KR830007025A - 감광성 (感光性)조성물 및 그것을 사용한 패터언 형성방법 - Google Patents

감광성 (感光性)조성물 및 그것을 사용한 패터언 형성방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

감광성 조성물(感光性組成物)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (23)

  1. 본문에 상술한 바와 같이 노광에 의해서 점착성을 발생시키는 방향족디아조늄염과 일반식
    으로 표시되는 화합물의 염을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광석 조성물.
    (여기서 R1및 R2는 직쇄알킬기를, X, Y 및 Z는 각기 H, 직쇄알킬기 또는 알콕시기를 나타내며, 단 X, Y 및 Z가 동시에 둘이상 H인 일은 없는 것으로 한다.)
  2. 상기 일반식에 있어서의 표시되는 화합물의 염의 양은 방향족 디아조늄염에 대해 300-1중량%의 범위인 특허청구의 범위 1기재의 감광성조성물.
  3. 상기 일반식에 있어서의 R1및 R2가 탄소수 2이하의 직쇄알킬기인 특허청구의 범위 1기재의 감광성 조성물.
  4. 상기 일반식에 있어서의 R1및 R2가 메틸기인 특허청구의 범위 3기재의 감광성 조성물.
  5. 상기 일반식에 잇어서의 X, Y 및 Z중, 직쇄알킬기인 것이 탄소수 2이하의 알킬기인 특허청구의 범위 1에서 4까지의 어딘가에 기재한 감광성조성물.
  6. 상기 일반식에 있어서의 X, Y 및 Z중, 알콕시인 것이 탄소수 2이하의 알콕시기인 특허청구의 범위 1에서 4까지의 어딘가에 기재한 감광성조성물.
  7. 상기 일반식에 표시되는 화합물의 염이 염산염 염화아연복염인 특허청구의 범위 1에서 4까지의 어딘가에 기재한 감광성조성물.
  8. 상기 일반식에서 표시되는 화합물의 염이 2, 6-디메틸-N, N-디메틸아닐린, 3, 5-디메틸-N, N-디메틸아닐린, 2, 4, 6-트리메틸-N, N-디메틸아닐린, 2, 6-디엘틸-N, N-디메틸아닐린, 3-메톡시-2, 6-디메틸-N, N-디메틸아닐린, 3-에톡시-2, 6-디메틸-N, N-디메틸아닐린, 4-메톡시-2, 6-디메틸-N, N-디메틸아닐린 및 4-에톡시-2, 6-디메틸-N, N-디메틸아닐린으로 이루어진 군(群)에서 선정된 적어도 1종의 화합물의 염인 특허청구의 범위 1에서 4까지의 어딘가에 기재된 감광성조성물.
  9. 상기 일반식에서 표시되는 화합물의 염이 염산염, 염화아연복염인 특허청구의 범위 8기재의 감광성조성물.
  10. 유기고분자화합물을 방향족디아조늄염에 대해 0.5-500중량%의 범위에서 다시 포함하는 것을 특징으로 하는 특허청구의 1에서 4까지의 어딘가에 기재된 감광성조성물.
  11. 유기고분자화합물이 아라비아고무, 폴리비닐알토코올, 폴리아크리아미드, 폴리 N-비닐필로리돈, 히드록시프로필메틸셀룰로우스, 알긴산, 알긴산의 프로필렌글리코올에스테르, 아크릴아미드 디아세톤아크릴아미드 공중합체 및 메틸비닐에에테르 부수말레인산 공중합체로 이루어진 군에서 선정된 적어도 1종의 유기고분자화합물인 특허청구 범위 10기재의 감광성조성물.
  12. 노광에 의해서 점착성을 발생하는 방향족디아조늄염과, 일반식
    으로 표시되는 화합물의 염을 포함하는 감광성조성물을 기판상에 도포하여 박층으로 하는 공정과, 이 박층에 도형상의 노광을 하여 노광부에 점착성을 발생시키는 공정과, 노광후의 박층에 분체입자를 접촉시켜, 노광부에 분체를 부착시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 분체 도포층의 패턴을 형성하는 방법.
    (여기서 R1및 R2는 직쇄알킬기를 X, Y 및 Z는 각기 H, X직쇄알킬기 또는 알톡시기를 나타내며, 단 X, Y 및 Z가 동시에 둘 이상 H인 일은 없는 것으로 한다.)
  13. 상기 일반식에서 표시되는 화합물의 염의 양은 방향족디아조늄염에 대해서 300-1중량%의 범위인 특허청구의 범위 12기재의 패턴을 형성하는 방법.
  14. 상기 일반식에 있어서의, R1및 R2가 탄소수 2이하의 직쇄알킬기인 특허청구의 범위 12기재의 패턴을 형성하는 방법.
  15. 상기 일반식에 있어서의, R1및 R2가 메틸기인 특허청구의 범위 14기재의 패턴을 형성하는 방법.
  16. 상기 일반식에 있어서의 X, Y 및 Z중 직쇄알킬기인 것이 탄소수 2이하의 알킬기인 특허청구의 범위 12에서 15까지의 어딘가에 기재된 패턴을 형성하는 방법.
  17. 상기 일반식에 있어서의 X, Y 및 Z중 알콕시기인 것이 탄소수 2이하의 알톡시기인 특허청구의 범위 12에서 15까지의 어딘가에 기재된 패턴을 형성하는 방법.
  18. 상기 일반식에 표시되는 화합물의 염이 염산염 염화아연복염인 특허청구의 범위 12에서 15까지의 어딘가에 기재된 패턴을 형성하는 방법.
  19. 상기 일반식에서 표시되는 화합물의 염이 2, 6-디메틸-N, N-디메틸아닐린, 3, 5-디메틸-N, N-디메틸아닐린, 2, 4, 6-트리메틸-N, N-디메틸아닐린, 2- 6-디에틸-N, N-디메틸아닐린, 3-메톡시-2, 6-디메틸-N, N-디메틸아닐린 및 3-에톡시-2, 6-디메틸-N, N-디메틸아닐린, 4-메톡시-2, 6-디메틸-N, N-디메틸아닐린 및 4-에톡시-2, 6-디메틸-N, N-디메틸아닐린으로 이루어진 군에서 선정된 적어도 1종의 화합물의 염인 특허청구의 범위 12에서 15까지의 어딘가에 기재된 패턴을 형성하는 방법.
  20. 상기 일반식에서 표시되는 화합물의 염이 염산염 염화아연복염인 특허청구의 범위 19기재의 패턴을 형성하는 방법
  21. 상기 감광성조성물이 방향족디아조늄염에 대해서 0.5-500중량%의 범위의 양의 유기고분자화합물을 다시 포함하는 것이 특허청구의 범위 12에서 15까지의 어딘가에 기재된 패턴을 형성하는 방법.
  22. 유기고분자화합물이 아라비아고무, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴아크릴아미드, 폴리 N-비닐필로리돈, 히드록시프로필메틸셀룰로우스 알긴산, 알긴산의 프로필렌글리코올에스테르, 아크릴아미드 디아세톤 아크릴아미드공중합체 및 메틸비닐에에테르 무수말레인산 공중합체로 이루어진 군에서 선정된 적어도 1종의 유기고분자화합물인 특허청구의 범위 21기재의 패턴을 형성하는 방법.
  23. 감광성조성물의 박층이 결정성인 특허청구의 범위 12에서 15까지의 어딘가에 기재된 패턴을 형성하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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