터와의 전류차를 감소시키는 제2엔모오스 트랜지스터를 포함한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 메모리 장치의 전류센스앰프에 적합하게 사용된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 전류 센스 앰프의 입출력 로드 트랜지스터 바이아스 회로의 구체적인 회로도.
Claims (3)
- 입출력라인쌍간의 전류차를 센싱하여 전압레벨차이로 변환하는 전류센스앰프와 상기 전류센스앰프의 제1 및 제2로드 트랜지스터에 바이아스를 공급하기 위한 반도체 메모리 장치의 입출력 로드 트랜지스터 바이아스 회로에 있어서, 외부에서 입력되는 바이아스 활성화신호를 입력으로 하고 상기 제1로드 트랜지스터를 활성화시키기 위한 제1인버터와, 상기 입출력라인쌍중 상기 제2로드 트랜지스터가 접속된 입출력라인에 직렬로 다이오드접속되어 상기 제1로드 트랜지스터의 게이트로 전류를 공급하여 상기 제2로드 트랜지스터와의 전류차를 감소시키는 제1엔모오스 트랜지스터와, 외부에서 입력되는 바이아스 활성화신호를 입력으로 하고 상기 제2로드 트랜지스터를 활성화시키기 위한 제2인버터와, 상기 입출력라인쌍중 상기 제1로드 트랜지스터가 접속된 입출력 라인에 직렬로 다이오드접속되어 상기 제1로드 트랜지스터의 게이트로 전류를 공급하여 상기 제1로드 트랜지스터와의 전류차를 감소시키는 제2엔모오스 트랜지스터를 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 입출력 로드 트랜지스터 바이아스 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 제1엔모오스 트랜지스터가 한개 이상의 다이오드 접속으로 구성함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 입출력 로드 트랜지스터 바이아스 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 제2엔모오스 트랜지스터가 한개 이상의 다이오드 접속으로 구성함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 입출력 로드 트랜지스터 바이아스 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950026190A KR0154746B1 (ko) | 1995-08-23 | 1995-08-23 | 반도체 메모리장치의 입출력 로드 트랜지스터 바이아스 회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950026190A KR0154746B1 (ko) | 1995-08-23 | 1995-08-23 | 반도체 메모리장치의 입출력 로드 트랜지스터 바이아스 회로 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970012713A true KR970012713A (ko) | 1997-03-29 |
| KR0154746B1 KR0154746B1 (ko) | 1998-12-01 |
Family
ID=19424273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950026190A KR0154746B1 (ko) | 1995-08-23 | 1995-08-23 | 반도체 메모리장치의 입출력 로드 트랜지스터 바이아스 회로 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0154746B1 (ko) |
-
1995
- 1995-08-23 KR KR1019950026190A patent/KR0154746B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0154746B1 (ko) | 1998-12-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR930005187A (ko) | 전기적으로 프로그램 할 수 있는 내부 전원 발생 회로 | |
| KR900013380A (ko) | 전압 제어회로 | |
| KR900002566A (ko) | 버퍼회로 | |
| KR960032900A (ko) | 반도체 집적회로용 입력 버퍼 회로 | |
| KR950015379A (ko) | 반도체 메모리장치의 안정된 파워-온을 위한 스타트-엎회로 | |
| KR920020717A (ko) | 기판 바이어스 전압 발생 회로 | |
| KR860007753A (ko) | 반도체 집전회로 | |
| KR930003147A (ko) | 반도체 메모리 장치의 센프앰프 제어회로 | |
| KR940020189A (ko) | 캐스코드 전류 미러가 포함된 집적 회로 | |
| KR920018758A (ko) | 집적 반도체 회로 | |
| KR940024629A (ko) | 통신회로시스템 | |
| KR970029739A (ko) | 반도체 전위 공급 장치 및 이를 이용한 반도체 기억 장치 | |
| KR960043522A (ko) | 전원변동에 안정된 반도체 메모리 장치 | |
| KR970007378A (ko) | 반도체 메모리 장치의 전원 전압 검출 회로 | |
| KR970012713A (ko) | 반도체 메모리 장치의 입출력 로드 트랜지스터 바이아스 회로 | |
| KR960039634A (ko) | 저전원전압 반도체 장치의 입력버퍼 | |
| KR970017589A (ko) | 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 발생회로 | |
| KR950015377A (ko) | 어드레스 천이 검출회로 | |
| KR950012459A (ko) | 다(多)비트 출력 메모리 회로용 출력 회로 | |
| KR870000804A (ko) | Cmos파워-온 검출회로 | |
| KR960002755A (ko) | 반도체 집적장치의 전원전압 변환회로 | |
| KR880004655A (ko) | 전송 게이트 회로 | |
| KR970051078A (ko) | 반도체 메모리 장치내의 외부입력신호 검출회로 | |
| KR980004936A (ko) | 반도체 메모리 장치의 내부 전압 발생기 | |
| KR970012688A (ko) | 래치업 방지를 위한 반도체 메모리 장치의 전원전압 제어회로 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090615 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |