KR920022046A - 내식막 물질 및 이의 사용방법 - Google Patents

내식막 물질 및 이의 사용방법 Download PDF

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에드워드 헨슨 제임스
에드워드 노벰버 앤소니
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비. 에스. 슈나이더
아메리칸 텔레폰 앤드 텔레그라프 캄파니
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Abstract

내용 없음.

Description

내식막 물질 및 이의 사용방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (9)

  1. 장치 기판 위에 내식막 층〔여기서, 내식막 층은 화학선에 노광시 산을 발생시켜 내식막 층에서의 용해도 변경을 유도하는 산 발생 물질을 포함한다〕을 형성시키고, 당해 내식막층을 화학선에 노광시켜 목적하는 패턴 또는 부조 (浮彫; relief)를 수득한 다음, 당해 패턴 또는 부조를 형상시키는 단계들을 포함하는 장치의 제조방법에 있어서, 산 발생 물질이 하기 일반식으로 나타내어지는 조성물을 포함함을 특징으로 하는 장치 제조방법.
    상기식에서, X는 0 또는 1이고, A는 방향족 사이클릭, 카보닐 또는 시아노 잔기이며, R1, R2, R3및 R5는 산이 안정하도록 선택된다.
  2. 제1항에 있어서, R1, R2, R3및 R5가 모두 수소인 방법.
  3. 제1항에 있어서, A가 페닐 또는 나프틸인 방법.
  4. 제3항에 있어서, A가 치환체인 R4, 또는 R6이 할로겐인 방법.
  5. 제3항에 있어서, A의 치환체인 R4또는 R6이 메톡시인 방법.
  6. 제1항에 있어서, A의 치환체인 R4또는 R6이 산불안정성이 되도록 선택하여 산 발생 물질이 산 감지성 물질로서도 작용하도록 하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, R1, R2, R3및 R5가 각각 독립적으로 수소, 저급 알킬 또·는 치환된 저급 알킬인 방법.
  8. 제1항에 있어서, A의 치환체인 R4,또는 R6이 목적하는 방사선 감지도, 용해도 또는 반응도 특성을 수득하도록 선택된 방법.
  9. 제1항에 있어서, 산이 산 감지성 물질과 상호작용하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920008223A 1991-05-20 1992-05-15 내식막 물질 및 이의 사용방법 KR100206623B1 (ko)

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