KR890010619A - 감광성 물질 및 그를 이용한 패턴형성 방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

감광성 물질 및 그를 이용한 패턴형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 내지 1c도는 본 발명에 따른 패턴형성 방법의 하나의 실시예를 설명하는 단면도이다.
제2도는 248.4nm근처에서 본 발명의 감광성 조성물의 자외선 분광 측량 특성을 나타내는 그래프이다.
제3a도 내지 3d도는 본 발명에 따른 패턴형성 방법의 다른 실시예를 설명하는 단면도이다.

Claims (16)

  1. 수지 및 하기 일반식(Ⅰ)의 감광석 화합물로 구성된 감광성 조성물 :
    식중, R1은
    이고; X1및 Y1은 각각 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 알콕시기,또는 수지와 반응이 있는 작용기이고; R3및 R4는 각각 수소원자 또는 하나 또는 그 이상의 작용기를 함유할 수 있는 알킬기이거나, R3, R4및 N은 함께 헤테로시클고리를 형성할 수 있으며; R5는 알킬기이고; m은 1 또는 그 이상의 정수이고; R2는 알킬기, 시클로알킬기, 히드록시알킬기, 알콕시알킬기, -(CH2)n 또는이고; X2및 Y2는 각각 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 알콕시기,또는 수지와 반응성이 있는 작용기이고; R6및 R7은 각각 수소원자 또는 하나 또는 그 이상의 작용기를 함유할 수 있는 알킬기이거나, R6, R7및 N은 함께 헤테로시클고리를 형성할 수 있으며; R8은 알킬기이고; n은 1또는 그 이상의 정수이고; 또는 R1및 R2는 함께 다음식의 기를 형성할 수 있고;
    R9는 알킬기, 아르알킬기, 히드록시알킬기 또는 알콕시알킬기이고; X3및 Y3는 각각 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 알콕시기,또는 수지와 반응성이 있는 작용기이고; p는 1또는 그이상의 정수이다.
  2. 제1항에 있어서, 감광성 화합물이 하기 일반식의 화합물인 감광성 조성물 :
    [식중, X1, Y1, X2, Y2, m 및 n은 제1항에서 정의한 바와 같다].
  3. 제1항에 있어서, 감광성 화합물이 하기 일반식의 화합물인 감광성 조성물 :
    [식중, X1, Y1, X2, Y2, m 및 n은 제1항에서 정의한 바와 같다.]
  4. 제1항에 있어서, 감광성 화합물이 하기 일반식의 화합물인 감광성 조성물 :
    [식중, R10은 알킬기, 시클로알킬기, 히드록시알킬기, 또는 알콕시알킬기이고; X1, Y1및 m은 제1항에서 정의한 바와 같다].
  5. 제1항에 있어서, 감광성 화합물이 하기 일반식 화합물인 감광성 조성물 :
    [식중, R9, X3, Y3및 p는 제1항에서 정의한 바와 같다.]
  6. 기판상에, 수지 및 하기 일반식(Ⅰ)의 감광성 화합물로 구성된 감광성 조성물의 막을 형성시키고, 막을 약 300nm이하의 심 UV 광선에 노출시키고, 형상하여 막의 노출된 부분을 제거하여 패턴을 형성하도록 함을 특징으로 하는 정밀한 패턴의 형성방법.
    [식중, R1및 R2는 제1항에서 정의한 바와 같다.]
  7. 제6항에 있어서, 감광성 화합물이 하기 일반식의 화합물인 방법 :
    [식중, X1, Y1, X2, Y2, m 및 n은 제6항에서 정의한 바와 같다.]
  8. 제6항에 있어서, 감광성 화합물이 하기 일반식의 화합물인 방법 :
    [식중, X1, Y1, X2, Y2, m 및 n은 제6항에서 정의한 바와 같다.]
  9. 제6항에 있어서, 감광성 화합물이 하기 일반식의 화합물인 방법 :
    [식중, R10은 알칼기, 시클로알킬기, 히드록시알킬기, 또는 알콕시알킬기이고; X1, Y1및 m은 제6항에서 정의한 바와 같다.]
  10. 제6항에 있어서, 감광성 화합물이 하기 일반식의 화합물인 방법 :
    [식중, R9, X3, Y3및 p는 제1항에서 정의한 바와 같다.]
  11. 기판상에 광내식막 층을 형성시키고, 수지 및 하기 일반식의 감광성 화합물로 구성된 콘트라스트 강화재 층을 광내식막 층에 형성시키고, 콘트라스트 강화재 층을 약 300nm이하의 심UV 광선에 노출시키고, 콘트라스트 강화재 층을 제거하고, 동시에 광내식막 층을 현상하여 광내식막 층의 노출된 부분을 제거하여 정밀한 패턴을 형성시킴을 특징으로 하는 정밀한 패턴의 형성방법.
    [식중, R1및 R2는 제1항에서 정의한 바와 같다.]
  12. 제11항에 있어서, 광내식막 층과 콘트라스트 강화재 층과의 사이에 수용성 유기막을 형성시키고, 상기 수용성 유기막을 콘트라스트 강화재 층과 동시에 제거함을 특징으로 하는 형성방법.
  13. 제11항에 있어서, 감광성 화합물이 하기 일반식의 화합물인 방법 :
    [식중, X1, Y1, X2, Y2, m 및 n은 제11항에서 정의한 바와 같다.]
  14. 제11항에 있어서, 감광성 화합물이 하기 일반식의 화합물인 방법 :
    [식중, X1, Y1, X2, Y2, m 및 n은 제11항에서 정의한 바와 같다.]
  15. 제11항에 있어서, 감광성 화합물이 하기 일반식의 화합물인 방법 :
    [식중, R10은 알킬기, 시클로알킬기, 히드록시알킬기, 또는 알콕시알킬기이고 : X, Y 및 m은 제11항에서 정의한 바와 같다.]
  16. 제11에 있어서, 감광성 화합물이 하기 일반식의 화합물인 방법.
    [식중, R9, X3, Y3및 p는 제11항에서 정의한 바와 같다.]
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880016135A 1987-12-04 1988-12-03 감광성 물질 및 그를 이용한 패턴형성 방법 KR910005029B1 (ko)

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JP62-309335 1987-12-07
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JP62-310736 1987-12-08
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