CN115179571A - 双界面卡制造工艺及双界面卡 - Google Patents

Abstract

本申请公开了双界面卡制造工艺及双界面卡。双界面卡制造工艺包括：设置第一基层，第一基层预设有多个间隔设置的第一孔；设置中间层，中间层的内部预埋设多个间隔设置的线圈；设置第二基层；将第一基层、中间层及第二基层顺次层叠设置；在将第一基层、中间层及第二基层层叠设置之前或之后，对应各第一孔分别设置芯片模块，将芯片模块与对应的线圈电连接；将第一基层、中间层、第二基层及各芯片模块固定相接，形成基板；将基板冲裁形成多个卡片。本申请实施例提供的双界面卡制造工艺，能够有效缩短生产流程，提升生产效率。

Description

双界面卡制造工艺及双界面卡

技术领域

本申请属于双界面卡的技术领域，尤其涉及一种双界面卡制造工艺及双界面卡。

背景技术

双界面卡是兼备接触式界面通信功能和非接触式界面通信功能的多功能卡。双界面卡的制造过程通常包括卡体制作及芯片封装，卡体制造完成后，在卡体的指定位置加工开槽，并将芯片封装于开槽中。

现有技术中，在卡体加工开槽时，需逐个完成，导致卡体的生产效率较低。

发明内容

本申请实施例提供一种双界面卡制造工艺及双界面卡，能够缩短卡片制作的生产流程，提升生产效率。

一方面，本申请实施例提供一种双界面卡制造工艺，包括以下步骤：设置第一基层，第一基层预设有多个间隔设置的第一孔；设置中间层，中间层的内部预埋设多个间隔设置的线圈，使各线圈的至少一部分暴露于中间层朝向第一基层的表面；设置第二基层；将第一基层、中间层及第二基层顺次层叠设置，使每个线圈与一个第一孔对应设置在将第一基层、中间层及第二基层层叠设置之前或之后，对应各第一孔分别设置芯片模块，使每个芯片模块的至少一部分位于对应的第一孔中，将芯片模块与对应的线圈电连接；将第一基层、中间层、第二基层及各芯片模块固定相接，形成基板；将基板冲裁形成多个卡片，每个卡片均包括一个芯片模块。

另一方面，本申请实施例提供了一种双界面卡，包括第一基层、中间层及芯片模块，第一基层与中间层层叠设置；第一基层开设有第一孔，芯片模块的至少一部分安装于第一孔内；中间层埋设有线圈，线圈的至少一部分暴露且铺设于中间层朝向第一基层的表面，芯片模块通过导电介质与线圈暴露于中间层朝向第一基层的表面的部分电连接。

本申请实施例提供了一种双界面卡制造工艺和双界面卡，其中，本申请实施例的双界面卡制造工艺，通过在第一基层预设多个第一孔，可以在每个第一孔中分别设置芯片模块，在将第一基层、中间层、第二基层及各个芯片模块固定后可以得到具有多个芯片模块的基板，对基板进行冲裁加工后即可得到多个卡片，从而有效缩短生产流程，提升生产效率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单的介绍，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请一些实施例提供的双界面卡的结构示意图；

图2示出图1中A区域的局部放大图；

图3为本申请另一些实施例提供的双界面卡的结构示意图；

图4示出图3中B区域的局部放大图；

图5为本申请实施例提供的双界面卡的一种中间层的俯视图；

图6为本申请实施例提供的双界面卡的另一种中间层的俯视图；

图7为制造本申请实施例提供的双界面卡的芯片模块的载带所使用的绝缘层的俯视图；

图8为制造本申请实施例提供的双界面卡的芯片模块的载带所使用的上铜箔和下铜箔进行蚀刻后与绝缘层层叠的结构示意图；

图9为制造本申请实施例提供的双界面卡的芯片模块的载带所使用的的下铜箔进行蚀刻后的一种蚀刻形状的示意图；

图10为制造本申请实施例提供的双界面卡的芯片模块的载带所使用的的下铜箔进行蚀刻后的另一种蚀刻形状的示意图；

图11为制造本申请实施例提供的双界面卡的芯片模块的载带所使用的的下铜箔进行蚀刻后的又一种蚀刻形状的示意图；

图12为本申请实施例提供的双界面卡的芯片模块的剖视图。

附图标记说明：

1、第一基层；11、第一孔；12、第一基片；13、第一保护膜；2、中间层；21、第二孔；22、线圈；3、第二基层；31、第二基片；32、第二保护膜；4、芯片模块；41、导电片；42、载带；421、焊盘；422、绝缘层；4221、预留孔；4222、间隔部；4223、保留区；423、上铜箔；4231、成型孔；424、下铜箔；43、芯片。

具体实施方式

下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本申请进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅意在解释本申请，而不是限定本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请更好的理解。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

常规的双界面卡制造通常采用碰焊工艺，分为卡体制作和焊接封装两个子工艺，卡体制作主要是制作单张的卡体，焊接封装是将芯片模块封装在卡体内，以成型卡片。

在卡体制作的子工艺中，包括：

将上基层、线圈层和下基层依次层叠设置并进行层压；

将层压后的上基层、线圈层和下基层进行冲切，形成多个单张卡体。

在焊接封装的子工艺中，包括：

在单张卡体上铣槽，成型外槽和内槽；

整理线圈，将线圈裸露于线圈层的部位从外槽内挑出至卡体外部；

在卡体外部将线圈挑出至卡体外部的部分焊接于焊盘处；

安装芯片模块，将芯片模块以及挑出至卡体外侧的线圈放置于外槽内，其中，载带容置于外槽内，芯片容置于内槽内；

将芯片模块封装于卡体，完成卡片的制作。一般采用热熔压合的方式，对芯片模块进行加热，使芯片模块压合封装于卡体。

在日常生产的过程中，发明人发现碰焊工艺有以下缺点：

a、在焊接封装的子工艺中，由于需要对卡体进行铣槽作业，而铣槽作业是难以批量进行的，一次性只能对一张卡体进行铣槽，因此在卡体制作的子工艺中需要将层压后的上基层、线圈层和下基层进行冲切，形成多个单张卡体。由于需要对单张卡体进行铣槽作业，焊接封装的子工艺只能对单张卡体进行作业，生产流程较长，生产效率较低。

b、对单张卡体进行铣槽的过程中，需要铣削成型外槽和内槽，在铣削外槽的过程中，一旦铣削位置或深度存在误差，铣刀会损伤位于线圈层内的线圈，甚至会造成线圈断裂，影响卡片成型后的非接触通信，形成次品。

c、在焊接线圈与焊盘的过程中，首先将部分线圈从外槽中挑出卡体外侧，在卡体外部将被挑出卡体外侧的线圈焊接于焊盘处，产生虚焊的概率较高，实际生产过程中产生虚焊的概率大约维持在2％。产生虚焊的卡片，一部分可以通过人工操作，进行手工碰焊进行补救，其余难以补救的卡片则直接报废，导致该部分工序的成品率相比于其他工序较低，直接影响卡片制作的成品率。

d、由于线圈与芯片模块的焊接位于卡体的外侧，采用机器焊接，焊点的长度普遍较长。芯片模块封装后，在对卡片进行三轮测试的过程中，卡片会产生弯折，线圈与芯片模块的焊点会随卡片弯折而产生弯折，部分卡片由于线圈与芯片模块的焊点较长，线圈与芯片模块的焊点受到弯矩较大，容易导致焊点损坏而脱焊，不能通过产品的合格测试。

e、线圈与芯片模块焊接完成后，需要将线圈重新整理后放置于外槽内，线圈会产生折叠，从而占据一部分厚度空间，芯片模块的外端超出卡体，导致成型后的卡片平整度不佳。为解决这个问题，在对卡体进行铣槽过程中，可增大内槽和外槽的深度之和，但会导致卡体背部的厚度降低，卡体容易产生背后印迹，影响卡片外观。

f、由于卡体是先经过层压成型，之后再将芯片模块封装于卡体内，在封装的过程中，需要使用热压头单独对芯片模块进行加热以及压合，同时为了避免热压头与卡体接触从而影响卡体外观，热压头的形状与芯片模块的形状相同，因此对于异形的芯片模块来说需要更换热压头才能进行作业。

g、在将芯片模块封装于卡体内时，仅对芯片模块进行加热，使与芯片模块接触的卡体部分产生软化，完成芯片模块与卡体的封装。但卡体软化的部分大部分集中于与载带接触的线圈层，因芯片模块与上基层之间具有安装缝隙，上基层产生软化的效果较差，导致芯片模块与卡体之间的安装间隙难以消除，影响卡片外观。若同时对卡体与芯片模块加热进行封装，则会导致卡体产生形变，对卡体外观的影响更大。

实施例一

本实施例提供了一种双界面卡。

结合图1和图2所示，该双界面卡包括第一基层1、中间层2以及芯片模块4，第一基层1和中间层2层叠设置，芯片模块4封装于第一基层1和中间层2内，芯片模块4的一侧暴露于第一基层1远离中间层2的一侧表面。

第一基层1开设有第一孔11，第一孔11贯穿第一基层1，芯片模块4的至少一部分安装于第一孔11。

中间层2埋设有线圈22，线圈22的至少一部分铺设且暴露于中间层2朝向第一基层1的表面，芯片模块4通过导电介质与线圈22暴露于中间层2朝向第一基层1的表面的至少部分电连接。

线圈22暴露于中间层2朝向第一基层1的表面的部分铺设于中间层2，使得线圈22的布置较为平整，不会占据第一孔11内较多的空间，并且芯片模块4设置于第一孔11内后与线圈22通过导电介质电连接，无需将线圈22挑出第一孔11，从而解决由于线圈22占据第一孔11内的空间而影响芯片模块4的安装所引起的卡片质量问题。

可选地，线圈22具有连接端，连接端铺设且暴露于中间层2朝向第一基层1的表面，芯片模块4通过导电介质与连接端电连接，有利于提高线圈22与芯片模块4之间电连接的可靠性。

可选地，第一孔11贯穿第一基层1，以便于芯片模块4与线圈22电连接。

芯片模块4包括载带42和芯片43，芯片43焊接于载带42的第一侧，载带42的第一侧形成有焊盘421，焊盘421和芯片43均与载带42电连接。芯片43的外部具有包封胶，用于保护芯片43。芯片模块4与线圈22电连接具体为线圈22与焊盘421之间通过导电介质电连接。

在一些实施方式中，线圈22与焊盘421之间的导电介质为导电涂层，导电涂层可选用锡膏。导电涂层涂覆于线圈22暴露于中间层2朝向第一基层1的表面的部位，可选地，导电涂层涂覆于线圈22的连接端。芯片模块4中的焊盘421与导电涂层接触，锡膏受热融化，冷却后能够实现焊盘421与线圈22的焊接。

锡膏涂覆于线圈22暴露于中间层2朝向第一基层1的表面的部位，能够控制锡膏的用量，线圈22和焊盘421通过锡膏电连接，锡膏加热融化，冷却后固化，能够实现线圈22与焊盘421的焊接。线圈22与焊盘421采用锡膏焊接，具有焊点短小以及焊接效果好的优点。由于线圈22与焊盘421之间的焊点较为短小，在卡片受到弯曲时，焊点承受的弯矩较小，因此焊点不易损坏，产品进行三轮测试的合格率较高，能够解决碰焊工艺生产的卡片进行三轮测试的合格率较低的问题，即问题d。

在其他一些实施方式中，如图3和图4，线圈22与芯片模块4之间的导电介质为导电片41，导电片41的一部分与芯片模块4固定相接，且导电片41的另一部分与线圈22电连接。导电片41由导电材料制成，如铜箔。

可选地，导电片41位于第一基层1与中间层2之间，或，导电片41位于第一孔11内。

示例性的，导电片41呈条形片状结构，导电片41的一端与第一孔11内的芯片模块4相接，导电片41的另一端延伸至第一基层1除第一孔11以外的区域与中间层2之间，并与线圈22电连接。

导电片41与焊盘421为一体成型或焊接。

导电片41与线圈22为接触式连接或焊接。采用导电片41连接焊盘421和线圈22，若采用焊接的方式，导电片41与线圈22之间的焊点可采用锡膏进行焊接，具有焊点短小以及连接可靠性较高的优点；若采用接触式连接的方式，导电片41与线圈22之间没有焊点。导电片41与线圈22为接触式连接或焊接，都能够解决碰焊工艺生产的卡片进行三轮测试的合格率较低的问题，即问题d。

在一些示例中，线圈22具有两个连接端，导电片41设有两个，芯片模块4通过两个导电片41分别与两个连接端电连接，线圈22、导电片41和芯片模块4电连接后形成回路。

可选地，如图5所示，线圈22两个端部的连接端向线圈22所围面积的内部弯折，使两个连接端位于芯片模块4的两侧，以便于芯片模块4上的两个导电片41与线圈22的两个连接端电连接。

可选地，如图6所示，线圈22的连接端的端部弯折，使连接端的端部与导电片41的长度方向平行，能够提升导电片41与线圈22的连接端的接触面积，从而提升导电片41与线圈22电连接的可靠性和稳定性。进一步地，线圈22的连接端与导电片41平行的部位设为波浪形或折线型，以增大导电片41与线圈22的接触稳定性。

可选地，导电片41的长度与载带42的长度相同，以便导电片41有足够的长度与线圈22接触，实现电连接。

在一些示例中，线圈22的连接端呈直线型，导电片41呈条形片状结构，线圈22的连接端与导电片41交叉设置，可选地，垂直交叉。在安装芯片模块4的过程中，能够顺利实现线圈22与导电片41互相接触。

导电片41与线圈22之间为接触式连接时，线圈22的连接端可弯折形成波浪形或折线型，以增大导电片41与线圈22的接触面积，并且增大导电片41与线圈22接触的稳定性。

在一些实施方式中，中间层2开设有第二孔21，第二孔21与第一孔11连通。芯片模块4安装于第一基层1和中间层2内后，芯片模块4的至少一部分设于第二孔21内。

可选地，芯片模块4的一部分设于第一孔11中，另一部分设于第二孔21中，且芯片模块4设于第一孔11内的部分为载带42，设于第二孔21内的部分为芯片43。

可选地，垂直于第一基层1的方向，第二孔21的投影落入第一孔11的投影。第一孔11和第二孔21形成沿着由第一基层1至中间层2尺寸缩小的阶梯孔，线圈22的连接端能够暴露于第一孔11与第二孔21形成的阶梯面处。芯片模块4安装于阶梯孔时，载带42容置于第一孔11内，载带42上的焊盘421能够与线圈22的连接端对齐且通过导电介质电连接，芯片43及芯片43外部的包封胶容置于第二孔21内。

可选地，芯片43焊接于载带42的中间部位，第一孔11与第二孔21的中心线重合，以便于芯片43和载带42能够顺利地容置于第二孔21和第一孔11内。当然，芯片43也可以焊接于载带42的其他部位，第一孔11和第二孔21的位置应当根据芯片43和载带42的位置做适当调整，保证芯片模块4安装后，芯片43容置于第二孔21，载带42容置于第一孔11。

在安装过程中，第一孔11于中间层2投影的长宽略大于载带42于中间层2投影的长宽，第二孔21于中间层2投影的长宽略小于第一孔11于中间层2投影的长宽，并且第二孔21于中间层2投影的长宽大于位于芯片43外部的包封胶于中间层2投影的长宽，即载带42安装于第一孔11后，载带42与第一孔11间隙配合，芯片43安装于第二孔21后，芯片43与第二孔21间隙配合，以便芯片模块4能够顺利安装于第一孔11和第二孔21中。当芯片模块4安装于第一孔11和第二孔21内之后，可以采用加热层压的方式，对第一基层1、中间层2和芯片模块4进行层压，层压过程中，第一基层1会产生塑性变形，封闭第一孔11与载带42之间的间隙。

在一些示例中，垂直于第一基层1的方向，第二孔21的投影与第一孔11的投影部分重合，或第一孔11的投影落入第二孔21的投影。在这些示例中，线圈22与芯片模块4之间的导电介质为导电片41，导电片41位于第一基层1和中间层2之间，以保证线圈22暴露于中间层2朝向第一基层1的表面的部分通过导电片41与芯片模块4电连接。

在一些实施方式中，双界面卡还包括第二基层3，第二基层3设置于中间层2背离第一基层1的一侧，第一基层1、中间层2和第二基层3顺次层叠设置，通过层压固定。

可选地，第二基层3包括第二基片31和第二保护膜32，第二保护膜32位于第二基片31背离中间层2的一侧。第二保护膜32与第二基片31之间可选择性设置下印刷层。第二保护膜32主要用于保护第二基片31，下印刷层则用于提供卡片的印刷图样。

可选地，第一基层1包括第一基片12和第一保护膜13，第一保护膜13位于第一基片12背离中间层2的一侧。第一保护膜13与第一基片12之间可选择性设置上印刷层。第一保护膜13主要用于保护第一基片12，上印刷层则用于提供卡片的印刷图样。

实施例二

本实施例提供了一种双界面板制造工艺，用于加工制造实施例一所述的双界面板，包括步骤S1至步骤S8。

S1：设置第一基层1。其中，第一基层1预设有多个间隔设置的第一孔11。

S2：设置中间层2。其中，中间层2的内部预埋设多个间隔设置的线圈22，使各个线圈22的至少一部分暴露于中间层2朝向第一基层1的表面。

S3：设置第二基层3。

S4：将第一基层1、中间层2和第二基层3顺次层叠设置，使每个线圈22与第一孔11对应设置。

S5：在将第一基层1、中间层2和第二基层3层叠设置之前或之后，对应各第一孔11分别设置芯片模块4，使每个芯片模块4的至少一部分位于对应的第一孔11中。

S6：将芯片模块4与线圈22电连接。

S7：将第一基层1、中间层2、第二基层3和各芯片模块4固定相接，形成基板。

S8：将基板冲裁形成多个卡片，每个卡片均包括一个芯片模块4。

在上述双界面卡制造工艺中，第一孔11预设于第一基层1，第一基层1与中间层2和第二基层3依次层叠设置之前或之后，再将芯片模块4设置于对应的第一孔11内，并且完成芯片模块4与线圈22的电连接，之后将第一基层1、中间层2、第二基层3和各芯片模块4固定相接，形成基板，最后对基板进行冲裁，形成多张卡片。采用上述双界面卡制造工艺，预设有第一孔11的第一基层1可采用大张面板，中间层2和第二基层3也同样可以采用大张面板，芯片模块4可以批量设置于第一孔11内，因此，生产过程可采用大张化生产，经过一个生产流程能够同时生产多张卡片，能够大大缩短生产流程，提升生产效率，解决了碰焊工艺生产流程长、生产效率低的问题，即问题a。

同时，由于第一孔11预设于第一基层1，成型第一孔11的过程单独进行，不会对中间层2中的线圈22产生影响，解决了成型第一孔11的过程中会损伤线圈22的问题，即问题b。

在一些实施方式中，设置第一基层1的步骤S1之前，包括：制造第一基层1，于第一基层1一次冲压形成各第一孔11。采用冲压成型第一孔11，便于批量成型第一孔11，并且成型速度快，成本低。

可选地，第一基层1包括第一基片12和第一保护膜13，第一基片12和第一保护膜13层叠设置后通过层压形成第一基层1，或，第一基片12和第一保护膜13对齐后进行初次固定形成第一基层1。第一基片12和第一保护膜13对齐后进行初次固定的手段可以为点焊。

在一些实施方式中，在步骤S2中，使各所述线圈22的至少一部分暴露于所述中间层2朝向所述第一基层1的表面，包括：线圈22具有连接端，使各线圈22的连接端暴露于中间层2朝向第一基层1的表面。导电介质可以覆设于线圈22的连接端，和/或线圈22的其余部位。

在一些实施方式中，在步骤S3中，设置第二基层3的步骤S3之前，包括制造第二基层3。可选地，第二基层3包括第二基片31和第二保护膜32，第二基片31和第二保护膜32层叠设置后通过层压形成第二基层3，或，第二基片31和第二保护膜32对齐后进行初次固定形成第二基层3。

在一些实施方式中，将芯片模块4与线圈22电连接的步骤S6包括：在线圈22的连接端处覆设导电介质，使芯片模块4与导电介质相接。

可选地，在将导电介质覆设于线圈22之前，去除线圈22于导电介质的覆设处的漆层，以便于线圈22通过导电介质与芯片模块4能够更好地实现电连接。

可选地，导电介质为锡膏。将锡膏涂覆于线圈22的连接端处，使芯片模块4与锡膏接触。待锡膏受热融化之后再冷却，就能够通过锡膏对线圈22和芯片模块4进行焊接。

可选地，导电介质为导电片41。导电片41的一端与芯片模块4固定相接，导电片41的另一端与线圈22的连接端处相接。其中，导电片41与线圈22的连接端处可以为焊接或接触式电连接。

芯片模块4包括载带42和芯片43，载带42具有焊盘421。导电片41与焊盘421为焊接固定或一体成型。

可选地，步骤S5中，在每个第一孔11中设置芯片模块4之前还包括制造芯片模块4。

制造芯片模块4，包括：将芯片43电连接于载带42的第一侧，且在载带42的第一侧设置焊盘421，导电介质与焊盘421电连接。

在一些示例中，导电介质为导电片41时，制造芯片模块4的步骤中，导电介质与焊盘421电连接，包括：将导电片41焊接于焊盘421。

在其他一些示例中，导电介质为导电片41时，载带42包括依次层叠设置的上铜箔423、绝缘层422和下铜箔424，导电介质与焊盘421为一体成型实现电连接。绝缘层422可以为玻织布。

制造芯片模块4的步骤还包括制造载带42，具体结合图7和图8所示，制造载带42包括步骤S051至步骤S055。

S051：设置绝缘层422、上铜箔423和下铜箔424。

绝缘层422预设有多个预留孔4221，绝缘层422的布置如图7所示，绝缘层422具有多道间隔部4222，多道间隔部4222纵横交错，形成多个成型区，每个成型区内均具有两个预留孔4221，每个成型区内的两个预留孔4221之间的绝缘层422的部分为保留区4223，每个保留区4223与单个芯片模块4的载带42对应，且形状相同。

上铜箔423和下铜箔424的长、宽一般与绝缘层422的长、宽相同，以便于对齐绝缘层422、上铜箔423和下铜箔424。

设置绝缘层422之前，在绝缘层422内加工成型预留孔4221，一般采用冲压成型。

S052：将上铜箔423、绝缘层422和下铜箔424依次层叠对齐，并进行层压，形成载带主体。

上铜箔423、绝缘层422和下铜箔424层压之后能够形成的载带主体具有较为稳定的结构，作为生产载带42的母体。

S053：蚀刻上铜箔423，使上铜箔423成型与预留孔4221完全对应的成型孔4231。

如图8所示，通过蚀刻的作用，将上铜箔423与预留孔4221对应的部分蚀刻掉，从而在上铜箔423处成型与预留孔4221完全对应的成型孔4231。蚀刻后，每个成型区内对应的上铜箔423与保留区4223对应，且形状相同。

S054：蚀刻下铜箔424，蚀刻后下铜箔424中的至少一部分形成多个导电片41。

如图8所示，通过对下铜箔424按设计要求进行蚀刻，蚀刻后剩余的下铜箔424中的至少一部分为导电片41。

每个载带42对应两个导电片41，两个导电片41位于每个载带42的第一侧和第二侧，导电片41的一部分与载带42的线圈焊盘421对应且电连接，导电片41的另一部分超出对应载带42的第一侧或第二侧。

导电片41的形状有多种。示例性的，如图9所示，导电片41为方形，导电片41的宽度与载带42的宽度相同。或，如图10所示，导电片41为T型，导电片41的T型的头部与载带42的线圈焊盘421对应且电连接，导电片41的T型的尾部超出载带42的第一侧或第二侧。或，如图11所示，导电片41为条形。

其中，导电片41的宽度越大，导电片41与线圈22的接触效果越好，导电片41的宽度可以大于单个载带42对应的宽度。当然，也可以根据需要，将导电片41的宽度设置为小于或等于单个载带42的宽度。

S055：模切载带主体，形成多个载带42。

载带主体模切后，每个成型区形成一个具有导电片41的载带42，具体结构如图12所示。

利用步骤S051至步骤S055制造载带42，载带42采用大张化生产，即，采用面积较大的上铜箔423、绝缘层422和下铜箔424进行生产，上铜箔423、绝缘层422和下铜箔424层压后形成大张的载带主体，对载带主体进行蚀刻后模切，每个大张的载带主体可制成多个芯片模块4中使用的载带42，大大提升加工效率。图7和图8仅是大张生产中绝缘层422和载带主体的部分结构示意图，在实际生产过程中，载带主体的横向可布置多个成型区，载带主体的纵向也可布置多个成型区，每个成型区内均可成型一个具有导电片41的载带42。

在步骤S054中，蚀刻后的下铜箔424可以直接成型导电片41。或，蚀刻后的下铜箔424中的一部分为导电片41，通过步骤S055的模切后，能够将下铜箔424模切后分离，与保留区4223相接的部分为导电片41。

其中，上铜箔423和下铜箔424还包括其它与现有技术中相同的功能区域，未在图中明示。

可选地，在步骤S055的之前或之后，包括：将芯片43焊接于下铜箔424。以在完成步骤S055之后，形成多个完整的芯片模块4。其中，若在步骤S054之前，将芯片43焊接于下铜箔424，可以将焊接用的锡膏涂覆于下铜箔424，之后将芯片43通过贴片机批量贴片焊接于下铜箔424，实现批量生产，提升生产效率。

在一些实施方式中，步骤S2中设置的中间层2预设有多个间隔设置的第二孔21。在设置中间层2的步骤S2之前，包括：制造中间层2，于中间层2一次冲压形成多个第二孔21，在第一基层1、中间层2和第二基层3层叠设置的状态下，每个第二孔21均与一个第一孔11连通，每个芯片模块4的载带42设于对应的第一孔11中，每个芯片模块4的芯片43设于对应的第二孔21中。

在中间层2开设第二孔21，能够通过第二孔21容置芯片模块4中的芯片43，对芯片43实现更好的保护作用。采用冲压成型的方式开设第二孔21，能够提升加工效率，降低加工成本。

在一些实施方式中，步骤S7中，将第一基层1、中间层2、第二基层3和各芯片模块4固定相接，形成基板，包括：

S71：将第一基层1、中间层和第二基层3预定位；

S72：将第一基层1、中间层2、第二基层3和芯片模块4层压固定。

将第一基层1、中间层和第二基层3预定位，能够提升第一基层1、中间层和第二基层3层叠设置后的稳定性，避免第一基层1、中间层2、第二基层3在层压固定的过程中产生偏移。第一基层1、中间层2、第二基层3预定位的方式可以为点焊。

在一些实施方式中，步骤S5中，在将第一基层1、中间层2和第二基层3层叠设置之前，对应各第一孔11分别设置芯片模块4，使每个芯片模块4的至少一部分位于对应的第一孔11中。

示例性的，芯片模块4的载带42容置于对应的第一孔11内，导电片41贴合于第一基层1朝向中间层2的表面。芯片模块4容置于对应的第一孔11后，将第一基层1、中间层2和第二基层3层叠设置，导电片41能够与线圈22接触电连接，或采用锡膏与线圈22焊接。

在其他一些实施方式中，步骤S5中，在将第一基层1、中间层2和第二基层3层叠设置之后，对应各第一孔11分别设置芯片模块4，使每个芯片模块4的至少一部分位于对应的第一孔11中。

示例性的，芯片模块4的载带42容置于第一孔11内，芯片43容置于第二孔21内，线圈22暴露于中间层2朝向第一基层1表面的部分与焊盘421接触或采用锡膏焊接，使线圈22与芯片模块4电连接。

在上述示例中，焊盘421和芯片43位于载带42朝向中间层2的一侧表面，芯片43仅占据载带42的一部分，一般芯片43位于载带42的中间部位。每个线圈22的连接端于中间层2的投影落入第一孔11于中间层2的投影中，即，使中间层2朝向第一基层1的一侧的一部分表面暴露于第一孔11中，线圈22的连接端可以延伸至中间层2暴露于第一孔11中的表面处，在装设芯片模块4时，芯片43容置于第二孔21内，载带42容置于第一孔11内，载带42朝向芯片43的部分表面与中间层2暴露于第一孔11内的部分表面相对，从而顺利实现焊盘421与线圈22的连接端之间的电连接。

在本申请实施例中，步骤S1至步骤S3不分先后顺序，在完成步骤S1、步骤S2及步骤S3之后，步骤S4至步骤S7的实施顺序可以包括以下两种方式。

示例性的，步骤S4至步骤S7的一种实施顺序为：

首先，执行步骤S4，将第一基层1、中间层2和第二基层3顺序层叠设置，使每个线圈22与第一孔11对设置；

之后，执行步骤S7中的步骤S71，将顺序层叠的第一基层1、中间层2和第二基层3进行预定位；

之后，执行步骤S5，对应各第一孔11分别设置芯片模块4，使每个芯片模块4的至少一部分位于对应的第一孔11中；在这个过程中，芯片模块4与线圈22暴露于中间层2朝向第一基层1表面的部分电连接，完成步骤S6；

最后，执行步骤S7中的步骤S72，对设置芯片模块4的且顺序层叠的第一基层1、中间层2和第二基层3进行层压固定。

示例性的，步骤S4至步骤S7的另一种实施顺序为：

首先，执行步骤S5，对应各第一孔11分别设置芯片模块4，使每个芯片模块4的至少一部分位于对应的第一孔11中，其中，芯片模块4的焊盘421位于芯片模块4朝向中间层2的表面；

之后，执行步骤S4，将第一基层1、中间层2和第二基层3顺序层叠设置，使每个线圈22与第一孔11对设置，在这个过程中，芯片模块4的焊盘421与线圈22暴露于中间层2朝向第一基层1表面的部分通过导电介质电连接，完成步骤S6；

最后，执行步骤S7，将第一基层1、中间层2、第二基层3和各芯片模块4固定相接，形成基板。

综上所述，本申请实施例的双界面卡制造工艺具有以下优点：

预设有第一孔11的第一基层1可采用大张面板，预设有第二孔21的中间层2以及第二基层3也同样可以采用大张面板，芯片模块4可以批量设置于第一孔11内，因此，生产过程可采用大张化生产，经过一个生产流程能够同时生产多张卡片，能够大大缩短生产流程，提升生产效率，解决了碰焊工艺生产流程长、生产效率短的问题，即问题a。

第一孔11预设于第一基层1，第二孔21预设于中间层2，第一孔11和第二孔21成型于第一基层1和中间层2层叠设置之前，因此成型第一孔11和第二孔21的过程中，不会对线圈22产生影响，解决了成型第一孔11的过程中会损伤线圈22的问题，即碰焊工艺中产生的问题b。

在将第一基层1、中间层2和第二基层3层叠设置之前或之后，对应各第一孔11分别设置芯片模块4，使每个芯片模块4的至少一部分位于对应的第一孔11中。线圈22的至少一部分也能够暴露且铺设设置于中间层2朝向第一基层1的表面，无需将线圈22挑出第一孔11的外部，在芯片模块4设置于对应的第一孔11内的过程中，芯片模块4与线圈22能够通过导电介质实现电连接，从而解决由于线圈22占据第一孔11内的空间而影响芯片模块4的安装所引起的卡片质量问题，即碰焊工艺中产生的问题c和问题e。

芯片模块4与线圈22通过锡膏进行电连接时，线圈22与芯片模块4之间的焊点短小，在卡片受到弯曲时，焊点承受的弯矩较小，因此焊点不易损坏，产品进行三轮测试的合格率较高，能够解决碰焊工艺生产的卡片进行三轮测试的合格率较低的问题，即问题d。芯片模块4与线圈22通过导电片41进行电连接时，导电片41与线圈22之间为接触连接或通过锡膏焊接，导电片41与线圈22之间没有焊点或焊点短小，也能够解决碰焊工艺生产的卡片进行三轮测试的合格率较低的问题，即问题d。

第一基层1、中间层2、第二基层3和芯片模块4同时进行层压，无需单独设置热压头对芯片模块4进行单独层压，对任意形状的芯片模块4均可采用同一组层压设备对第一基层1、中间层2、第二基层3和芯片模块4进行层压，解决了不同形状芯片模块4层压过程中对热压头适应性较差的问题，即碰焊工艺中产生的问题f。

第一基层1、中间层2、第二基层3和芯片模块4进行层压固定之前，芯片模块4已经与第一基层1、中间层2和第二基层3完成安装，此时进行层压，形成第一基层1的材料在层压的过程中会因受热和受压产生微量的流动，从而填充芯片模块4与第一基层1之间的间隙，解决了芯片模块4与第一基层1之间的缝隙难以填充的问题，即解决碰焊工艺中产生的问题g。

以上仅为本申请的优选实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (16)

1.一种双界面卡制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：

设置第一基层，所述第一基层预设有多个间隔设置的第一孔；

设置中间层，所述中间层的内部预埋设多个间隔设置的线圈，使各所述线圈的至少一部分暴露于所述中间层朝向所述第一基层的表面；

设置第二基层；

将所述第一基层、所述中间层及所述第二基层顺次层叠设置，使每个所述线圈与一个所述第一孔对应设置；

在将所述第一基层、所述中间层及所述第二基层层叠设置之前或之后，对应各所述第一孔分别设置芯片模块，使每个所述芯片模块的至少一部分位于对应的所述第一孔中，将所述芯片模块与对应的所述线圈电连接；

将所述第一基层、所述中间层、所述第二基层及各所述芯片模块固定相接，形成基板；

将所述基板冲裁形成多个卡片，每个卡片均包括一个所述芯片模块。

2.根据权利要求1所述的双界面卡制造工艺，其特征在于，使各所述线圈的至少一部分暴露于所述中间层朝向所述第一基层的表面，包括：

所述线圈具有连接端，使各所述线圈的所述连接端暴露于所述中间层朝向所述第一基层的表面。

3.根据权利要求2所述的双界面卡制造工艺，其特征在于，将所述芯片模块与对应的所述线圈电连接，包括：

在所述连接端处覆设导电介质，使所述芯片模块与所述导电介质相接。

4.根据权利要求3所述的双界面卡制造工艺，其特征在于，在所述连接端处覆设导电介质，使所述芯片模块与所述导电介质相接，包括：

所述导电介质为导电片，将所述导电片的一端与所述芯片模块固定相接，所述导电片的另一端与所述连接端相接。

5.根据权利要求1所述的双界面卡制造工艺，其特征在于，将所述第一基层、所述中间层、所述第二基层及各所述芯片模块固定相接，形成基板，包括：

将所述第一基层、所述中间层和所述第二基层预定位；

将所述第一基层、所述中间层、所述第二基层及所述芯片模块层压固定。

6.根据权利要求1所述的双界面卡制造工艺，其特征在于，在设置第一基层之前包括：

制造所述第一基层，于所述第一基层一次冲压形成各所述第一孔。

7.根据权利要求3所述的双界面卡制造工艺，其特征在于，所述芯片模块包括载带和芯片；在每个所述第一孔中设置芯片模块之前，还包括：

制造所述芯片模块，包括：

将所述芯片电连接于载带的第一侧，且在所述载带的第一侧设置焊盘，所述导电介质与所述焊盘电连接。

8.根据权利要求7所述的双界面卡制造工艺，其特征在于，在设置中间层之前，包括：

制造所述中间层，于所述中间层一次冲压形成多个第二孔，在所述第一基层、所述中间层及所述第二基层层叠设置的状态下，每个所述第二孔均与一个所述第一孔连通；

每个所述芯片模块的所述载带设于对应的所述第一孔中，且每个所述芯片模块的所述芯片设于对应的所述第二孔中。

9.根据权利要求4所述的双界面卡制造工艺，其特征在于，所述芯片模块包括载带和芯片，所述载带包括顺序层叠设置的上铜箔、绝缘层和下铜箔；在每个所述第一孔中设置芯片模块之前，还包括：

制造所述芯片模块，包括：

设置上铜箔、绝缘层和下铜箔，所述绝缘层预设有多个预留孔；

将所述上铜箔、所述绝缘层和所述下铜箔依次层叠对齐，并进行层压，形成载带主体；

蚀刻所述上铜箔，使所述上铜箔成型与所述预留孔完全对应的成型孔；

蚀刻所述下铜箔，所述下铜箔蚀刻后的至少一部分形成多个所述导电片；

模切所述载带主体，形成多个所述载带。

10.根据权利要求9所述的双界面卡制造工艺，其特征在于，所述绝缘层为玻织布。

11.一种双界面卡，其特征在于，采用如权利要求1-10任一项所述的双界面卡制造工艺制成，所述双界面卡包括第一基层、中间层及芯片模块，所述第一基层与所述中间层层叠设置；

所述第一基层开设有第一孔，所述芯片模块的至少一部分安装于所述第一孔内；

所述中间层埋设有线圈，所述线圈的至少一部分暴露且铺设于所述中间层朝向所述第一基层的表面，所述芯片模块通过导电介质与所述线圈暴露于所述中间层朝向所述第一基层的表面的部分电连接。

12.根据权利要求11所述的双界面卡，其特征在于，所述线圈具有连接端，所述连接端暴露于所述中间层朝向所述第一基层的表面，所述芯片模块通过所述导电介质与所述连接端电连接。

13.根据权利要求11所述的双界面卡，其特征在于，所述导电介质为导电片，所述导电片的一部分与所述芯片模块固定相接，且所述导电片的另一部分与所述线圈电连接。

14.根据权利要求13所述的双界面卡，其特征在于，所述导电片呈条形片状结构，所述导电片的一端于所述第一孔内与所述芯片模块相接，所述导电片的另一端延伸至所述第一基层除所述第一孔以外的区域与所述中间层之间，并与所述线圈电连接。

15.根据权利要求12所述的双界面卡，其特征在于，所述导电介质为导电涂层，所述导电涂层涂覆于所述线圈，且所述芯片模块与所述导电涂层导电接触。

16.根据权利要求12所述的双界面卡，其特征在于，所述中间层开设有第二孔，所述第二孔与所述第一孔连通，所述芯片模块的至少一部分设于所述第二孔中。

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