KR980003835A - 원자외선용 감광막 및 이를 이용한 감광막 패턴 형성 방법 - Google Patents

원자외선용 감광막 및 이를 이용한 감광막 패턴 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR980003835A
KR980003835A KR1019960025719A KR19960025719A KR980003835A KR 980003835 A KR980003835 A KR 980003835A KR 1019960025719 A KR1019960025719 A KR 1019960025719A KR 19960025719 A KR19960025719 A KR 19960025719A KR 980003835 A KR980003835 A KR 980003835A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photoresist
film
photoresist film
ultraviolet rays
copolymer
Prior art date
Application number
KR1019960025719A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100200305B1 (ko
Inventor
복철규
고차원
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019960025719A priority Critical patent/KR100200305B1/ko
Priority to US08/864,113 priority patent/US5888698A/en
Priority to JP09153943A priority patent/JP3129990B2/ja
Publication of KR980003835A publication Critical patent/KR980003835A/ko
Priority to US09/222,808 priority patent/US6087065A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100200305B1 publication Critical patent/KR100200305B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/52—Amides or imides
    • C08F220/54—Amides, e.g. N,N-dimethylacrylamide or N-isopropylacrylamide
    • C08F220/58—Amides, e.g. N,N-dimethylacrylamide or N-isopropylacrylamide containing oxygen in addition to the carbonamido oxygen, e.g. N-methylolacrylamide, N-(meth)acryloylmorpholine
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F8/00—Chemical modification by after-treatment
    • C08F8/30—Introducing nitrogen atoms or nitrogen-containing groups
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106—Binder containing
    • Y10S430/111—Polymer of unsaturated acid or ester

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 리소그라피(lithography) 공정에서 ArF(193nm) 광원을 사용하여 감광막 패턴을 형성할때 에칭 내성이 강한 감광막 및 이를 이용한 감광막 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 즉, 원자외선용 매트릭스 수지의 개발을 위하여 193nm에 높은 투과율을 지니는 PMMA(polymethylmethacrylate)를 기본 골격으로 사용하고, 여기에 다른 물질을 도입하여 에칭 내성을 증가시키고 파이퍼리딘에 있는 질소 원자가 베이스로 작용함으로써 PED 안정성에 우수한 감광막을 제조하는 것이다.

Description

원자외선용 감광막 및 이를 이용한 감광막 패턴 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 의하여 제조되는 ArF용 감광막의 구조식.
제2도는 본 발명의 제2실시예에 의하여 제조되는 ArF용 감광막의 구조식.
제3도는 상기 제1도 및 제2도에 도시된 감광막의 프로텍팅 그룹(protecting group)으로 사용되는 RIOH 모이에티(moiety)를 도시한 것.
제4도와 제5도는 본 발명의 제1 및 제2실시에의 의해 제조되는 감광막의 화합물이 화학 반응으로 변화되는 것을 도시한 도면.
제6도는 제1도의 감광막을 합성하는 스킴으로 파이퍼리딘(piperidine) 유도체와 메타아크릴산의 공중합에 의해 합성되는 것을 도시한 것.
제7도는 제2도에 도시된 감광막을 합성하는 스킴으로 아제티딘(azetidine) 유도체와 메타아크릴산과의 공중합체를 도시한 것이다.

Claims (16)

  1. 감광막에 있어서,
    (상기에서 x는 50~90몰이고, y는 10~50몰이고, R2는 메틸기이며, R1은 메틸, 에틸, t-부틸기 등이다.)의 구조식으로 표현되는 공중합체인 것을 특징으로 하는 원자외선용 감광막.
  2. 제1항에 있어서, 상기 공중합체의 합성 스킴은 파이퍼리딘(piperidine) 유도체와 메타아크릴산과의 공중합체에 의해 합성되는 것을 특징으로 하는 원자외선용 감광막.
  3. 제2항에 있어서, 상기 합성 스킴은
    (상기 R1OH는 메탄올, 에탄올, t-부틸 알콜 등이다.)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 원자외선용 감광막.
  4. 제3항에 있어서, 상기 프로텍팅 그룹으로 사용될 알코리 에칭 내성을 증가시킬 목적으로 193nm에 투명한 사이클 화합물이 R1OH 모이에티 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 원자외선용 감광막.
  5. 감광막에 있어서,
    (상기에서 x는 50~90몰이고, y는 10~50몰이고, R2는 메틸기이며, R1은 메틸, 에틸, t-부틸기 등이다.)의 구조식으로 표현되는 공중합체인 것을 특징으로 하는 원자외선용 감광막.
  6. 제5항에 있어서, 상기 공중합체의 합성 스킴은 아제티딘(azetidine) 유도체와 메타아크릴산과의 공중합체인 것을 특징으로 하는 원자외선용 감광막.
  7. 제5항에 있어서, 상기 합성 스킴은
    (상기 R1OH는 메탄올, 에탄올, t-부틸 알콜 등이다.)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 원자외선용 감광막.
  8. 제7항에 있어서, 상기 프로텍팅 그룹으로 사용될 알코리 에칭 내성을 증가시킬 목적으로 193nm에 투명한 사이클 화합물인 R1OH 모이에티 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 원자외선용 감광막.
  9. 감광막 패턴 형성 방법에 있어서, 기판 상부에 제1항에 기재된 구조를 갖는 감광막을 도포하고, 소프트 베이크하는 단계와, 광원의 파장이 200nm이하인 것을 이용하여 노광하는 단계와, 노광 후 베이크 공정을 실시하는 단계와, 현상 공정으로 상기 감광막을 현상하여 감광막 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 원자외선용 감광막 패턴 형성 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 감광막의 두께는 0.5~1.2㎛인 것을 특징으로 하는 원자외선용 감광막 패턴 형성 방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 소프트 베이크 온도는 70~150도인 것을 특징으로 하는 원자외선용 감광막 패턴 형성 방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 노광 후 베이크는 90~160도인 것을 특징으로 하는 원자외선용 감광막 패턴 형성 방법.
  13. 제9항에 있어서, 상기 현상액의 농도는 0.01~5wt%인 것을 특징으로 하는 원자외선용 감광막 패턴 형성 방법.
  14. 제9항에 있어서, 상기 감광막에 프로린(proline)유도체와 메트아크릴산(meth -acrylic acid)의 공중합물을 감광막 수지로 이용하는 것을 특징으로 하는 원자외선용 감광막 패턴 형성 방법.
  15. 제9항에 있어서, 상기 매트릭스 수지 내에 아민(amine) 오염을 방지하기 위하여 2-아제티딘 카복실릭산 모이에티(2-azetidine carboxylic acid moiety)를 도입하는 것을 특징으로 하는 원자외선용 감광막 패턴 형성 방법.
  16. 제9항에 있어서, 상기 감광막은 제5항에 기재된 분자 구조식을 갖는 감광막인 것을 특징으로 하는 원자외선용 감광막 패턴 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960025719A 1996-06-29 1996-06-29 원자외선용 감광막 및 이를 이용한 감광막패턴형성방법 KR100200305B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960025719A KR100200305B1 (ko) 1996-06-29 1996-06-29 원자외선용 감광막 및 이를 이용한 감광막패턴형성방법
US08/864,113 US5888698A (en) 1996-06-29 1997-05-28 Photoresist film for deep ultra violet and method for forming photoresist film pattern using the same
JP09153943A JP3129990B2 (ja) 1996-06-29 1997-06-11 遠紫外線用感光膜及びこれを利用した感光膜パターン形成方法
US09/222,808 US6087065A (en) 1996-06-29 1998-12-29 Photoresist film for deep ultra violet and method for forming photoresist film pattern using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960025719A KR100200305B1 (ko) 1996-06-29 1996-06-29 원자외선용 감광막 및 이를 이용한 감광막패턴형성방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR980003835A true KR980003835A (ko) 1998-03-30
KR100200305B1 KR100200305B1 (ko) 1999-06-15

Family

ID=19464718

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960025719A KR100200305B1 (ko) 1996-06-29 1996-06-29 원자외선용 감광막 및 이를 이용한 감광막패턴형성방법

Country Status (3)

Country Link
US (2) US5888698A (ko)
JP (1) JP3129990B2 (ko)
KR (1) KR100200305B1 (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100200305B1 (ko) * 1996-06-29 1999-06-15 김영환 원자외선용 감광막 및 이를 이용한 감광막패턴형성방법
KR100546138B1 (ko) * 2000-06-30 2006-01-24 주식회사 하이닉스반도체 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를함유하는 포토레지스트 조성물
US8021775B2 (en) * 2001-07-13 2011-09-20 Inventek Corporation Cell structure for electrochemical devices and method of making same
KR20100068083A (ko) * 2008-12-12 2010-06-22 제일모직주식회사 (메트)아크릴레이트 화합물, 감광성 폴리머, 및 레지스트 조성물
JP2011148967A (ja) * 2009-08-31 2011-08-04 Sumitomo Chemical Co Ltd 樹脂、レジスト組成物及びパターン形成方法
JP6182864B2 (ja) * 2012-01-17 2017-08-23 住友化学株式会社 レジストパターンの製造方法
JP6277806B2 (ja) 2013-06-05 2018-02-14 株式会社リコー インク
JP6665528B2 (ja) * 2015-12-25 2020-03-13 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、硬化膜、その形成方法、及び表示素子
US10976483B2 (en) * 2019-02-26 2021-04-13 Facebook Technologies, Llc Variable-etch-depth gratings
US11709422B2 (en) 2020-09-17 2023-07-25 Meta Platforms Technologies, Llc Gray-tone lithography for precise control of grating etch depth

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0003552B1 (de) * 1978-02-08 1982-05-26 Ciba-Geigy Ag Unter der Einwirkung von Licht vernetzbare Polymere mit seitenständigen tricyclischen Imidylgruppen, ihre Herstellung und ihre Verwendung
US5334485A (en) * 1991-11-05 1994-08-02 The Chromaline Corporation Acid soluble photo-resist comprising a photosensitive polymer
KR100253575B1 (ko) * 1996-06-24 2000-04-15 김영환 포토레지스트
KR100225948B1 (ko) * 1996-06-29 1999-10-15 김영환 감광막 조성물 및 감광막 조성물 제조방법과 감광막 패턴 형성방법
KR100200305B1 (ko) * 1996-06-29 1999-06-15 김영환 원자외선용 감광막 및 이를 이용한 감광막패턴형성방법
KR100211546B1 (ko) * 1996-10-24 1999-08-02 김영환 신규한 포토레지스트용 공중합체

Also Published As

Publication number Publication date
KR100200305B1 (ko) 1999-06-15
US5888698A (en) 1999-03-30
JPH10115923A (ja) 1998-05-06
US6087065A (en) 2000-07-11
JP3129990B2 (ja) 2001-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MacDonald et al. Chemical amplification in high-resolution imaging systems
KR970022491A (ko) 감광성 수지 조성물, 감광성 필름, 이들을 이용한 형광체 틀의 제조방법 및 표면처리한 형광체와 이의 제조방법
EP1478978B1 (en) Self-aligned pattern formation using dual wavelengths
KR980003835A (ko) 원자외선용 감광막 및 이를 이용한 감광막 패턴 형성 방법
KR950004587B1 (ko) 패턴 형성 방법
CN1181109C (zh) 抗反射涂层用组合物、聚合物和其制法、以及形成薄膜图形的方法
CN1288901A (zh) 用于抗反射涂层的有机聚合物和其制备方法
EP1054296A2 (en) Fine pattern forming method
US6451501B1 (en) Acid sensitive copolymer, resist composition and resist pattern forming method
US6653045B2 (en) Radiation sensitive silicon-containing negative resists and use thereof
US5304453A (en) Method for preparing resist patterns through image layer transfer to a receiver substrate, via a photo-hardening organic liquid adhesive, with subsequent oxygen reactive ion etching
CN1335945A (zh) 抗反射涂层组合物
US6653054B2 (en) Resin, a double resin layer for extreme ultraviolet light (EUV) photolithography, and an extreme ultraviolet light (EUV) photolithography process
CN100383666C (zh) 光致抗蚀剂组合物及形成光致抗蚀剂图案的方法
JP3444326B2 (ja) 遠紫外線用ポジ型レジスト組成物
JP2001015427A (ja) 微細パターン形成方法
US5275913A (en) Method for preparing resist patterns utilizing solvent development with subsequent resist pattern transfer, via a photo-hardening liquid adhesive, to a receiver substrate and oxygen reactive ion etching
JPH10115922A (ja) レジスト材料
KR100209371B1 (ko) 원자외선용 감광막과 반도체소자의 미세패턴 형성방법
CN1476053A (zh) 图案形成材料以及图案形成方法
Kunz et al. Resist processes for ArF excimer laser lithography
US6168909B1 (en) Material and method for forming pattern
KR20040079756A (ko) 반도체소자의 미세패턴 형성방법
KR20070106212A (ko) 하드마스크막과 포토레지스트막 계면의 혼합 방지용 조성물및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
KR930003288A (ko) 고 해상도 리소그래피 방법 및 반도체 디바이스

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090223

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee