KR970010805A - 유기규소 측쇄를 함유하는 3원공중합체 및 릴리프 구조물 제조에 있어서의 이의 용도 - Google Patents

유기규소 측쇄를 함유하는 3원공중합체 및 릴리프 구조물 제조에 있어서의 이의 용도 Download PDF

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Abstract

화학식(1)의 반복구조 단위 20 내지 70㏖%와 화학식 (2)의 반복 구조 단위 3내지 40㏖% 뿐만 아니라 다수의 구조 단위로서 규소 함량이 7 내지 20중량%로 되도록 3원 공중합체에 함유되는 화합식 (3)의 반복 구조 단위를 함유하는 3원 공중합체 및 로지티브식 광내식막(photoresist)의 제조, 특히 다층 기술에 있어서의 이의 용도가 기재되어 있다.
상기 화학식(1), 화학식(2) 및 화학식(3)에서, A는 직접 단일 결합 또는 화학식의 그룹이고, R1은 수소 원자 또는 메틸 그룹이고, R2는 2-푸라닐옥시 또는 2-피라닐 옥시 그룹 또는 화학식또는의 그룹(여기서 R5는 C1-C6알킬 그룹 또는 페닐 그룹이고, R6은 C1-C6알킬 그룹 또는 페닐 그룹이고, R7은 C1-C6알킬 그룹 또는 페닐 그룹이다)이고, R3은 화학식 -COOH 또는 -CN 그룹이고, R4는 화학식및의 그룹(여기서 Y는 수소원자, 염소 원자 또는 메틸 그룹이고, Z는 화학식 -OSi(CH3)3의 그룹이고, m은 1,2 또는 3이고, n은 3-m이며, p는 0, 1 2 또는 3이다)이다.

Description

유기규소 측쇄를 함유하는 3원공중합체 및 릴리프 구조물 제조에 있어서의 이의 용도
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (14)

  1. 화학식(1)의 반복구조 단위 20 내지 70㏖%와 화학식 (2)의 반복 구조 단위 3내지 40㏖% 뿐만 아니라 다수의 구조 단위로서 규소 함량이 7 내지 20중량%로 되도록 3원 공중합체에 함유되는 화합식 (3)의 반복 구조 단위를 함유하는 3원 공중합체.
    상기 화학식(1), 화학식(2) 및 화학식(3)에서, A는 직접 단일 결합 또는 화학식의 그룹이고, R1은 수소 원자 또는 메틸 그룹이고, R2는 2-푸라닐옥시 또는 2-피라닐 옥시 그룹 또는 화학식또는의 그룹(여기서 R5는 C1-C6알킬 그룹 또는 페닐 그룹이고, R6은 C1-C|6알킬 그룹 또는 페닐 그룹이고, R7은 C1-C6알킬 그룹 또는 페닐 그룹이다)이고, R3은 화학식 -COOH 또는 -CN 그룹이고, R4는 화학식
    의 그룹(여기서 Y는 수소원자, 염소 원자 또는 메틸 그룹이고, Z는 화학식 -OSi(CH3)3의 그룹이고, m은 1,2 또는 3이고, n은 3-m이며, p는 0, 1, 2 또는 3이다)이다.
  2. 제1항에 있어서, R3이 화학식 -COOH의 그룹인 3원공중합체.
  3. 제1항에 있어서, R1이 메틸 그룹인 3원공중합체.
  4. 제1항에 있어서, p가 1, 2 또는 3인 3원공중합체.
  5. 제4항에 있어서, p가 3인 3원공중합체.
  6. 제1항에 있어서, R2가 화학식의 그룹인 3원공중합체.
  7. 제1항에 있어서, R2가 화학식의 그룹이고, R3이 화학식 -COOH의 그룹이며, R4가 화학식 -(CH3)3-Si[OSi(CH3)3]3의 그룹인 3원공중합체.
  8. 제1항에 있어서, 화학식(2)의 반복 구조 단위를 3 내지 35㏖% 함유하는 3원공중합체.
  9. 제7항에 있어서, 화학식(2)의 반복 구조 단위를 3 내지 31㏖% 함유하고, 화학식(3)의 반복 구조 단위를 10 내지 30㏖% 함유하며, 화학식(1)의 반복 구조 단위가 100㏖%의 나머지를 형성하는 3원공중합체.
  10. 제1항에 따르는 3원공중합체와 파장이 300nm 미만인 화학선(actinic radiation)의 영향하에서 산을 형성하는 물질을 함유하는 방사선 감수성 조성물.
  11. 필름 형성 유기 물질의 제1피막을 기판에 제공하는 단계(a1), 제1항에 따르는 3원공중합체와 파장이 260nm미만인 화학선의 영향하에서 산을 형성하는 광개시제를 함유하는 제2피막을 제1피막 위에 도입하는 단계(b1), 이렇게 피복된 기판에 상 형성 방식으로 광개시제가 민감한 파장의 방사선, 특히 파장이 248 내지 254nm 또는 193nm인 방사선을 조사하는 단계(c1), 열처리하는 단계(d1), 제2피막의 조사된 부위가 제거될 때까지 수성 알칼리 현상 용액으로 처리하는 단계(e1) 및 제1피막이 제2피막에 의해 커버되지 않은 부위에서 완전히 제거될 때 까지 산소 함유 플라즈마로 처리하는 단계(f1)를 특징으로 하는 기판의 석판 처리방법.
  12. 제11항에 따르는 방법을 포함하는 제품, 특히 전자부품의 제조방법.
  13. 제1항에 따르는 3원공중합체와 파장이 260nm미만인 화학선의 영양하에 산을 형성하는 광개시제를 함유하는 피막을 기판 위에 도입하는 단계(a2), 이렇게 피복된 기판에 상형성 방식으로 광개시제가 민감한 파장의 방사선, 특히 파장이 248 내지 254nm 또는 193nm인 방사선을 조사하는 단계(b2), 열처리하는 단계(c2) 및 제2피막의 조사부위가 제거될 때 까지 수성 알칼리 현상 용액으로 처리하는 단계(d2)를 특징으로 하는 기판의 석판 처리방법.
  14. 제13항에 따르는 방법을 포함하는 제품, 특히 전자 구조 부품의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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