KR970011622B1 - 다층 리드프레임용 플레인 지지체 - Google Patents

다층 리드프레임용 플레인 지지체 Download PDF

Info

Publication number
KR970011622B1
KR970011622B1 KR1019930013644A KR930013644A KR970011622B1 KR 970011622 B1 KR970011622 B1 KR 970011622B1 KR 1019930013644 A KR1019930013644 A KR 1019930013644A KR 930013644 A KR930013644 A KR 930013644A KR 970011622 B1 KR970011622 B1 KR 970011622B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
support
plane
lead frame
power plane
power
Prior art date
Application number
KR1019930013644A
Other languages
English (en)
Other versions
KR940003006A (ko
Inventor
히로후미 후지이
요시끼 다께다
미쓰하루 시미즈
Original Assignee
신꼬오 덴기 고오교오 가부시끼가이샤
이노우에 사다오
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 신꼬오 덴기 고오교오 가부시끼가이샤, 이노우에 사다오 filed Critical 신꼬오 덴기 고오교오 가부시끼가이샤
Publication of KR940003006A publication Critical patent/KR940003006A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR970011622B1 publication Critical patent/KR970011622B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49534—Multi-layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H01L23/49527—Additional leads the additional leads being a multilayer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

내용 없음

Description

다층 리드프레임용 플레인 지지체
제1도는 전원플레인 지지체의 일실시예를 나타낸 설명도.
제2도는 접지플레인 지지체의 일실시예를 나타낸 설명도.
제3도는 리드프레임 지지체의 일실시예를 나타낸 설명도.
제4도는 서포트바아부분의 절리부를 확대하여 나타낸 설명도.
제5도는 섹션바아부분의 절리부를 확대하여 나타낸 설명도.
제6도는 리드프레임 지지체에 전원플레인 지지체, 접지플레인 지지체를 접합한 상태의 설명도.
제7도는 리드프레임 지지체에 전원플레인 지지체, 접지플레인 지지체를 접합한 상태의 단면도.
제8도는 다층 리드프레임의 구성을 나타낸 단면도.
본 발명은 다층 리드프레임의 제조에 사용되는 다층 리드프레임용 플레인에 관한 것이다.
다층 리드프레임은 제8도에 나타낸 것과 같이 리드프레임(2)과는 별개층에 전원플레인(3), 접지플레인(4) 등을 설비한 것이며 폴리이미드등의 전기적 절연층(5)을 층간에 삽입하여 형성한다. 전기적 절연층(5)은 리드프레임(2), 전원플레인(3), 접지플레인(4)의 각층을 전기적으로 절연하는 동시에 각 플레인을 서로 접합하여 다층의 리드프레임을 일체화하는 작용을 갖고 있다.
제8도에 나타낸 다층 리드프레임은 3층 구조로 된 다층 리드프레임이지만 다층 리드프레임에는 접지층 또는 전원층을 1층 설비한 2층의 리드프레임도 있고 또 4층 이상의 것도 있다.
전원플레인(3) 및 접지플레인(4)은 리드프레임(2)의 전원리드, 집지리드와 각각 전기적으로 접속함으로써 소정전위로 설정된다. 이때문에 전원플레인(3) 및 접지플레인(4)의 외주연부의 소정위치에 접속편(6,7)을 밖으로 연장하고 전원플레인(3) 및 접지플레인(4)을 리드프레임(2)에 전기적 절연층(5)을 거쳐서 접합한 후에 접속편(6,7)을 리드프레임(2)의 전원리드와 접지리드에 스폿용접하여 전기적으로 접속한다.
또 도시한 예에서는 리드프레임의 하층을 전원층, 최하층을 접지층으로 하고 있으나, 제2층을 접지층, 최하층을 전원층으로 하여도 좋다.
그런데 상기와 같이 리드프레임에 전원플레인 또는 접지플레인을 접합하여 다층 리드프레임을 제조할때에는 리드프레임에 전원플레인 또는 접지플레인을 정확하게 위치맞춤하여 부착할것, 층간의 전기적 절연성을 잘 유지하면서 또한 확실하게 층간의 접합이 될것, 불량발생이 없는 안정적이고 또한 효율적으로 제조할 수 있을 것이 요청된다.
일반적으로 리드프레임은 후공정에서의 수지몰드등의 작업에 맞추어 리드프레임 유니트를 복수개 설비한 단책상으로 형성하여 제공하였다. 따라서 다층 리드프레임에 있어서도 종래와 같이 단책상의 제품으로서 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명은 이와 같이 단책상으로 형성하여 제공하는 다층 리드프레임의 제조에 바람직하게 사용할 수 있는 다층 리드프레임용 플레인 지지체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여 다음 구성을 구비한다.
즉 복수의 리드프레임을 갖는 단책상으로 형성한 리드프레임 지지체와 위치맞춤하여 적층하여 서로 접합함으로써 다층으로 형성하는 다층 리드프레임용 플레인 지지체이고 상기 리드프레임 지지체에 형성한 각각의 리드프레임의 위치에 맞추어 전원플레인 또는 접지플레인등의 다층 리드프레임을 구성하는 플레인을 사이드레일로 지지하여 단책상으로 형성한 것을 특징으로 한다.
또 상기 플레인 지지체의 폭사이즈를 리드프레임 지지체의 폭사이즈보다도 넓게 형성한 것을 특징으로 한다.
또 상기 플레인을 서포트지지바아를 거쳐서 사이드레일에 연결하여 지지하고 상기 서포트바아에 사이드레일등의 불필요부를 분리제거하기 위한 절리부를 설비한 것을 특징으로 한다.
또 상기 서포트바아와 플레인과의 연결부의 기부에 상기 플레인측이 凹부로 되는 절결부를 설비하고 절리부의 절리위치와 상기 플레인의 외형선위치를 일치시킨 것을 특징으로 한다.
또 상기 플레인을 서포트바아를 거쳐서 사이드레일에 연결하여 지지하는 동시에 인접하는 플레인간에서 사이드레일간에 걸쳐서 연결하는 섹션바아를 설비하고 상기 서포트바아와 상기 섹션바아의 각각에 섹션바아, 사이드레일등의 불필요부를 분리제거하기 위한 절리부를 설비한 것을 특징으로 한다.
또 상기 섹션바아의 절리부의 중간에 절리선 방향에 맞추어 슬롯구멍을 설비한 것을 특징으로 한다. 또 상기 절리부가 하프에칭 또는 하프컷에 의해서 가는 홈모양으로 형성된 것을 특징으로 한다. 또 상기 절리부가 리드프레임 지지체로의 접합면과는 반대쪽의 한쪽면위에 형성된 것을 특징으로 한다.
또 상기 전원플레인 또는 접지플레인등의 플레인에 리드프레임 지지체의 리드와 접속하기 위한 접속편을 설비한 것을 특징으로 한다.
또 상기 전원플레인 또는 접지플레인등의 플레인에 층간을 전기적으로 절연하여 접합하기 위한 전기적 절연성을 갖는 접착테이프를 붙인 것을 특징으로 한다. 또 상기 전원플레인 또는 접지플레인등의 플레인을 지지하는 사이드레일에 리드프레임 지지체와 위치맞춤하기 위한 가이드홀을 설비한 것을 특징으로 한다.
또 상기 전기적 절연성을 갖는 접착테이프를 위치맞춤하여 붙이기 위한 가이드홀을 리드프레임 지지체와의 위치맞춤용 가이드홀과는 별개로 사이드레일에 설비한 것을 특징으로 한다.
단책상으로 형성한 리드프레임 지지체의 각 리드프레임에 대해서 전원플레인, 접지플레인등을 위치맞춤하여 형성한 플레인 지지체를 사용함으로써 각 리드프레임에 대해서 전원플레인, 접지플레인을 용이하게 위치맞춤할 수 있어 효율적인 다층 리드프레임의 제조가 용이해진다.
플레인 지지체를 리드프레임 지지체보다도 폭을 넓게 설비함으로써 플레인 지지체의 취급이 용이해지고 서포트바아 및 섹션바아에 절리부를 설비함으로써 사이드 가이드레일을 절곡하는 것만으로 간단하게 불필요부분을 제거하여 용이하게 다층 리드프레임을 제조할 수 있게 된다.
이하에 본 발명의 실시예를 첨부도면에 의해서 상세히 설명하겠다.
제1도 및 제2도는 3층의 다층 리드프레임의 제조에 사용되는 플레인 지지체의 실시예를 나타내고 제1도는 전원플레인 지지체, 제2도는 접지플레인 지지체의 평면도를 나타낸다.
전원플레인 지지체는 플레인 지지체의 프레임을 구성하는 사이드레일(10a,10b)에 서포트바아(12)를 거쳐서 전원플레인(14)을 지지한 것이다. 전원플레인(14)은 사각형 틀모양으로 형성되고 실시예에서는 사이드레일(10a,10b)에 대향하는 전원플레인(14)의 외연부와 사이드레일(10a,10b)과의 사이를 각각 2개의 서포트바아(12)로 연결하여 지지하고 있다.
제1도는 전원플레인(14)의 1유니트를 나타내지만 전원플레인 지지체에는 복수개의 전원플레인(14)이 설비되어 있다. 18은 사이드레일(10a,10b)간을 연결하는 섹션바아이고 인접하는 전원플레인(14)간마다 설비된다.
섹션바아(18)는 전원플레인 지지체 전체의 강도를 높이고 전원플레인 지지체의 변형을 억제함으로써 전원플레인 지지체를 정확하게 위치맞춤할 수 있게 하기 위한 것이다.
상기 사이드레일(10a,10b), 서포트바아(12), 섹션바아(18)는 어느것이나 최종제품에서는 불필요한 부분이고 전원플레인(14)을 리드프레임에 접합한 후에 제거한다.
이때문에 서포트바아(12)와 전원플레인(14)과의 경계부 및 섹션바아(18)와 사이드레일(10a,10b)과의 사이에 각각 절리부(20,22)를 설비한다. 서포트바아(12) 및 섹션바아(18)의 절리는 절리부(20,22)를 지점으로 하여 사이드레일(10a,10b)을 절곡함으로써 행한다. 따라서 절리부(20,22)는 사이드레일(10a,10b)의 절곡조작으로 간단히 절리가능하도록 하프에칭 또는 프레스가공에 의한 하프컷이 행해져 있다.
제4도는 서포트바아(12)에 형성한 절리부(20)를 확대하여 나타내고 있다. 절리부(20)는 서포트바아(12)를 가는 홈모양으로 가로지르게 설비한 것이며 절리부분에서 서포트바아의 두께를 얇게 하여 용이하게 절리될 수 있게 하고 있다.
서포트바아(12)를 전원플레인(14)으로부터 절리할때에는 전원플레인(14)의 외연부에서 거스러미가 밖으로 나오지 않게 할 필요가 있다. 이것은 전원플레인(14)을 적층하였을때에 거스러미로 인해서 층간에서 전기적인 단락이 생기지 않도록 하기 위해서다. 이때문에 실시예에서는 서포트바아(12)가 전원플레인(14)에 접속되는 기부에 전원플레인(14)쪽에서 움푹 들어가게 절결부(24)를 설비하고 절리부(20)에 의한 서포트바아(12)의 절리위치와 전원플레인(14)의 외형선위치를 일치시키도록 하고 있다.
제5도는 섹션바아(18)에 설비한 절리부(22)를 확대하여 나타낸다. 이 절리부(22)는 서포트바아(12)에 설비한 절리부(20)과 마찬가지로 섹션바아(18)를 가로지르게 설비하나 가는 홈을 형성하는 도중에 가는 폭의 슬롯구멍(26)을 설비한다.
섹션바아(18)는 전원플레인 지지체를 보지하는 목적으로 서포트바아(12)에 비해서 넓은 폭으로 형성한다. 슬롯구멍(26)은 넓은 폭의 섹션바아(18)가 사이드레일(10a,10b)의 절곡조작으로 확실하게 제거될 수 있도록 설비하는 것이다. 에칭에 의해서 슬롯구멍(26)을 설비함으로써 확실한 절리가 될 수 있게 하고 있다.
서포트바아(12) 및 섹션바아(18)는 절리부(20,22)를 지점으로 하여 사이드레일(10a,10b) 전체를 절곡하여 분리하므로 전원플레인 지지체의 각 전원플레인(14)에서의 절리부(20,22)는 일직선상에 위치되게 설정한다. 서포트바아(12)부분의 절리부(20)는 전원플레인(14)의 외형선위치에 일치되어 있으므로 절리부(20,22)는 전원플레인(14)의 외연부 위치에 일치되는 직선위에 위치하게 된다.
제1도에 나타낸 것과 같이 전원플레인(14)에는 봉지수지와의 밀착성을 향상시키기 위한 관통구멍(16)과 층간의 전기적 접속을 취하기 위한 접속편(17)을 설비하고 전원플레인(14)의 표면에 전원플레인(14)을 전기적으로 절연하여 리드프레임에 접합하기 위한 접착테이프를 붙인다. 접착테이프는 4각형 틀모양으로 형성한 전원플레인(14)의 내연부를 본딩부로서 남기도록 전원플레인(14)의 전체에 붙인다. 이 접착테이프를 붙이는 작업은 에칭가공 또는 프레스가공에 의해서 소정형상으로 전원플레인 지지체를 형성한 후에 행한다.
접착테이프를 붙이는 작업에서는 전원플레인 지지체의 길이방향에 대해서 접착테이프를 직교되는 방향으로부터 반송하면서 전원플레인(14)에 붙여간다. 이경우에 전원플레인 지지체와 접착테이프를 정확하게 위치맞춤하기 위하여 사이드레일(10a,10b)에 위치맞춤용 가이드홀(28)을 설비한다. 가이드홀(28)은 접착테이프를 전원플레인 지지체와 직교되는 방향으로부터 반송될 수 있도록 접착테이프의 테이프폭, 전원플레인(14)의 폭사이즈에 따라서 사이드레일(10a,10b)위에서의 설치위치를 정한다.
또 사이드레일(10a,10b)에는 리드프레임과 전원플레인 지지체를 적층할때의 위치맞춤용으로서의 가이드홀(30)을 설비한다. 32는 수지몰딩시에 이용하는 긴구멍이다.
제2도는 상기 전원플레인 지지체의 하층에 접합하는 접지플레인 지지체를 나타내고 있다.
접지플레인 지지체의 기본구성은 상기 전원플레인 지지체와 같고 접지플레인(40)을 서포트바아(12)에 의해서 사이드레일(10a,10b)에 지지하고 사이드레일(10a,10b)간을 섹션바아(18)로 연결한다. 서포트바아(12) 및 섹션바아(18)에는 상기 전원플레인 지지체에 설비한 것과 같게 절리부(20,22)를 설비한다. 절리부(20,22)를 형성하는 위치는 전원플레인 지지체에서의 설치위치와 같은 위치이다.
또 접지플레인(40)은 전원플레인(14)의 외형 사이즈와 일치한 판상으로 형성하고 리드프레임과 접속하기 위한 접속편(42)을 설비하고 있다.
접지플레인(40)은 상기 전원플레인(14)에 적층하여 접합하므로 전원플레인(14)과의 접합면쪽에 접착테이프를 붙인다. 이 접착테이프는 전원플레인(14)의 형상에 맞추어서 접지플레인(40)위에 사각형 틀모양으로 붙인다.
접지플레인(40)에 접착테이프를 붙일때의 위치맞춤용 가이드홀(28)과 접지플레인 지지체와 리드프레임과의 위치맞춤용 가이드홀(30)을 설비하는 것도 같다.
이와 같이 접착테이프를 붙이기 위한 가이드홀(28)과 리드프레임과의 위치맞춤용 가이드홀(30)을 따로따로 설비하는 것은 플레인 지지체에 접착테이프를 붙일때에 정확하게 위치맞춤하여 붙일 수 있는 이외에도 전원플레인(14) 또는 접지플레인(40)의 사이즈가 공통이고 전원플레인(14)의 배치간격이 상이한 플레인 지지체에 대해서 가이드홀 간격을 일정하게 설정함으로써 접착테이프를 붙이는 장치, 금형등을 공통으로 사용할 수 있다는 이점이 있다.
또 리드프레임과의 위치맞춤용 가이드홀을 겸용하면 가이드홀을 여러번 사용함으로써, 위치정밀도에 덜컥거림이 생길 우려가 있으나 따로따로로 해둠으로써 소요위치 정밀도를 얻을 수 있다는 이점이 있다.
전원플레인 지지체 및 접지플레인 지지체 모두다 절리부(20,22)는 프레임의 한쪽면에 설비하지만 이 절리부(20,22)는 접착테이프를 붙이는 면과는 반대쪽의 면 즉 리드프레임 지지체에 접합하는 쪽과는 반대쪽면에 설비한다.
이것은 리드프레임 지지체와 전원플레인 지지체, 접지플레인 지지체를 적층하여 상호 접합시킨후에 사이드레일(10a,10b)부분을 절곡하여 불필요부를 제거할때에 거스러미가 생긴 경우에도 층간에서 전기적 단락이 생기지 않게 하기 위해서다.
제3도는 상기 전원플레인 지지체, 접지플레인 지지체를 접합하는 리드프레임 지지체의 실시예를 나타낸다. 리드프레임 지지체는 복수개의 리드프레임을 연결설비한 단책상으로 형성한다. 인너리드(50)는 반도체 칩의 탑재면을 둘러쌓도록 형성되고 아우터리드(52)는 사이드레일(54a,54b) 및 섹션바아(58)에 의해서 지지된다.
리드프레임 지지체에 설비하는 가이드홀은 전원플레인 지지체, 접지플레인 지지체를 리드프레임 지지체와 위치맞춤하기 위한 가이드홀(30)뿐이다.
또 리드프레임 지지체의 폭사이즈는 상기 전원플레인 지지체 및 접지플레인 지지체의 폭사이즈보다도 작게 한다. 이것은 리드프레임 지지체와 전원플레인 지지체, 접지플레인 지지체를 접합한 후에 전원플레인 지지체, 전원플레인 지지체의 사이드레일(10a,10b)부분을 집어 절곡조작을 할 수 있게 하기 위해서다.
상기의 리드프레임 지지체, 전원플레인 지지체, 접지플레인 지지체를 사용하여 다층 리드프레임을 제조할 경우는 다음과 같이 한다.
먼저 접지플레인 지지체와 전원플레인 지지체를 접착테이프를 거쳐서 가압착한다. 접지플레인 지지체와 전원플레인 지지체는 가이드홀(28)로 핀가이드함으로써 위치맞춤하고 접지플레인(40)부분 및 전원플레인(14)부분을 가압, 가온함으로써 가접합한다.
다음에 이 접합체에 대해서 리드프레임 지지체를 가이드홀(30,32)로 핀가이드함으로써 위치맞춤하고 단책상으로 형성된 프레임의 각각의 리드프레임부분을 치구로 끼워 눌러 지지하고 소정온도까지 가열하여 각 리드프레임에 대해서 전원플레인(14), 접지플레인(40)을 압착한다. 압착후에 경화공정을 거쳐서 전원플레인(14), 접지플레인(40)과 리드프레임을 완전히 접합시킨다.
제6도는 리드프레임 지지체에 전원플레인 지지체, 접지플레인 지지체를 접합한 상태를 나타낸다. 전원플레인 지지체, 접지플레인 지지체에는 리드프레임 지지체의 각 리드프레임의 위치에 맞추어서 전원플레인(14), 접지플레인(40)이 형성되어 있으므로 서로 위치맞춤하여 접합함으로써 각각의 리드프레임에 전원플레인(14), 접지플레인(40)이 정확하게 위치맞춤되어 접합된다.
전원플레인 지지체, 접지플레인 지지체는 리드프레임 지지체보다도 넓은 폭으로 형성되어 있으므로 전원플레인 지지체, 접지플레인 지지체의 사이드레일(10a,10b)의 측연부가 리드프레임 지지체로부터 돌출되어 접합된다.
다음에 이 리드프레임 지지체로부터 돌출된 전원플레인 지지체와 접지플레인 지지체의 사이드레일(10a,10b)부분을 모두 집게로 집어 전술한 절리부(20,22)를 지점으로 하여 절곡함으로써 절리부(20,22)로부터 서포트바아(12), 섹션바아(18)를 분리한다. 서포트바아(12), 섹션바아(18)부분에는 접착테이프는 붙여있지 않으므로 절리부(20,22)에서 분리됨으로써 사이드레일(10a,10b), 섹션바아(18)는 모두 분리되어 제거된다. 이와 같이 하여 리드프레임 지지체에는 각 리드프레임에 전원플레인(14)과 접지플레인(40)이 접합된 것이 남는다.
제7도는 리드프레임 지지체에 전원플레인 지지체, 접지플레인 지지체를 접합한 상태에서의 절리부의 모양을 설명하고 있다. 절리부(20,22)는 전술한 바와 같이 전원플레인 지지체, 접지플레인 지지체로 리드프레임을 접합하는 면과는 반대쪽면에 설비하므로 각 플레인을 적층하여 접합하면 절리부(20)는 도면과 같이 각 플레인의 하측으로 온다.
전원플레인 지지체와 접지플레인 지지체의 사이드레일은 절리부(20,22)를 지점으로 하여 절곡하나 이 절곡조작은 리드프레임 지지체의 사이드레일(54a)에 영향을 주지 않도록 하기 위하여 사이드레일(54a)로부터 멀어지는 방향(화살표방향)으로 절곡한다.
이와 같이 사이드레일(10a,10b)을 절곡시키는 경우에는 리드프레임과는 반대쪽으로 절곡하므로 절리시에 거스러미가 생기는 경우에는 하향으로 생긴다. 따라서 도면과 같이 각 플레인을 접합했을때에 절리부(20)를 아랫쪽으로 해두면 아랫쪽으로 거스러미가 생겨도 절리부(20)의 凹부에 의해서 거스러미가 하층의 플레인까지 도달하는 것을 방지하여 층간에서 전기적으로 단락된다는 불량을 유효하게 해소할 수 있다. 전원플레인 또는 접지플레인의 재료두께가 얇은 경우에는 층간거리가 접근하므로 절리시의 거스러미에 의해서 층간에서 전기적 단락이 생기지 않도록 하는 것은 중요하다.
사이드레일(10a,10b), 섹션바아(18)등의 불필요부분을 제거한 후에 접속편을 리드프레임의 소정의 리드에 스폿용접하여 전원플레인(14), 접지플레인(40)을 리드프레임과 전기적으로 접속한다. 이와 같이 하여 다층 리드프레임 제품이 얻어진다.
상기 실시예에서는 전원플레인 지지체와 접지플레인 지지체의 프레임폭을 동일하게 하고 있으나 전원플레인 지지체보다도 더 전원플레인 지지체를 넓은 폭으로 하는등 단계적으로 각 플레인 지지체의 폭을 바꾸어도 좋다.
전원플레인 지지체와 접지플레인 지지체를 리드프레임 지지체보다도 넓은 폭으로 하는 것은 사이드레일부분을 집을 수 있게 하여 절곡조작을 행할 수 있게 하기 위한 것이나 경우에 따라서는 리드프레임 지지체의 측연부에 절결부를 설비하여 이 절결부분에서 전원플레인 지지체와 접지플레인 지지체의 사이드레일을 집도록 하는 것도 가능하다. 이 경우에는 리드프레임 지지체와 전원플레인 지지체, 접지플레인 지지체를 모두 같은 폭으로 하여도 절결부에서 전원플레인 지지체와 접지플레인 지지체의 사이드레일을 잡아 절곡조작을 할 수 있게 된다.
또 상기 실시예에서는 3층 구조의 다층 리드프레임의 제조에 사용되는 플레인 지지체에 대해서 설명하였으나 2층 또는 4층등의 다층 리드프레임에 대해서도 마찬가지로 이용할 수 있다.
또 상기 실시예에서는 전원플레인(14)및 접지플레인(40)의 각각에 접착테이프를 붙여서 적층하는 방법을 설명하였으나 접착테이프는 접합하려는 층중의 어느층에 붙어 있으면 된다. 예를들면 전원플레인(14)과 리드프레임을 접합하는 경우에는 전원플레인(14)에 접착테이프를 붙여도 좋고 리드프레임쪽에 접착테이프를 붙여 서로 접합할 수도 있다.
본 발명에 의한 다층 리드프레임용 플레인 지지체에 의하면 상술한 바와 같이 단책상으로 형성한 리드프레임 지지체의 각 리드프레임에 대해서 전원플레인, 접지플레인등을 위치맞춤하여 형성한 플레인 지지체를 사용함으로써 각 리드프레임에 대해서 전원플레인, 접지플레인을 용이하게 위치맞춤할 수 있어 효율적인 다층 리드프레임의 제조가 용이해진다. 또 서포트바아 및 섹션바아에 절리부를 설비함으로써 사이드레일을 절곡하는 것만으로 간단히 불필요부분을 제거하여 용이하게 다층 리드프레임을 제조할 수 있게 되는 등의 현저한 효과를 나타낸다.

Claims (12)

  1. 복수의 리드프레임을 갖는 단책상으로 형성한 리드프레임 지지체와 위치맞춤하여 적층하여 서로 접합시킴으로써 다층으로 형성하는 다층 리드프레임용 플레인 지지체에 있어서, 상기 리드프레임 지지체에 형성한 각각의 리드프레임의 위치에 맞추어 전원플레인 또는 접지플레인등의 다층 리드프레임을 구성하는 플레인을 서포트바아를 거쳐서 한쌍의 사이드레일로 연결 지지하여 복수의 상기 플레인을 갖는 단책상으로 형성한 것을 특징으로 하는 다층 리드프레임용 플레인 지지체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플레인 지지체의 폭사이즈를 리드프레임 지지체의 폭사이즈보다도 넓은 폭으로 형성한 것을 특징으로 하는 다층 리드프레임용 플레인 지지체.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 플레인을 서포트바아를 거쳐서 사이드레일에 연결하여 지지하고 상기 서포트바아에 사이드레일등의 불필요부를 분리제거하기 위한 절리부를 설비한 것을 특징으로 하는 다층 리드프레임용 플레인 지지체.
  4. 제3항에 있어서, 상기 서포트바아와 플레인과의 연결부의 기부에 상기 플레인쪽이 凹부로 되는 절결부를 설비하고 절리부의 절리위치와 상기 플레인의 외형선위치를 일치시킨 것을 특징으로 하는 다층 리드프레임용 플레인 지지체.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 플레인을 서포트바아를 거쳐서 사이드레일에 연결하여 지지하는 동시에 인접하는 플레인간에서 사이드레일간에 걸쳐서 연결하는 섹션바아를 설비하고 상기 서포트바아와 섹션바아의 각각에 섹션바아, 사이드레일등의 불필요부를 분리제거하기 위한 절리부를 설비한 것을 특징으로 하는 다층 리드프레임용 플레인 지지체.
  6. 제5항에 있어서, 상기 섹션바아의 절리부의 도중에 절리선 방향에 맞추어 슬롯구멍을 설비한 것을 특징으로 하는 다층 리드프레임용 플레인 지지체.
  7. 제3항에 있어서, 상기 절리부가 하프에칭 또는 하프컷에 의해서 가는 홈모양으로 형성된 것을 특징으로 하는 다층 리드프레임용 플레인 지지체.
  8. 제3항에 있어서, 상기 절리부가 리드프레임 지지체로의 접합면과는 반대쪽의 한쪽면위에 형성된 것을 특징으로 하는 다층 리드프레임용 플레인 지지체.
  9. 제1항에 있어서, 상기 전원플레인 또는 접지플레인등의 플레인에 리드프레임 지지체의 리드와 접속하기 위한 접속편을 설비한 것을 특징으로 하는 다층 리드프레임용 플레인 지지체.
  10. 제1항에 있어서, 상기 전원플레인 또는 접지플레인등의 플레인에 층간을 전기적으로 절연하여 접합하기 위한 전기적 절연성을 갖는 접착테이프를 붙인 것을 특징으로 하는 다층 리드프레임용 플레인 지지체.
  11. 제1항에 있어서, 상기 전원플레인 또는 접지플레인등의 플레인을 지지하는 사이드레일에 리드프레임 지지체와 위치맞춤하기 위한 가이드홀을 설비한 것을 특징으로 하는 다층 리드프레임용 플레인 지지체.
  12. 제11항에 있어서, 전기적 절연성을 갖는 접착테이프를 위치맞춤하여 붙이기 위한 가이드홀을 상기 리드프레임 지지체와의 위치맞춤용 가이드홀과는 별개로 상기 사이드레일에 설비한 것을 특징으로 하는 다층 리드프레임용 플레인 지지체.
KR1019930013644A 1992-07-28 1993-07-20 다층 리드프레임용 플레인 지지체 KR970011622B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4221942A JPH0653394A (ja) 1992-07-28 1992-07-28 多層リードフレーム用プレーン支持体
JP92-221942 1992-07-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940003006A KR940003006A (ko) 1994-02-19
KR970011622B1 true KR970011622B1 (ko) 1997-07-12

Family

ID=16774574

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930013644A KR970011622B1 (ko) 1992-07-28 1993-07-20 다층 리드프레임용 플레인 지지체

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5410180A (ko)
EP (1) EP0581588B1 (ko)
JP (1) JPH0653394A (ko)
KR (1) KR970011622B1 (ko)
DE (1) DE69319283T2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101124375B1 (ko) * 2010-08-19 2012-03-16 주식회사 에스이엔디 전기 에너지 저장소자의 제조방법

Families Citing this family (119)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970010678B1 (ko) * 1994-03-30 1997-06-30 엘지반도체 주식회사 리드 프레임 및 이를 이용한 반도체 패키지
US6893900B1 (en) 1998-06-24 2005-05-17 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US7332375B1 (en) 1998-06-24 2008-02-19 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US7071541B1 (en) 1998-06-24 2006-07-04 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US7112474B1 (en) 1998-06-24 2006-09-26 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US6143981A (en) 1998-06-24 2000-11-07 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US7005326B1 (en) 1998-06-24 2006-02-28 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US7030474B1 (en) 1998-06-24 2006-04-18 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US6612890B1 (en) * 1998-10-15 2003-09-02 Handy & Harman (Ny Corp.) Method and system for manufacturing electronic packaging units
JP2000164788A (ja) * 1998-11-20 2000-06-16 Anam Semiconductor Inc 半導体パッケ―ジ用リ―ドフレ―ムとこれを用いた半導体パッケ―ジ及びその製造方法
KR20010037247A (ko) 1999-10-15 2001-05-07 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지
KR100403142B1 (ko) * 1999-10-15 2003-10-30 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지
KR100379089B1 (ko) 1999-10-15 2003-04-08 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지
KR100526844B1 (ko) * 1999-10-15 2005-11-08 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지 및 그 제조방법
US6580159B1 (en) 1999-11-05 2003-06-17 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit device packages and substrates for making the packages
US20070176287A1 (en) * 1999-11-05 2007-08-02 Crowley Sean T Thin integrated circuit device packages for improved radio frequency performance
US6847103B1 (en) 1999-11-09 2005-01-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with exposed die pad and body-locking leadframe
KR100421774B1 (ko) * 1999-12-16 2004-03-10 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지 및 그 제조 방법
US6639308B1 (en) * 1999-12-16 2003-10-28 Amkor Technology, Inc. Near chip size semiconductor package
KR100583494B1 (ko) * 2000-03-25 2006-05-24 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지
US7042068B2 (en) 2000-04-27 2006-05-09 Amkor Technology, Inc. Leadframe and semiconductor package made using the leadframe
KR20020058209A (ko) * 2000-12-29 2002-07-12 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지
KR100731007B1 (ko) * 2001-01-15 2007-06-22 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 적층형 반도체 패키지
US6967395B1 (en) 2001-03-20 2005-11-22 Amkor Technology, Inc. Mounting for a package containing a chip
US6545345B1 (en) 2001-03-20 2003-04-08 Amkor Technology, Inc. Mounting for a package containing a chip
KR100393448B1 (ko) * 2001-03-27 2003-08-02 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
KR100369393B1 (ko) * 2001-03-27 2003-02-05 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지와 그 제조 방법
US7064009B1 (en) 2001-04-04 2006-06-20 Amkor Technology, Inc. Thermally enhanced chip scale lead on chip semiconductor package and method of making same
US7045883B1 (en) 2001-04-04 2006-05-16 Amkor Technology, Inc. Thermally enhanced chip scale lead on chip semiconductor package and method of making same
US6900527B1 (en) 2001-09-19 2005-05-31 Amkor Technology, Inc. Lead-frame method and assembly for interconnecting circuits within a circuit module
US7485952B1 (en) 2001-09-19 2009-02-03 Amkor Technology, Inc. Drop resistant bumpers for fully molded memory cards
US6611047B2 (en) * 2001-10-12 2003-08-26 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with singulation crease
US6630726B1 (en) 2001-11-07 2003-10-07 Amkor Technology, Inc. Power semiconductor package with strap
US6841414B1 (en) 2002-06-19 2005-01-11 Amkor Technology, Inc. Saw and etch singulation method for a chip package
US6867071B1 (en) 2002-07-12 2005-03-15 Amkor Technology, Inc. Leadframe including corner leads and semiconductor package using same
US6818973B1 (en) 2002-09-09 2004-11-16 Amkor Technology, Inc. Exposed lead QFP package fabricated through the use of a partial saw process
US6919620B1 (en) 2002-09-17 2005-07-19 Amkor Technology, Inc. Compact flash memory card with clamshell leadframe
US6768186B2 (en) * 2002-10-15 2004-07-27 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Semiconductor device and laminated leadframe package
US7723210B2 (en) 2002-11-08 2010-05-25 Amkor Technology, Inc. Direct-write wafer level chip scale package
US7190062B1 (en) 2004-06-15 2007-03-13 Amkor Technology, Inc. Embedded leadframe semiconductor package
US6905914B1 (en) 2002-11-08 2005-06-14 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
US7361533B1 (en) 2002-11-08 2008-04-22 Amkor Technology, Inc. Stacked embedded leadframe
US6798047B1 (en) 2002-12-26 2004-09-28 Amkor Technology, Inc. Pre-molded leadframe
US6847099B1 (en) 2003-02-05 2005-01-25 Amkor Technology Inc. Offset etched corner leads for semiconductor package
US6750545B1 (en) 2003-02-28 2004-06-15 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package capable of die stacking
US6927483B1 (en) 2003-03-07 2005-08-09 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package exhibiting efficient lead placement
US6794740B1 (en) 2003-03-13 2004-09-21 Amkor Technology, Inc. Leadframe package for semiconductor devices
US7001799B1 (en) 2003-03-13 2006-02-21 Amkor Technology, Inc. Method of making a leadframe for semiconductor devices
US7095103B1 (en) 2003-05-01 2006-08-22 Amkor Technology, Inc. Leadframe based memory card
US6879034B1 (en) 2003-05-01 2005-04-12 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including low temperature co-fired ceramic substrate
US7008825B1 (en) 2003-05-27 2006-03-07 Amkor Technology, Inc. Leadframe strip having enhanced testability
US6897550B1 (en) 2003-06-11 2005-05-24 Amkor Technology, Inc. Fully-molded leadframe stand-off feature
US7489219B2 (en) * 2003-07-16 2009-02-10 Marvell World Trade Ltd. Power inductor with reduced DC current saturation
US7023313B2 (en) * 2003-07-16 2006-04-04 Marvell World Trade Ltd. Power inductor with reduced DC current saturation
US7307502B2 (en) * 2003-07-16 2007-12-11 Marvell World Trade Ltd. Power inductor with reduced DC current saturation
US7245007B1 (en) 2003-09-18 2007-07-17 Amkor Technology, Inc. Exposed lead interposer leadframe package
US6921967B2 (en) * 2003-09-24 2005-07-26 Amkor Technology, Inc. Reinforced die pad support structure
US7138707B1 (en) 2003-10-21 2006-11-21 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including leads and conductive posts for providing increased functionality
US7144517B1 (en) 2003-11-07 2006-12-05 Amkor Technology, Inc. Manufacturing method for leadframe and for semiconductor package using the leadframe
US7211879B1 (en) 2003-11-12 2007-05-01 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with chamfered corners and method of manufacturing the same
US7057268B1 (en) 2004-01-27 2006-06-06 Amkor Technology, Inc. Cavity case with clip/plug for use on multi-media card
US7091594B1 (en) 2004-01-28 2006-08-15 Amkor Technology, Inc. Leadframe type semiconductor package having reduced inductance and its manufacturing method
US8324872B2 (en) * 2004-03-26 2012-12-04 Marvell World Trade, Ltd. Voltage regulator with coupled inductors having high coefficient of coupling
US20080003722A1 (en) * 2004-04-15 2008-01-03 Chun David D Transfer mold solution for molded multi-media card
US7202554B1 (en) 2004-08-19 2007-04-10 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and its manufacturing method
US20060082272A1 (en) * 2004-09-24 2006-04-20 Ki-Jung Kim Plasma display apparatus
US7217991B1 (en) 2004-10-22 2007-05-15 Amkor Technology, Inc. Fan-in leadframe semiconductor package
US7507603B1 (en) 2005-12-02 2009-03-24 Amkor Technology, Inc. Etch singulated semiconductor package
US7572681B1 (en) 2005-12-08 2009-08-11 Amkor Technology, Inc. Embedded electronic component package
US7902660B1 (en) 2006-05-24 2011-03-08 Amkor Technology, Inc. Substrate for semiconductor device and manufacturing method thereof
US7968998B1 (en) 2006-06-21 2011-06-28 Amkor Technology, Inc. Side leaded, bottom exposed pad and bottom exposed lead fusion quad flat semiconductor package
US7687893B2 (en) 2006-12-27 2010-03-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package having leadframe with exposed anchor pads
US7829990B1 (en) 2007-01-18 2010-11-09 Amkor Technology, Inc. Stackable semiconductor package including laminate interposer
US7982297B1 (en) 2007-03-06 2011-07-19 Amkor Technology, Inc. Stackable semiconductor package having partially exposed semiconductor die and method of fabricating the same
US7977774B2 (en) 2007-07-10 2011-07-12 Amkor Technology, Inc. Fusion quad flat semiconductor package
US7687899B1 (en) 2007-08-07 2010-03-30 Amkor Technology, Inc. Dual laminate package structure with embedded elements
US7777351B1 (en) 2007-10-01 2010-08-17 Amkor Technology, Inc. Thin stacked interposer package
US8089159B1 (en) 2007-10-03 2012-01-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with increased I/O density and method of making the same
US7847386B1 (en) 2007-11-05 2010-12-07 Amkor Technology, Inc. Reduced size stacked semiconductor package and method of making the same
US7956453B1 (en) 2008-01-16 2011-06-07 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with patterning layer and method of making same
US7723852B1 (en) 2008-01-21 2010-05-25 Amkor Technology, Inc. Stacked semiconductor package and method of making same
US8067821B1 (en) 2008-04-10 2011-11-29 Amkor Technology, Inc. Flat semiconductor package with half package molding
US7768135B1 (en) 2008-04-17 2010-08-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with fast power-up cycle and method of making same
US7808084B1 (en) 2008-05-06 2010-10-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with half-etched locking features
US8125064B1 (en) 2008-07-28 2012-02-28 Amkor Technology, Inc. Increased I/O semiconductor package and method of making same
US8184453B1 (en) 2008-07-31 2012-05-22 Amkor Technology, Inc. Increased capacity semiconductor package
US7847392B1 (en) 2008-09-30 2010-12-07 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with increased I/O
US7989933B1 (en) 2008-10-06 2011-08-02 Amkor Technology, Inc. Increased I/O leadframe and semiconductor device including same
US8008758B1 (en) 2008-10-27 2011-08-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe
US8089145B1 (en) 2008-11-17 2012-01-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including increased capacity leadframe
US8072050B1 (en) 2008-11-18 2011-12-06 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including passive device
US7875963B1 (en) 2008-11-21 2011-01-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe having power bars and increased I/O
US7982298B1 (en) 2008-12-03 2011-07-19 Amkor Technology, Inc. Package in package semiconductor device
US8487420B1 (en) 2008-12-08 2013-07-16 Amkor Technology, Inc. Package in package semiconductor device with film over wire
US8680656B1 (en) 2009-01-05 2014-03-25 Amkor Technology, Inc. Leadframe structure for concentrated photovoltaic receiver package
US20170117214A1 (en) 2009-01-05 2017-04-27 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with through-mold via
US8058715B1 (en) 2009-01-09 2011-11-15 Amkor Technology, Inc. Package in package device for RF transceiver module
US8026589B1 (en) 2009-02-23 2011-09-27 Amkor Technology, Inc. Reduced profile stackable semiconductor package
US7960818B1 (en) 2009-03-04 2011-06-14 Amkor Technology, Inc. Conformal shield on punch QFN semiconductor package
US8575742B1 (en) 2009-04-06 2013-11-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including power bars
US8796561B1 (en) 2009-10-05 2014-08-05 Amkor Technology, Inc. Fan out build up substrate stackable package and method
US8937381B1 (en) 2009-12-03 2015-01-20 Amkor Technology, Inc. Thin stackable package and method
US9691734B1 (en) 2009-12-07 2017-06-27 Amkor Technology, Inc. Method of forming a plurality of electronic component packages
US8324511B1 (en) 2010-04-06 2012-12-04 Amkor Technology, Inc. Through via nub reveal method and structure
US8294276B1 (en) 2010-05-27 2012-10-23 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and fabricating method thereof
US8440554B1 (en) 2010-08-02 2013-05-14 Amkor Technology, Inc. Through via connected backside embedded circuit features structure and method
US8487445B1 (en) 2010-10-05 2013-07-16 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having through electrodes protruding from dielectric layer
US8791501B1 (en) 2010-12-03 2014-07-29 Amkor Technology, Inc. Integrated passive device structure and method
US8674485B1 (en) 2010-12-08 2014-03-18 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with downsets
US8390130B1 (en) 2011-01-06 2013-03-05 Amkor Technology, Inc. Through via recessed reveal structure and method
US8648450B1 (en) 2011-01-27 2014-02-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands
TWI557183B (zh) 2015-12-16 2016-11-11 財團法人工業技術研究院 矽氧烷組成物、以及包含其之光電裝置
US8552548B1 (en) 2011-11-29 2013-10-08 Amkor Technology, Inc. Conductive pad on protruding through electrode semiconductor device
US9704725B1 (en) 2012-03-06 2017-07-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation
US9048298B1 (en) 2012-03-29 2015-06-02 Amkor Technology, Inc. Backside warpage control structure and fabrication method
US9129943B1 (en) 2012-03-29 2015-09-08 Amkor Technology, Inc. Embedded component package and fabrication method
KR101486790B1 (ko) 2013-05-02 2015-01-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 강성보강부를 갖는 마이크로 리드프레임
KR101563911B1 (ko) 2013-10-24 2015-10-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지
US9673122B2 (en) 2014-05-02 2017-06-06 Amkor Technology, Inc. Micro lead frame structure having reinforcing portions and method

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4801765A (en) * 1986-01-06 1989-01-31 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Electronic component package using multi-level lead frames
US4891687A (en) * 1987-01-12 1990-01-02 Intel Corporation Multi-layer molded plastic IC package
US4801999A (en) * 1987-07-15 1989-01-31 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated circuit lead frame assembly containing voltage bussing and distribution to an integrated circuit die using tape automated bonding with two metal layers
CA1278618C (en) * 1987-07-20 1991-01-02 George Erdos Plastic encapsulated integrated circuit package with electrostatic shield
JPH02268439A (ja) * 1989-04-10 1990-11-02 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
US5089878A (en) * 1989-06-09 1992-02-18 Lee Jaesup N Low impedance packaging
DE69125884T2 (de) * 1990-03-16 1997-08-14 Sumitomo Electric Industries Leiterrahmen für Halbleiteranordnung
JP2828318B2 (ja) * 1990-05-18 1998-11-25 新光電気工業株式会社 多層リードフレームの製造方法
JP2788099B2 (ja) * 1990-05-18 1998-08-20 新光電気工業株式会社 多層リードフレームの製造方法
US5196725A (en) * 1990-06-11 1993-03-23 Hitachi Cable Limited High pin count and multi-layer wiring lead frame

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101124375B1 (ko) * 2010-08-19 2012-03-16 주식회사 에스이엔디 전기 에너지 저장소자의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR940003006A (ko) 1994-02-19
EP0581588B1 (en) 1998-06-24
DE69319283T2 (de) 1998-11-05
EP0581588A1 (en) 1994-02-02
US5410180A (en) 1995-04-25
DE69319283D1 (de) 1998-07-30
JPH0653394A (ja) 1994-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970011622B1 (ko) 다층 리드프레임용 플레인 지지체
US7246431B2 (en) Methods of making microelectronic packages including folded substrates
JPH04211152A (ja) 多重層リード・フレーム素子
JPH07307574A (ja) 多層金属プリント基板とモールドモジュール
US5506174A (en) Automated assembly of semiconductor devices using a pair of lead frames
JP2828318B2 (ja) 多層リードフレームの製造方法
US5231756A (en) Process for manufacturing a multi-layer lead frame
EP0457592A2 (en) Process for manufacturing a multi-layer lead frame
JPH04213867A (ja) 電子部品搭載用基板フレーム
KR100192871B1 (ko) 리드프레임 및 그 제조방법
US5726490A (en) Semiconductor device
US5854094A (en) Process for manufacturing metal plane support for multi-layer lead frames
US5484097A (en) Fabrication of hybrid semiconductor devices
USRE35353E (en) Process for manufacturing a multi-layer lead frame
KR100319603B1 (ko) 적층형 반도체 패키지의 적층 패키지 및 그 적층방법
KR20030024553A (ko) 반도체장치
KR19990084443A (ko) 초고집적회로 비·엘·피 스택 및 그 제조방법
JPH03291960A (ja) 半導体装置積層用基板及び積層半導体装置
JPH02156661A (ja) リードフレームおよびその製造方法
JPH08213743A (ja) 電子部品搭載用基板
JPH05167242A (ja) フレキシブル回路基板の接合方法
CN115179571A (zh) 双界面卡制造工艺及双界面卡
JPH0595025A (ja) テープ・キヤリア・パツケージ用テープフイルム
JPH05175386A (ja) 電子部品搭載用基板フレーム集合シート
JPH04254399A (ja) セラミック多層基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20041210

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee